CeO2添加对(PbCa)(FeNb)O3介质陶瓷微观结构及微波性能的影响

研究了CeO2添加量对(Pb0.48Ca0.52)(Fe0.5Nb0.5)O3微观结构及介电性能的影响.研究表明当Ce4+含量≤2.2%(摩尔分数,下同)时,样品为单一钙钛矿相,并且Ce4+进入A位造成样品晶胞的收缩,而Ce4+进入B位造成样品晶胞的膨胀.当Ce4+含量＞2.2%时,样品中会出现未知相.样品介电常数随Ce4+含量的增加先增大,后减小,介电常数的增大是由于晶胞体积的收缩以及相对密度的增大;减小则是由于Ce4+的半径(0.087 nm)大于(Fe3++Nb5+)的平均半径(0.064 nm)以及体系中未知相的出现.此外,由于Ce4+的取代造成氧空位消除、相对密度增大以及晶粒尺寸增大,从而当Ce4+的含量超过一定值时,样品的品质因数得到提高.样品谐振频率温度系数随Ce4+取代量的增加先迅速下降,然后又逐步增加.这是由于Ce4+的取代使得B位键价增加,谐振频率温度系数τf下降;但当样品中出现未知相时,τf又增加.当Ce4+的含量为2.2%时,τf达到最小值3.5×10-6/℃,且此时样品介电常数εr及品质因数谐振频率的积Qf值分别为93.7,6 770 GHz.研究了CeO2添加(Pb0.48Ca0.52)(Fe0.5Nb0.5)O3样品中晶体结构与介电性能之间的关系.     

硝酸锰对PMN-PZT热释电陶瓷性能的影响

研究了硝酸锰溶液掺杂对富锆铌镁酸铅-锆钛酸铅(PMN-PZT)热释电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、热释电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释。实验结果表明,以液态硝酸锰的形式进行锰掺杂使锰的加入更容易,有效改善了固态锰掺杂时析出损失和混合不均等问题;适量的硝酸锰溶液掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的相对介电常数(rε)和介电损耗(tanδ),并增加其热释电系数(p);在x(Mn)=3.0%时,制备出综合热释电性能良好的PMN-PZT热释电陶瓷,即室温时rε=197,tanδ=0.15%,p=3.5×10-8C/cm2℃,探测优值FD=8.7×10-5Pa-1/2,低温铁电相-高温铁电相(FRL-FRH)相变温度时rε=300,tanδ=0.45%,pmax=35×10-8C/cm2℃,FD=40.5×10-5Pa-1/2,符合制作热释电红外探测器的要求。     

氧化气氛热处理对BaTiO3热敏电阻电性能的影响

对常阻值小于标移阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在氧化气氛中（氧分压１ｇＰＯ２＝－０．３３５７￣－０．４９１４）于６００℃、８００℃、９００℃分别处理２ｈ、４ｈ、６ｈ,对处理的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究。结果表明,在满足产品电性能要求的前提下,氧化气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值,提高产品的合格度。     

拉伸工艺对PVDF薄膜形貌与结构的影响

聚偏二氟乙烯(PVDF)薄膜中,β相的相对含量对其压电、铁电性能起决定性作用。利用单轴拉伸工艺制备了高β相的相对含量的PVDF薄膜,运用XRD、SEM和FT-IR等测试手段,分析了拉伸过程中PVDF薄膜形貌与结构的变化,重点讨论了不同拉伸比R对薄膜微观结构及β相的相对含量的影响。结果表明:PVDF薄膜中的α晶相受均匀外力作用转变成β晶相,在80℃下拉伸5倍时,薄膜中β相的相对含量可高达77%。     

BST陶瓷场致热释电性能的研究

采用改进的电子陶瓷工艺,制备了高密度Ba0.6Sr0.4TiO3热释电陶瓷样品.研究发现,在1 340 ℃下烧结的样品,其密度可达到理论密度的98.3%.室温下测得样品的介电损耗为0.2%.外加直流偏场对材料的介电和热释电性能影响显著.样品的场致热释电系数为3.4×10-8 C/cm2·℃,探测率优值为10.0×10-5 Pa-1/2.     

铁电厚膜焦平面探测器微桥湿法刻蚀工艺研究

为了制备高性能铁电厚膜红外探测器,对硅材料的各向异性腐蚀机理及特性进行了探讨,开展了(100)硅片湿法各向异性腐蚀工艺研究.研究KOH摩尔比、腐蚀温度对si基片腐蚀特性的影响.在KOH与IPA混合腐蚀液腐蚀系统中,氢气泡可以快速的脱离硅表面,使得硅表面的形貌得到改善.结果表明:Si(100)面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和...     

护士睡眠自适应能力与睡眠质量的关系

钛酸锶钡(BST)组分梯度多层厚膜具有较好的综合介电性能,包括适中的介电常数、高的介电温度系数、低的介质损耗等,日益成为红外探测器、微波调制器件的重要候选厚膜材料.采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Mn掺杂6层不同组分梯度BST厚膜.厚约5 μm.研究了梯度BST厚膜的微观结构及其介电性能.X-射线衍射(XRD)分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的厚膜材料.扫描电镜(SEM)电镜显示,厚膜表面晶粒大小均匀,排列紧密,致密性好,梯度BST厚膜的介电峰温区覆盖常温,介电常数峰值为920,介电损耗约为1.8×10-2.     

MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响

ＭｎＯ对Ｐｂ_（１－ｘ）Ｓｒ_ｘ［（Ｓｂ_（１／２）Ｎｂ_（１／２））_ｙＴｉ_（１－ｙ）］Ｏ_３改性钛酸铅压电陶瓷兼有“软性”和“硬性”改性作用。实验表明,添加适当的ＭｎＯ可以得到介电常数εｒ＝２４０,机电耦合系数是ｋｔ＝２４８．５％,机械品质因数Ｑｍ＝１５００,居里温度Ｔｃ＝４３５℃的高稳定性压电陶瓷材料。该材料在高温及高频器件的应用方面有重要的应用价值。     

热释电非制冷红外焦平面现状及发展趋势

一维和二维阵列的热释电非制冷红外焦平面非常适合应用于热成像.混合式的BST铁电探测器降低了成本,市场潜力巨大.分析了热释电非制冷红外焦平面阵列探测技术的优势,介绍了热释电非制冷红外探测器工作原理及热释电非制冷红外焦平面阵列对探测材料的要求,指出了混合式及单片式热释电非制冷红外焦平面阵列发展趋势.制备高一致性和高性能的大阵列的探测元是发展非制冷红外焦平面的关键,针对我国在热释电非制冷红外焦平面阵列研究方面存在的问题,提出了下一步研究的方向及重点.