（Sr1-xPbx）TiO3系V型复合材料研究进展

详细介绍了固相烧结法、微波烧结法、快速烧结法、化学共沉淀法等制备（Sr1-xPbx）TiO3系V型复合材料的工艺。摘要比较了各种工艺制备的（Sr1-xPbx）TiO3的电学性能。探讨了（Sr1-xPbx）TiO3系材料V型电阻-温度特性产生的相关机理。提出了今后研究的方向，展望了其应用前景。     

钒酸钡Ba_3(VO_4)_2合成过程的研究

Ba_3(VO_4)_2是最有希望实现低温共烧的微波介质陶瓷体系之一.以BaCO_3,V_2O_5为原料,在不同温度下进行合成反应,对合成样品进行XRD物相分析,研究合成目标相Ba_3(VO_4)_2的反应过程.结果表明:在粉料湿法球磨过程中,BaCO_3与V_2O_5已开始反应生成BaV_2O_6,球磨后烘干样品的XRD图中不存在V_2O_5的衍射峰.合成目标相Ba_3(VO_4)_2的中间产物有:Ba(VO_3)_2·H_2O,BaV_2O_6,Ba_2V_2O_7,Ba_3(VO_4)_2.合成反应在450'C时开始出现目标相,800℃时得到单相Ba_3(VO_4)_2.     

动态电流法热释电系数测试系统结构设计

设计了一个热释电系数测试系统,用它来评价热释电材料的性能。系统基于动态电流法原理,由热释电样品加热、温度测量、升降温速度控制、热释电电流测量和测量数据处理5个部分构成。利用系统测得热释电材料样品的热释电系数峰值为1.98×10-7C/(cm2.℃),符合有关文献的报道,表明测试系统的性能良好。     

PZT叠层厚膜陶瓷材料性能的研究

使用凝胶流延成型工艺制备了PZT85/15、PZT95/5单组分厚膜及叠层厚膜.通过和单组分厚膜的性能进行对比,分析了叠层厚膜的形貌特征及介电、铁电和热释电性能.结果表明,由PZT85/15和PZT95/5组成的叠层厚膜内部均匀致密,具有良好的介电、铁电和热释电性能,极化后的相对介电常数εr=191.5,介电损耗tan δ=0.7%(温度T=20℃,频率f=1 kHz),热释电系数在41℃时达到峰值8×10-8 C/cm2·K,此后下降不明显,从而改善了单组分厚膜相变温区过窄的缺点,达到拓宽相变温区的目的,有望在红外探测和相变换能方面得到更广泛的应用.     

BST红外探测器阵列像元信号检测电路设计(英文)

针对铁电材料BST的电容在直流偏场下电性能随温度变化,设计了一种用来检测微小差分电容的电路。采用性能、形状较为一致的BST铁电陶瓷单元电容器配对结构,以电脉冲的方式读取不同温度下材料的充放电电荷数,从而探测辐射到铁电材料上的红外信息。实验结果与理论分析较为吻合,中心频率10Hz、带宽2Hz、放大倍数9000倍。这种BST红外探测器阵列像元信号检测电路具有抗寄生电容干扰强、灵敏度高、容易实现、成本低等优点。改进该探测电路,有望开发出结构简单、性能优良的新一代红外探测器。     

硅基非致冷混合式焦平面探测器阵列研究

本文报道一种32×48元高灵敏非致冷混合式焦平面探测器厚膜阵列.提出了一种采用掺杂钛酸锶钡厚膜作为敏感材料的硅基微机械加工电容式红外探测器像元结构,对其工作原理、器件性能优化设计与制作工艺流程进行了分析,得出了优化的结构参数.分析了影响器件性能的关键因素,给出了器件所用铁电材料的基本物理和电学特性参数以及器件的热隔离技术和相应参数.本结构的像元电容值增量接近相同敏感面的体材料红外探测器,减小了像元与衬底电极引线的寄生电容.采用这种结构的红外探测器阵列对电路的精度要求低,便于研制集成电路.该红外探测器阵列结构的设计思路,符合大阵列红外焦平面像元结构设计的发展趋势,为开展非致冷红外焦平面阵列探测器研究奠定了基础.     

常温高性能PMN-PMS-PZT热释电材料

研究了组分改变对PMN-PMS-PZT(铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅)热释电陶瓷材料的相组成、介电性能、热释电性能等方面的影响,并对实验结果进行了分析.实验结果表明:通过改变材料Zr/Ti的比例,在陶瓷介电常数εr和介电损耗tanδ变化不大的情况下,使得热释电系数的峰值向室温附近移动;在Zr/Ti=95/5时,常温(28℃)下介电常数占εr=228.5、介电损耗tanδ=0.23%,热释电系数P=25.5×10-4C/m2℃,探测率优值FD=47.3×10-5Pa-1/2,此类材料符合制作热释电红外探测器的要求.     

薄/厚膜压电参数测量方法的研究进展

介绍了当前测量薄/厚压电参数的2大类方法:直接测量法(包括Berlincourt法、圆片弯曲技术、激光干涉法、扫描激光多普勒振动法、原子力显微镜法)和间接测量法(包括体声波响应和表面声波响应法、复合谐振法).详细分析了这些方法的基本原理、测试表征、应用状况和存在的问题,比较了这些方法的优缺点.结果表明,高分辨率的双束激光干涉和表面扫描振动相结合的方法将是评估压电参数方便、准确和可靠的方法,有望成为将来表征薄/厚膜压电特性的标准方法.     

红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术

通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与硅基片背面倒装焊凸点互连。     

电极对PTC热敏电阻老化性能的影响

为探究电极因素对PTC热敏电阻老化性能的影响,分别对烧渗Al电极,烧渗Ag-Zn电极和烧渗Ni电极等三种类型的PTC热敏电阻元件进行了老化试验。结果显示:烧渗Ag-Zn电极的元件有较好的老化性能,阻值变化率?R/R≈–4%,电流冲击失效率≈0。从材料热力学和电极的电化学两方面,对该老化特性进行了分析,表明材料热膨胀失配和电极电化学不稳定性,是电极影响元件老化性能的两大因素。