InSb凝视红外焦平面组件研制和应用

研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像元率约 0 .5 %。其性能参数满足红外成像制导的技术要求 ,已成功进行了凝视红外成像探测系统外场试验。     

管理与技术并重 完善运输职能 适应钢铁生产需要

介绍了唐钢运输部走内涵发展的道路，不断进行自我积累、自我改造，管理与技术并重，完善运输职能，保证了唐钢的主体生产     

管理与技术并重 完善运输职能 适应钢铁生产需要

介绍了唐钢运输部走内涵发展的道路，不断进行自我积累、自我改造，管理与技术并重，完善运输职能，保证了唐钢的主体生产。     

某管道原油加降凝剂运行分析

针对某油田原油凝点高的特点,在该油田干线运输过程中,对其采用加降凝剂降凝处理。通过实验研究与实践观测,提出在确保安全的前提下,要对不同批次的该油田原油优化降凝剂的种类与剂量,改进运输方案,降低运输成本。     

玉米粉喷射液化发酵生产柠檬酸的应用研究

叙述了玉米粉喷射液化发酵生产柠檬酸的方法、工艺控制条件、发酵技术经济指标和效益测算。     

电动汽车用增程发电机的设计与优化

以一台额定功率30 kW、额定转速6 000 r/min的发电机为研究对象,针对电动汽车增程发电机的强耦合、多变量和非线性特性,以发电机效率、电磁转矩波动和功率密度为优化目标进行研究分析。采用磁路法对发电机进行初步设计,采用有限元法进行电磁分析,验证初步方案的合理性;选取优化目标和优化因子并通过参数灵敏度和相关性分析判断每个优化因子影响权重,引入遗传算法、响应面法和参数化扫描法相结合的方法对发电机原始设计参数进行多目标优化;通过有限元验证了该方法的有效性,为增程发电机的优化设计提供了一种新的途径。     

两种钝化结构InGaAs红外探测器低频噪声的研究

低频噪声的测量和分析已成为红外探测器性能和可靠性评估的一种重要手段.制备了聚酰亚胺单层钝化和硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化两种结构InGaAs探测器,测试了不同偏压或不同温度下器件的低频噪声谱,讨论了偏压和温度对InGaAs探测器低频噪声的影响.随着偏压的增加,噪声增大,拐点向低频方向移动,并且低频噪声随温度降低而减小.认为硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化器件相对聚酰亚胺单层钝化器件相同偏压或温度下噪声较小,拐点低.因为硫化处理和ZnS层增强了钝化效果,器件的表面漏电流明显减小,因而大大降低了器件的低频噪声.     

InAs/GaSb Ⅱ型超晶格中波红外光电二极管的硫化研究

采用分子束外延( MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构InAs(8 ML)/GaSb(8 ML)超晶格材料,响应光谱显示截止波长在5μm附近.通过腐蚀、光刻、溅射等工艺,制备了pin结构中波红外光电二极管.采用(NH4)2S+ZnS双层硫化对二极管表面进行钝化,(NH4)2S硫化后的二极管表面漏电流密度降低一...     

p-GaN／Au欧姆接触的研究

本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究．用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0．045Ω·cm~2的欧姆接触．接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小．在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0．034Ω·cm~2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的。分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因．     

AlGaN MSM紫外探测器

用通过MOCVD生长的未掺杂的n-Al0．3Ga0．7N制备了金属-半导体-金属 (MSM)结构紫外探测器。器件在2．5V偏压时的暗电流为1pA,在6．5V偏压时的暗电流为1nA．在1V偏压下和298nm波长处,探测器的电流响应率为0.038A／W,在300nm 波长处有陡峭的截止边,这与文献中介绍的AlxGa1-xN探测器在x=0．3时截止波长为 300nm相一致。