金属诱导多晶硅电极用于液晶显示透反功能的设计

溶液法金属诱导晶化(S-MIC)的p型掺杂多晶硅薄膜,具有较好的电学特性和近似半透半反的光学特性,可作为透、反两用功能液晶显示器件(LCD)的像素电极材料.但MIC多晶硅薄膜的透射与反射在红.绿和蓝三色区存在着一定的差异,势必导致合成白光的"畸变".为此,作者在MIC(大晶畴)多晶硅材料制成的电极上,在制备并光刻TFT源、漏电极铝金属引线的同时,光刻出不同面积的铝反射片来平衡和补偿经过MIC多晶硅薄膜透过与反射的红、绿、蓝三基色光,有效地进行红、绿、蓝三基色出光光谱的校正.校正结果表明在可见光范围内,其红光、绿光和蓝光处的透射率和反射率基本符合白光平衡的要求;由此形成了具有透、反两用功能的LCD多晶硅像素电极技术.     

LCoS场序彩色显示控制器的设计

介绍了一种采用LCoS显示芯片的场序彩色显示控制器的设计方案，该方案采用VHDL语言进行设计，在Xilinx公司的Fundation2.1i环境中，进行了编译、综合和仿真。并通过XCS系列FPGA进行了功能验证。对显示控制器的各部分电路功能进行了讨论，给出了具体的设计方案和实现方法。     

一种新型结构的a－SiN∶H／a－Si∶H多层雪崩光电二极管

本文提出一种新结构的多层膜异质结雪崩光电二极管（ＡＰＤ）──穿通沟道型（ＲｅａｃｈＴｈｒｏｕｇｈＶａｌｌｅｙ），对标志其性能的两个重要参数──倍增因子Ｍ和额外噪声因子Ｆ_ｅ做了定性分析，从理论上推导出Ｍ和Ｆ_ｅ的定量表达式，并详细讨论了此种结构中载流子输运的微观机制。通过对实验室制备的穿通沟道型ＡＰＤ的测试及对测试结果的分析，提出一种新模型──隧穿模型，由实验曲线计算Ｍ，当Ｖ_Ｒ＝－１３Ｖ时，Ｍ_ｅ＝５．８，额外噪声因子Ｆ_ｅ＝１．４８。     

基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究

在有源寻址有机发光二极管（active matrix organic light emitting diode, AM-OLED）显示基板中,将电学功能层--薄膜晶体管（thin film transistor, TFT) 有源层材料p型掺杂金属诱导晶化（metal induced crystallized, MIC）多晶硅（p+-MIC poly-Si）薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性,与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层. 对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性. 当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED (microcavity-OLED, MOLED）的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高. 这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程.     

自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源. 控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅. 以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶体管研究. 制备的p型TFT器件具有良好的特性,可有效地减小漏电流,同时具有很好的均匀性和稳定性.     

湿式过氧化物氧化技术处理高浓度有毒有机废水研究

采用湿式过氧化物氧化技术(WPO)处理苯酚丙酮装置产生的高浓度有毒有机废水,并在WPO的基础上投加活性炭,加强催化氧化效果。通过单因素实验确定反应温度160℃,反应时间1h,进水pH值为3.0,H_2O_2投送加量控制在H_2O_2/COD=0.5,FeSO_4按照n_(Fe~2+)/n_(H_2O_2)=0.1的比例投加,在活性炭催化作用的强化下,COD和苯酚的去除率分别可以达到90%和99%以上。     

湿式过氧化物氧化技术处理高浓度有毒有机废水研究

采用湿式过氧化物氧化技术(WPO)处理苯酚丙酮装置某化工厂产生的高浓度有毒有机废水,并在WPO的基础上投加活性炭,加强催化氧化效果。通过单因素实验确定反应温度160℃,反应时间1h,进水pH值为3.0,H2O2投送加量控制在H2O2/COD=0.5,FeSO4按照n[Fe2+]/n[H2O2]=0.1的比例投加,在活性炭催化作用的强化下,COD和苯酚的去除率分别可以达到90%和99%以上。     

底栅微晶硅薄膜晶体管

对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.     

AMOLED控制电路中的双节拍处理模式

提出了一种面对高分辨率的有源有机发光二极管(AMOLED)矩阵屏,减少向OLED屏写数据所用时间的方案.在协调数据的写入和读取方式上,提出了一种双节拍模式的控制驱动方法,即外设RAM设立双套模式,两套RAM交替对数据进行读写操作,并且采用两组驱动芯片分奇偶列同时向屏写数据.通过对所设计的控制电路进行仿真以及实测结果对照,表明该设计能节省写过程,为显示赢得了更多的时间,比预先的设计增长了31%,有利达到良好显示的效果.     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅. 为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除. 通过流程简化，采用6块版工艺，研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.