α—SiTFT有源矩阵液晶显示器的研制进展

本文全面介绍了我们在α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的ＴＦＴ—ＬＣＤ研制线上，最终研制出具有视觉感受无缺陷的α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ视频图象显示器。     

AMOLED控制电路中内嵌I2C控制核的研究与实现

介绍了12.7 cm彩色有源选址的有机发光显示(AMOLED)控制电路中I2C控制核的设计方法,并且将其嵌入到FPGA中,实现了对该控制电路中所用AL 251、SAA7111A和AD9882多制式解码芯片的控制;给出了该I2C控制核对上述芯片进行实时控制时的仿真图和示波器显示出的实测结果.     

基于MIC多晶硅薄膜阳极的微腔有机发光器件

通过对溶液法金属诱导晶化多晶硅薄膜制备工艺的优化,制备出性能良好的P型掺杂多晶硅薄膜。厚度为50nm的MICP+-Poly-Si薄膜的方块电阻可降低至400Ω左右,其光学特性表现为在红光区域具有比较高的反射率和很小的吸收率,因此用它替代ITO用作红光OLED的阳极材料。由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的高反射性,使之形成了一定Q值的微腔效应。结果显示该器件的最大流明效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED提高了57%。进一步优化器件结构,调整发光层在腔中的最佳位置,可以大大增强发光强度,从而可以实现发光强度高、单色性好的红色微腔有机电致发光显示器件。     

MIUC poly-Si TFT显示驱动电路的性能优化

以金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基本器件单元,采用2M1P 5 μmCMOS工艺研制出适合于作全集成有源显示周边驱动的行扫描和列驱动电路.行扫描和列驱动电路的工作频率随工作电压呈指数式增加,然后趋于线性增长.在外加激励信号电压为10 V时,工作频率可以达5 MHz.在5 V电压应力条件下连续工作15000 s,行扫描和列驱动电路的输出特性基本不衰退.将这样的行、列驱动电路集成制作于像素矩阵电路的周边,研制出具有良好动态显示功能的彩色"板上系统(SOP)"型有源选址液晶显示器(AMLCD)模块.     

基于FPGA的TFT显示屏控制系统的设计与实现

提出一套以大规模现场可编程门阵列(FPGA)-EP1C12Q240C8为控制核心,对静态存储器实行乒乓操作,实时处理解码后来自显卡数字视频接口(DVI)的信号及产生相应控制信号,以实现驱动薄膜晶体管(TFT)显示屏的实时动态图像显示的方案,并成功验证了该驱动方法的可行性.该系统对于驱动不同类型的TFT液晶或OLED显示屏,只需根据具体的屏编写相应的软件和增加少量的接口电路就可以实现,具有多用途、可复用的特点.     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用

首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷,这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量,我们采用磷硅玻璃(PSG)动态镍吸杂技术,有效地吸除镍,降低多晶硅中镍的残留量,改善对撞晶界的缺陷密度,降低用之制备TFT的漏电流.该技术工艺过程简单,处理成本低,适合于大批量的工业化生产,有望成为制备高稳定性微电子器件与电路系统的必需工艺技术.     

非晶硅太阳能电池载流子收集长度的自动测量

提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生载流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合结果良好.用不同模型对同组数据进行拟合比较,对各模型拟合误差进行了讨论,本文的模型拟合误差较小,参数自动拟合调整较大,数据重复性、可靠性好,能反映实际使用条件下电池的特性.     

彩色LCoS显示器设计分析(二)

本文从产品角度讨论LCoS显示芯片的功耗与面积分配等问题，提出一种新颖的低压驱动显示方法，并详细说明在Cadence平台上按照常规0.6(m的n-阱四层金属CMOS工艺研制彩色LCoS显示芯片的全过程，最后给出部分电路的仿真结果和版图。     

金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管

对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.