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生长方法对DKDP晶体生长习性及光学性能的影响 总被引：1，自引：0，他引：1
以KH2PO4作为原材料,从含85%(摩尔分数)氘的氘化溶液中分别由传统降温法和"点籽晶"快速生长法生长了磷酸二氘钾[(K(DxH1-x)2PO4,DKDP]晶体。对加工后的样品进行了光散射和透过性能测试,研究了不同生长方法对DKDP晶体的生长习性和光学性能的影响。结果表明:对于纯度较高原料(杂质金属离子浓度≤10-6),"点籽晶"快速生长法能有效避免晶体生长过程中杂晶的出现,且生长速率为传统降温法的10倍,但所得晶体存在严重的光散射,透过性能明显下降,另外,快速生长所得晶体柱面区域较锥面区域光学性能明显下降。 相似文献