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SrTiO3陶瓷晶界层电容器材料的晶界研究Ⅰ.晶界结构 总被引:1,自引:1,他引:1
利用高分辨电镜研究了低温一次烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的晶界结构,发现在西晶粒间存在着4种典型的晶界类型。通过构筑晶界形成的结构模型,揭示了两晶粒间晶界形成的特征,认为两晶粒间晶界相的形成既与两晶粒间的液相成份和杂质组成有关,亦与两晶粒的相对取向有关。此外,还与两次烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的晶界结构作了比较。 相似文献
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我们在以前指出,Bi_4Ge_3O_(12)晶体在电子辐射作用下其辐射损伤过程是:原子位移,产生点缺陷→点缺陷运动和堆积→形成超结构。然而,在相同结构类型的Bi_(12)GeO_(20)晶体中,最近我们发现电子辐射损伤具有不同的过程;整个过程变为:原子位移,产生点缺陷→点缺陷运动和堆积→结构中Bi—O准八面体崩塌导致整个结构变成非晶态。 相似文献
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电子显微结构计算机辅助分析方法是人们借助于计算机软件解释、分析电镜图象信息以获得图象所包含的结构信息。我们开发研究了适合于无机材料结构辅助分析软件包VEM,它可以在纳米水平上形成、显示各种结构模型,并用现代键价理论验证这些结构模型,最后再用多层法进行象的模拟计算。同时亦能进行物相的辅助分析以及电子衍射指标化工作。在软件结构上采用模块化,由数据库传递数据给各功能块,数据介面简洁明了。VEM的操作采用菜单式选择功能,人机对话形式输入计算参数。我们可以将沿给定方向的结构投影理解为二维图形,从而利用计算机图形技术对结构投影进行编辑。 相似文献
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BaTiO3半导体陶瓷的分析电镜研究 总被引:4,自引:2,他引:4
利用透射电镜(TEM)和微区分析方法对BaTiO_3半导体陶瓷的晶粒和晶界进行了研究。研究发现,某些晶粒中存在一种极为特殊的不均匀性——即晶粒具有“壳-芯”结构特征。选区电子衍射(SAD)和X射线能量色散谱(EDAX)分析证实,壳-芯结构是由晶粒中含杂质Si的分布不均匀引起。研究表明,壳和芯同属BaTiO_3结构,它们的结晶学取向相同。同时还发现,在晶界处有富Si的结晶相存在。 相似文献
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结合工厂生产实际,介绍MWMD234系列柴油机排气系统隔热层材料与包覆工艺的研制、试验过程。 相似文献