石墨球状化的几个因素

为了研究镁金属对于铸铁结晶之影响,曾使用了多种的试样来研究其金属组织。这些试样是:120公厘直径者,100×100×35公厘者,30公厘直径之冷激试棒经过共晶退火处理者,以及1、8、 12、20公厘直径注入金属模中之试样,在铸铁中加入0.4％的镁和矽铁作为加制剂。砂型中和冷激模中之试样铸品,均用同一25至30公斤之水包存以碳3.0％,矽1.98％、锰0.72％、磷0.058％、硫0.053％成份之铁水浇注之。上述试验中证明,未经加制的铸铁中之石墨是成一般灰铁中的片状石墨存在;而用镁加制后之铸铁中,石墨是成球状存在。如果以镁和矽铁来加制,则铸铁之结构和球状石墨之形状如所示。镁有促进     

PULSAM——一种新的调幅方式

本文叙述了PULSAM调幅方式,它是脉宽调制(P.W.M.)的一种新应用。文中研究了与新型调制器设计有关的问题,并与已有的串联脉宽调制原理进行了比较,从中可以看出新方式是有利的。在PULSAM方式中,开关调制器只是用来转换边带功率,射频载波管从另一单独的电源取得功率。这样就有个优点,即射频放大器(即被调级——译注)可以在关掉调幅器的情况下进行初始调谐,并维持工作。PULSAM方式的电路元件一般比串联脉宽调制设备中起相同作用的元件要简单,这主要是由于转换的功率很低。同样,由于开关频率所引起的杂波辐射电平也被减小了。第一部采用这种调幅器的发射机是马可尼B6127型500千瓦短波广播发射机。     

盘管外融冰问题的数学模型及数值分析

本文分析了盘管外融冰问题并建立其数学模型;利用该模型模拟了盘管外融冰过程,并对模拟结果进行了分析。分析表明,该模型比较合理,更加接近蓄冷槽内融冰过程的实际情况;循环水量对融冰持续时间有较大影响。所得结论可为今后蓄冷系统的优化计算分析提供理论根据。     

能源动力专业研究生案例教学探讨——以《热电联产高效智慧供热技术》课程为例

<正>本文通过发掘与课程内容密切相关的教学案例,并通过教学实施及课后总结等对案例进行完善,为能源动力专业研究生课程改革、案例驱动教学及案例库建设提供参考。     

试论色彩在平面广告设计中的运用

随着广告事业的日新月异,平面广告设计中常常运用到的法则被打破,固有的符号现象被解构。广告色彩设计已成为平面广告设计创作中的一种必要技巧和研究领域。我们有必要对色彩的运用进行精心的安排与谋划,寻找出色彩设计的表现策略。色彩在平面广告设计中如何运用,已经成为人们非常关注的问题。在现代平面广告设计中,色彩的有效运用能大大提高广告信息的到达率。可见,色彩在平面广告设计中的重要意义。     

氨基磺酸系高效减水剂应用性能研究

研究了氨基磺酸系高效减水剂（AsP）对水泥净浆流动度、新拌砼硬化性能及力学性能的影响以及ASP减水率、ASP与水泥适应性、ASP与萘系减水剂复合性能。试验表明,ASP与萘系减水剂相比,具有低掺量、高减水率以及控制坍落度损失的功能,而且与水泥有很好的适应性,与萘系减水剂有很好的相容性。     

T2D750/22双摇臂抱杆的研制及应用

针对舟山与大陆联网大跨越工程2基370 m高塔的组立施工特点,研制了T2D750/22双摇臂抱杆.该抱杆具有以下几个创新技术及其特点,包括海岛高空抗强台风计算、起升绕绳系统、起升和变幅钢丝绳防干扰装置、双侧力矩控制系统、摇臂防撞装置、井筒吊装系统和SC60变频施工升降机等.     

中国8位微控制器市场一瞥

随着CMOS IC生产工艺的不断进步,目前技术上已经进入深亚微米阶段,可以把复杂的微控制器(MCU)内核集成在一块芯片上,同时留有足够的硅片面积用于实现复杂的存储器和外设逻辑,过去用于高端32位和64位CPU的设计方法和架构现在已经能够有效的用于低价8位微控制器系统.利用这些功能强大而且便宜的微控制器,全系统的集成度不断提高.硬件结构可执行更复杂高效的程序,集成更多的硬件功能.应用领域和市场容量越来越大.     

纳米级MOSFET的模拟

利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求，用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计。     

GaN基HEMT器件抗逆压电性能研究

可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能。当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛。根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分AlGaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析。分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性。