数字基带传输系统的FPGA设计与实现

为了提高系统的集成度和可靠性,降低功耗和成本,增强系统的灵活性,提出一种采用非常高速积体电路的硬件描述语言（VHDL语言）来设计数字基带传输系统的方法。详细阐述数字基带传输系统中信号码型的设计原则,数字基带传输系统中信号编码原理和译码原理;采用硬件描述语言来设计数字基带信号编码器和译码器并进行仿真;采用原理图设计方法设计数字基带传输系统并仿真;整个系统的设计在QuartusⅡ平台上完成,并在Ahera公司的ACEX1K-EP1K30TC144-1芯片上实现。     

鱼雷引信安全系统通用环境信息

针对目前鱼雷引信安全系统通用性不强,且部分为单一解除保险的不足,分析鱼雷引信安全系统可利用的环境信息得出:鱼雷引信的通用环境信息有水静压力信息、水动压力信息和螺旋桨转动信息,并通过俄、美等国的实例证明了通用环境信息识别利用的可行性,为鱼雷引信安全系统实现三化,提供理论依据。     

AMUR:一种RFID数据不确定性的自适应度量算法

 为适应基于RFID(无线射频识别)位置跟踪过程中传感数据的连续变化和需要实时处理的特征,本文提出一种度量RFID数据不确定性的自适应进化粒子滤波算法,根据K-L距离改变重采样粒子个数,并引入粒子群寻优方法PSO改变传统粒子滤波(SIRPF)的重采样效率,采用常规赋权聚集(CWA)定义适应度函数,以均衡先验密度与似然密度的重要性,在采样粒子空间探寻最优粒子,为概率数据库上的初始元组提供可靠的置信度度量.实验证明,与已有的算法相比,AMUR算法能够有效地度量RFID数据中蕴含的不确定性,可进一步改善粒子退化现象和粒子贫化问题.     

手持终端设备主备电池控制系统设计

手持终端设备属于一种嵌入式系统,特别在工业应用领域对其供电持续性的要求很高。为了解决单电池供电下设备续航能力不足导致传输数据丢失的问题,本文设计一种主备电池控制系统,提高了整机的续航能力和电源系统的可靠性。方案设计对切换灵敏度、功耗和可靠性方面进行了综合考虑,已经应用到实际产品中,取得了良好的效果。     

新型双模介质波导滤波器

为满足5G基站射频前端的要求,提出了一种新型双模介质波导滤波器.在表面镀银的介质填充波导腔里设置两个盲孔和一个耦合槽,可有效控制一对TE201奇偶模.应用上述结构,设计了一个单腔双模滤波器、一个三腔四阶滤波器和一个六腔七阶滤波器.仿真和测试结果表明,在同样阶数下,引入一个双模谐振器能够有效减小滤波器体积:二阶滤波器体积...     

基于局部基底弯曲法的高灵敏度薄膜应力测试技术

针对MEMS(micro-electro-mechanical system)和NEMS(nano-electro-mechanical system)对薄膜应力测试的要求,开发了一种新型高灵敏度薄膜应力测试技术,使用自行搭建的准纳米光学干涉测试系统,利用局部基底弯曲来检测薄膜的内应力.该方法不仅保留了传统基底弯曲法的所有优点,而且消除了其系统误差.使用ANSYS对测试结构进行了模拟和优化,对于30nm厚的薄膜,应力检测的分辨率为1.5MPa,优于目前国际上的相关报道.本测试结构使用各向异性腐蚀和DRIE(deep reactive ion etching)完成,加工工艺简单实用.文中使用该测试技术对常用MEMS薄膜的残余应力进行了测量,结果与其他测试方法得到的结果基本一致,测量重复性优于1%.该技术可以用于测试纳米级薄膜及超低应力薄膜的内应力.     

高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了1e16～1e18cm－2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge＋和Ge2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．     

三维微电子机械系统结构分析与设计

介绍了作为光交叉连接设备（OXC）的三雏微电子机械系统（MEMS）总体结构以及微反射镜角度偏转的物理原理，然后着重讨论了基于三维MEMS的物理结构参数设计和驱动电压参数设计。     

稳压器抗震分析简化力学模型探究

本文研究核电站稳压器抗震分析模型的建立方法。针对某堆型的稳压器,分析内部冷却剂的液面晃动效应及处理方法;对比分析节点个数、筒体壁厚、集中质量等因素对简化模型固有频率的影响,确定了稳压器抗震分析模型的简化原则。针对最终模型进行模态分析,并对计算结果进行评价。     

深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计（上）

随着IC设计逐步进入VDSM阶段，SOC逐步成为设计的主流，IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时，主要关注芯片面积的大小；在80年代后期，延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题；进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题；近来制造中的成品率(Yjeld)，芯片工作中的可靠性，以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。