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接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In1-xAlxSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In1-xAlxSb薄膜的Al组分进行了调控和检测。5.3 μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9%。10 μm×10 μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm。制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础。 相似文献
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对于我国电网现行高压输电线路的巡检方式,主要是通过人工手持仪器或肉眼来巡查设施缺陷的,不仅条件艰苦,强度大,而且效率低,已不能适应现代化电网的安全运行和发展.近些年,随着无人机技术以及相关传感器技术的快速发展,无人机在电力巡检方面有着更加广泛的应用.鉴于此,提出一种基于激光雷达与无人机的高压电塔附近的实时定位与地图构建... 相似文献
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随着第三代DVD播放机的面世,支持DVD-AUDIO的24 bit 96 kHz的Δ∑音频DAC被大量使用.面对如此众多的产品,如何根据数据手册中参差不齐的动态指标进行对比和评估?又如何选择以期达到最优的性价比?这些都是每一位DVD音频部分的设计者必须面临的问题.下面,笔者就结合实践中的一些经验,谈谈自己的看法,供读者参考. 相似文献
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采用三步工艺进行了GaAs基InSb的异质外延生长并结合实验数据和文献资料研究了生长温度和速率、InSb层的厚度、低温缓冲层质量和双In源工艺对材料Hall电学性能等的影响。发现温度和生长速率对室温载流子迁移率和本征载流子浓度影响不太大;晶体XRD FWHM随膜厚的增加而逐渐地减小;低温缓冲层的界面质量和厚度对表面形貌具有一定的影响,低温缓冲层的界面厚度不应小于30 nm,ALE低温缓冲层的方法可以降低局部表面粗糙度;实验发现在优化的工艺参数基础上采用双In源生长工艺可以生长出电学性能不发生反常的理想本征InSb异质外延薄膜材料。获得2μm厚GaAs基InSb层在300 K和77 K的Hall迁移率分别为3.6546×104 cm^2 V^-1 s^-1和7.9453×104 cm^2 V^-1 s^-1,本征载流子迁移率和电子浓度随温度的变化符合理论公式的预期。 相似文献
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针对运输系统中运动目标在运动垂直方向上边缘信息缺失的问题及运动目标检测实时性差的缺点,提出了一种改进的融合边缘检测算法的四帧差分法,结合现场可编程门阵列(FPGA)芯片的并行工作特性,满足了运动目标检测的实时性要求。改进的四帧差分算法是采用间隔帧间差分的方式,将运动目标区域提取出来与边缘检测相融合,同时利用FPGA中多端口SDRAM图像缓存技术对实时图像进行缓存和输出。系统实现了对运输带上运动目标的检测,结果表明,该算法能够较好地解决在传统帧间差分法中运动目标在运动垂直方向上边缘缺失的问题,同时也能准确且实时地检测出待测运动目标。 相似文献
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索尼CE-P13是面向中低端的一款闪存式MP3,属于索尼最新发布的P系列,P系列产品还拥有512MB和1GB版本,本次体验中的CE-P13是系列中容量最小的产品,只有256MB的容量。[编者按] 相似文献