全文获取类型
收费全文 | 7691篇 |
免费 | 435篇 |
国内免费 | 333篇 |
专业分类
电工技术 | 485篇 |
综合类 | 622篇 |
化学工业 | 990篇 |
金属工艺 | 539篇 |
机械仪表 | 556篇 |
建筑科学 | 691篇 |
矿业工程 | 552篇 |
能源动力 | 129篇 |
轻工业 | 778篇 |
水利工程 | 488篇 |
石油天然气 | 303篇 |
武器工业 | 58篇 |
无线电 | 608篇 |
一般工业技术 | 471篇 |
冶金工业 | 430篇 |
原子能技术 | 74篇 |
自动化技术 | 685篇 |
出版年
2024年 | 84篇 |
2023年 | 219篇 |
2022年 | 281篇 |
2021年 | 289篇 |
2020年 | 237篇 |
2019年 | 250篇 |
2018年 | 238篇 |
2017年 | 121篇 |
2016年 | 148篇 |
2015年 | 181篇 |
2014年 | 412篇 |
2013年 | 333篇 |
2012年 | 376篇 |
2011年 | 455篇 |
2010年 | 410篇 |
2009年 | 429篇 |
2008年 | 382篇 |
2007年 | 386篇 |
2006年 | 408篇 |
2005年 | 321篇 |
2004年 | 268篇 |
2003年 | 258篇 |
2002年 | 210篇 |
2001年 | 223篇 |
2000年 | 190篇 |
1999年 | 162篇 |
1998年 | 105篇 |
1997年 | 119篇 |
1996年 | 119篇 |
1995年 | 108篇 |
1994年 | 98篇 |
1993年 | 69篇 |
1992年 | 78篇 |
1991年 | 93篇 |
1990年 | 77篇 |
1989年 | 75篇 |
1988年 | 37篇 |
1987年 | 25篇 |
1986年 | 30篇 |
1985年 | 21篇 |
1984年 | 25篇 |
1983年 | 16篇 |
1982年 | 24篇 |
1981年 | 22篇 |
1980年 | 17篇 |
1979年 | 10篇 |
1978年 | 5篇 |
1961年 | 2篇 |
1959年 | 2篇 |
1955年 | 3篇 |
排序方式: 共有8459条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on n-GaN/sapphire substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. The films were grown at substrate temperatures ranging from 400 to 700 ℃ for 1 h at a RF power of 80 W in pure Ar gas ambient. The effect of the substrate temperature on the structural and optical properties of these films was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. XRD results indicated that ZnO films exhibited wurtzite symmetry and c-axis orientation when grown epitaxially on n-GaN/sapphire. The best crystalline quality of the ZnO film is obtained at a growth temperature of 600 ℃. AFM results indicate that the growth mode and degree of epitaxy strongly depend on the substrate temperature. In PL measurement, the intensity of ultraviolet emission increased initially with the rise of the substrate temperature, and then decreased with the temperature. The highest UV intensity is obtained for the film grown at 600 ℃ with best crystallization. oindent 相似文献
73.
随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。 相似文献
74.
75.
76.
77.
78.
79.
MIMO-OFDM系统定时同步算法 总被引:3,自引:5,他引:3
应用MIMO—OFDM无线通信系统的空间信号资源,提出了基于单个前导符号的MIMO--OFDM系统帧定时和符号定时同步的分集算法,以克服高速无线多径信道中深衰落对MIMO—OFDM系统定时同步性能的影响,给出了具体的帧定时、符号定时同步的分集算法以及在高速无线多径信道COST207模型下帧定时和符号定时同步的仿真结果。 相似文献
80.