首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6441篇
  免费   384篇
  国内免费   324篇
电工技术   416篇
综合类   569篇
化学工业   859篇
金属工艺   471篇
机械仪表   447篇
建筑科学   558篇
矿业工程   423篇
能源动力   108篇
轻工业   586篇
水利工程   365篇
石油天然气   257篇
武器工业   51篇
无线电   568篇
一般工业技术   403篇
冶金工业   376篇
原子能技术   49篇
自动化技术   643篇
  2024年   73篇
  2023年   206篇
  2022年   262篇
  2021年   278篇
  2020年   217篇
  2019年   229篇
  2018年   217篇
  2017年   110篇
  2016年   134篇
  2015年   166篇
  2014年   373篇
  2013年   303篇
  2012年   336篇
  2011年   403篇
  2010年   366篇
  2009年   353篇
  2008年   318篇
  2007年   315篇
  2006年   331篇
  2005年   251篇
  2004年   224篇
  2003年   210篇
  2002年   156篇
  2001年   176篇
  2000年   138篇
  1999年   113篇
  1998年   75篇
  1997年   91篇
  1996年   83篇
  1995年   94篇
  1994年   86篇
  1993年   52篇
  1992年   54篇
  1991年   63篇
  1990年   57篇
  1989年   50篇
  1988年   21篇
  1987年   22篇
  1986年   24篇
  1985年   17篇
  1984年   20篇
  1983年   12篇
  1982年   15篇
  1981年   17篇
  1980年   11篇
  1979年   9篇
  1978年   5篇
  1963年   2篇
  1959年   2篇
  1955年   3篇
排序方式: 共有7149条查询结果,搜索用时 10 毫秒
81.
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.  相似文献   
82.
本文以单片机为核心器件,实现了数字频率计的设计,并在Proteus软件仿真环境下搭建仿真电路,采用Kell软件进行软硬联调,成功地实现了数字频率计的仿真。  相似文献   
83.
本文首先引入一种新型双向向异性波导结构;给出了这类复杂波导中横向场分量的纵向场表示式以及纵向场分量满足的一组耦合模方程;重点分析了具有不同电磁参数的双各向异性介质中心加载时,金属圆柱形波导中混合模的分裂效应,色散特性和场分布。结果表明,由于多个电磁参数的引入,双各向异性波具有一般各向异性和双各向同性波导结构所没有的新奇特性。  相似文献   
84.
报道了以体硅表面硅混合微加工工艺制作在SOI衬底上的一种新型复合静电驱动结构致动内旋转微镜,其中复合静电驱动结构由一个平板驱动器和一个垂直梳齿驱动器构成.实验表明,该新型驱动结构不仅能使微镜实现大范围连续旋转,而且能使微镜实现吸合效应致自发性90°旋转.微镜的连续旋转范围扩大到约46°,同时引发吸合效应的拐点电压也增大.对于具有1和0.5μm厚扭转弹性梁的微镜,实测拐点电压分别为390~410V和140~160V.当该微镜用作光开关时,测得光插入损耗为~1.98dB.  相似文献   
85.
基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.  相似文献   
86.
根据MIMO-OFDM系统无线传输信道的特性,提出了基于单个前导子符号的MIMO-OFDM系统空间分集定时同步算法,以克服高速无线多径信道中深衰落对MIMO-OFDM系统定时同步性能的影响,应用概率论推导出MIMO-OFDM系统空间分集算法的定时错误概率分布和概率密度数学表达式,并给出了MIMO-OFDM系统在无线多径信道中帧定时同步的仿真结果.  相似文献   
87.
基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5~7.5GHz的频段内,开关正向导通时的插入损耗低于1.6dB,回波损耗大于10dB,开关关断状态的隔离度大于23dB.  相似文献   
88.
在LDPC译码时,使用IJLRBP算法其校验节点的计算复杂度十分高,而且当LDPC码中有许多的短环时,译码性能也会降低。基于以上的这些问题提出了一个新的混合校验变量过程,通过调整校验节点的处理振幅和变量节点的信息相关性来降低计算复杂度,其仿真过程表明在译码性能和运算复杂度上与LLRBP算法都有较大的提高。  相似文献   
89.
化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜;H2O2对铜的钝化作用可以保护凹处铜膜不被快速去除,从而有效降低高低差。此外,还研究了碱性抛光液中不同H2O2浓度对铜的静态腐蚀速率、动态去除速率及铜布线平坦化结果的影响。研究表明:抛光液对铜的静态腐蚀速率随H2O2浓度的增大逐渐降低然后趋于饱和;铜的动态去除速率随H2O2浓度的增大而逐渐降低;抛光液的平坦化能力随H2O2浓度的增大逐渐增强再趋于稳定。  相似文献   
90.
宽频带微带传输线巴伦的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
对具有宽频带特性的微带传输线巴伦进行了研究,并应用微波网络优化理论对其进行了详细的理论分析与设计,数值计算结果与有关文献一致。最后,设计并制做了具有十倍频程的微带传输线巴伦,举例说明了本文方法的有效性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号