高压酸浸过程多工况切换控制方法

高压酸浸过程是一个典型的多工况、多输入多输出系统,在高压酸浸静态升温、动态升温升压及初始酸浸过程目前仍采用人工手动控制;而入矿酸浸过程则普遍采用常规的单回路控制器组成的控制方法,由于耦合作用的存在,此方法不能稳定控制釜内温度、釜内压力及釜内液位,导致浸出效率下降本文针对上述工况复杂强耦合的强非线性过程,将釜内温度作为切换机制,不同工况条件下分别采用不同控制器,实现其多工况过程的自动化.并成功应用在国外某大型氢氧化镍钴冶炼厂的酸浸过程,工业应用结果表明所提出的控制方法,有效地使釜内温度、釜内压力及釜内液位稳定控制在目标值附近.保证高压釜酸浸过程安全稳定运行,提高了浸出效率.     

工业过程虚拟对象软件平台的设计与开发

针对复杂工业过程的对象难以在实验室建立及其仿真系统不能方便快捷开发的现状,提出采用组态软件及仿真软件混合编程开发工业过程虚拟对象软件平台。该平台采用前台界面层、中间通讯层、后台模型层3层结构,以多种可控数据交换方式实现前台界面与后台模型的无缝链接,制定二次开发规则,以平台程序为基础,可实现针对某一工业过程对象仿真软件的快速开发。最后以钢球磨煤机制粉系统的虚拟对象验证了平台的有效性。     

浮选过程自动控制系统

针对我国赤铁矿浮选生产过程自动化水平不高、劳动生产率低、工艺指标精矿品位和尾矿品位波动严重的现状,采用美国Ｒockwell 公司的ControlLogix 系列软硬件平台设计开发了浮选过程自动控制系统。详细介绍了控制系统结构、控制系统功能、智能优化设定层和底层回路层的控制策略,以及浮选过程自动控制系统应用软件和人机交互监控界面的开发过程。将本文提出的自动控制系统应用于酒钢选矿厂,长期运行结果表明,系统运行稳定、安全可靠,减轻了现场操作人员的劳动强度,提高了劳动生产率,进而提升了选矿厂的企业竞争力。     

磨机负荷检测方法研究综述

为促进磨机检测方法的工业化应用和深入研究,综述磨机负荷检测的主要研究成果.按检测方式将磨机负荷检测方法分为仪表检测法和非仪表检测法.将基本具备现场应用条件,但功能有限的仪表检测法,按检测原理又细分为压差法、振声法、振动法、功率法、超声法等方法.将处于实验室实验、离线研究阶段及借助工业计算机现场应用的非仪表检测方法分为基于磨机外部响应信号和多源信息融合的检测方法.针对每种具体方法,总结了其特征、研究现状以及应用前景.最后指出融合多源信号并结合专家知识、机器学习进行智能检测的软测量方法是未来磨机负荷检测的发展方向.     

一类非线性系统的多模型神经网络解耦控制器

针对多变量非线性离散时间系统设计多模型神经网络解耦控制器，在每个平衡点处用一神经网络离线辨识非线性系统的线性部分，利用另一神经网络在线辨识非线性部分，将非线性部分视为可测干扰并采用前馈的方法予以消除，所有平衡点处得到的系统模型汇集起来构成多模型集，在每一采样时刻基于切换指标选出最优模型作为当前模型，并据此设计解耦控制器实现控制，仿真结果表明系统在多个平衡点处仍然可以得到较好的控制效果。     

竖炉焙烧过程的多变量智能优化控制

针对铁矿选矿中的竖炉焙烧过程具有综合复杂性和产品质量指标一磁选管回收率难以在线测量因而不易实现优化控制的难题,通过对焙烧过程动态特性和人工操作模式的分析,将智能方法与前馈、反馈控制相结合,提出一种基于磁选管回收率、台时产量、煤气消耗等综合生产指标的多变量智能优化控制方法.根据综合生产指标的目标值和边界条件的变化在线对控制回路的设定值进行自动调整而实现优化控制.将提出的方法应用于国内某大型选矿厂竖炉焙烧过程,实现了综合生产指标的优化控制,取得显著应用效果.     

中草药活性成分在化妆品中的应用

中草药是中国传统的纯天然药物，具有来源极广、药物残留少、毒副作用微小和无抗药性等优点。中药材中的一些活性成分具有抗炎、抗氧化、抗菌等功效，被广泛应用于日常保健和临床医疗中。近几年来，越来越多的高安全性、温和、低刺激性的中草药活性成分作为天然添加剂应用在化妆品中。同时，含中草药的化妆品在全球市场上的需求量正在不断增加，这为中草药及其活性成分在化妆品中的应用研究提供了思路和动力。首先，总结了中草药中6种常见活性成分，如酚类化合物、类黄酮、皂苷、萜类化合物、类胡萝卜素和天然多糖的结构和功能；接着，综述了中草药活性成分的5大功效：保湿、祛斑美白、防晒、抗皱与祛痘及作用机制；最后，提出了中草药功效性成分在化妆品应用中存在的问题，并指出了未来发展方向。     

一种完全集成的单光子雪崩二极管探测器

针对单光子雪崩二极管探测器,提出了一种紧凑的主动淬灭电路和读出电路,能够快速控制雪崩电流淬灭,对光子雪崩脉冲进行线性和对数方式的模拟计数。该电路能够最大限度地减少淬灭时间,缩短死区时间,扩大读数的动态范围,大幅度减小每个像素单元的面积,提高像素密度。采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行仿真,得到输入雪崩脉冲宽度约为8 ns,线性计数达到10³次,而对数计数可以达到10⁵次,像素单元占空比得到显著提高。