内定向斜井定方位定射角射孔技术用可测量方位的自旋转起爆装置研究与应用

本文针对油田中后期薄层井、剩余油井、油水同层等复杂井开采常使用的定方位定射角射孔技术测量方位问题,设计开发出自旋转起爆装置,该装置通过旋转起爆机构与内定向斜井定方位定射角射孔器弹架相连,采用重力自定向技术,弹架与旋转起爆机构在射孔枪内自由旋转,通过陀螺仪测试旋转起爆机构中方位键的方位,测量整支弹架的方位。通过对比试验验证,自旋转起爆装置能够满足定方位定射角射孔技术中的方位测量要求,为内定向斜井定方位定射角射孔技术提供一套可测量方位的自旋转起爆装置。     

Characterization of{101}*and{100}*α-Si_3N_4 Whiskers by HREM

The microstructure of both {10(?)1} and{10(?)0} (directions perpendicular to the {10(?)1}and {10(?)0} planes) α-Si_3N_4 whiskers were investi-gated by high resolution electron microscopy(HREM).On one side of the {10(?)1}α-Si_3N_4 whiskers many planar defects were ob-served,two kinds of micrograins on one side of the{10(?)0} whiskers were found.In one type,sepa-rated α-Si_3N_4 (28 H) micrograins had the sameorientation with respect to the matrix whisker;inthe other type,connected polymicrograins consistedof both α-and β-Si_3N_4 (14H).     

SiC晶须的显微结构

用分析电镜研究ＳｉＣ晶须的显微结构，按结构特征ＳｉＣ晶须分为一维无序结构和呈竹节状两类。ＳｉＣ晶须具有分叉现象，一种是在一个主干上长出几个分支，另一种由一段双晶和分叉成两支晶须两部分组成。ＳｉＣ晶须双晶互为｛２２１｝孪晶关系，孪晶界面平行于基体的（００１）Ｍ；研究了ＳｉＣ晶须的热稳定性，发现α－ＳｉＣ的热稳定性更好些。     

骨头粉碎机

沈阳市肉联厂原加工骨粉的方法为,将动物骨头如猪头骨、牛骨等晾晒干,然后人工将其敲成细小颗粒,制成骨粉,做为动物饲料.现在肉联厂每天需要处理动物骨头5t,按每人每天加工0.5t计算,则需要10人才能完成,生产旺季需要的人员还要多.操作原始、工人劳动强度大、效率低、产品成本大、粉尘污染严重,不符合劳动部门的要求,针对以上问题,设计出一台骨头粉碎机.     

铝合金锻件中的残留疏松与结晶台阶

铝合金锻件中有时有未锻合的疏松和残留的枝晶自由表面,并保留有原始的结晶台阶。枝晶优先沿<100>方向长大,结晶台阶主要属于{100}及{110}晶面族。未锻合疏松周围的合金基体有一定变脆倾向,有时可以观察到解理断口。     

电镀锡板表面的氧化

电镀锡板以其良好的防腐蚀性能被广泛用作食品工业的容器材料,在制造容器的过程中,一般要通过一道涂料和200℃左右的烘烤工序。但是有一些电镀锡板在烘烤后出现黄褐色花纹,既影响外观又影响质量。本文对这些黄褐色花纹的成因和产物进行分析研究。研究分两方面进行,其一对各厂家的产品分成发黄和不发黄两类试样进行比较试验,从成分和结构上找出发黄的原因。其次进行     

Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O超导单晶晶须的生长SCIEI

用熔体淬火非平衡凝固方法制备非晶态Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O(1112),(2212)基材,在流通O_2气氛中经840—860℃长时间保温,生长出柔性(2212)超导单晶晶须,仔细研究了晶须生长及形貌特性。     

页岩气开采用分簇射孔与桥塞联作技术研究

为实现电缆分簇射孔起爆技术和电缆桥塞火药座封技术的国产化,基于压力导通式分簇射孔起爆技术的实现过程与原理,通过试验检验了重要部件与整体的可行性,并通过井下试验验证了其起爆的可靠性;同时,进行了电缆桥塞火药配方的设计与试验,点火可靠性试验表明采用新型火药的电缆桥塞座封工具的燃烧压力峰值可达90MPa,桥塞座封可靠,此外,对电缆桥塞座封工具的火药装药量、温度对火药燃烧p——t曲线的影响进行了理论计算,得到了药量与压力的关系。模拟与实际井下试验表明研究的分簇射孔和电缆桥塞火药座封技术满足页岩气开采需求。     

对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究

用ThomasSwan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究.SEM显示在GaN薄膜相同位置处,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别.结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错;H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错;而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错     

不同形貌钒酸铋的光催化性能研究

采用水热法、柠檬酸络合法、模板水热法和固相法合成了不同形貌的BiVO4。利用X-射线粉末衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜及紫外-可见漫反射吸收光谱等手段对产物进行分析表征。将制备的4种样品进行光催化降解亚甲基蓝实验对比,研究用模板水热法制备的产物在外加H2O2条件下的光催化性能。结果表明：4种方法合成的产物均为单相单斜,形貌有纳米片、微米球等;模板水热法制备的BiVO4光催化活性最高,外加H2O2可以显著提高BiVO4的光催化活性。