含异氰脲酸酯结构聚醚多元醇的合成

以1,3,5-三羟乙基异氰脲酸酯(THEIC)为引发剂、三氟化硼乙醚络合物为催化剂,环氧化合物为环单体,进行了阳离子开环聚合反应的研究.发现THEIC与环氧单体可在非均相体系中平稳地进行阳离子开环聚合反应.在THEIC体系,就链引发而言,环氧氯丙烷的大于环氧丙烷、丁基醚环氧乙烷.调整环单体加料次序就可以获得嵌段共聚醚多元醇.     

随机共振及其应用于弱信号检测的研究

介绍随机共振的概念以及随机共振的发展历程,并描述其基本原理.针对实际应用中的大参数情况,介绍非经典的随机共振理论及实验台数据分析效果,对现有的随机共振在故障诊断中的实际应用进行总结.     

RDX基浇铸PBX的老化性能

采用-55~71℃温度循环老化试验,研究了RDX基浇铸高聚物粘结炸药(PBX)老化时,随时间的外观变化、结构完整性、质量/体积变化率、机械感度、力学性能及发射安全性。进行了65,75,85,95℃老化试验和老化样扫描电镜(SEM)及动态力学分析(DMA)的研究。结果表明,25个温度循环后,PBX炸药装药内部无可见裂纹和气孔,结构完整性未发生变化,质量/体积变化率小于1%,撞击感度增加到16%,在锤重400 kg和落高3 m的撞击条件下,未发生爆炸,PBX的抗压强度增加、压缩率下降,力学性能显著劣化。65℃恒温老化252 d后,抗压强度增加47.5%,压缩率下降9.8%。随老化时间延长,β松弛的动态力学损耗峰值(tanδ)降低,网络交联程度提高,与填料之间的结合更为紧密,显示后固化交联反应是力学性能劣化的原因之一。     

反舰导弹的目标选择方法和发展运用

对反舰导弹目标识别的选择技术做分析探讨,研究现代导弹目标识别选择技术的使用优势和特点,并对新一代的目标是被技术做阐述,同时提出未来导弹目标选择技术的未来发展方向。     

重结晶对PYX热性能和机械感度的影响

分别采用降温法和溶剂-反溶剂法对2,6-二苦氨基-3,5-二硝基吡啶（PYX）进行了重结晶研究。表征了不同重结晶方法所得PYX晶体的形貌和粒径,测定了重结晶前、后的晶体纯度,研究了重结晶对晶体热性能和机械感度的影响。结果表明:采用降温法在DMSO中得到的多为小颗粒团聚形成的不规则块状PYX晶体;采用溶剂-反溶剂法在DMF或DMSO中得到的多为片状PYX晶体,在DMSO/DMF混合溶剂中得到的多为规则的多边形块状PYX晶体。相比较而言,多边形块状PYX晶体的表面光滑度良好,粒径跨度最小,纯度最高,热稳定性较优,且兼具最低的撞击感度和摩擦感度,其热分解峰温和热爆炸临界温度较重结晶前分别提高了8.99 ℃和9.11 ℃,撞击感度和摩擦感度较重结晶前分别降低了16％和12％。     

PYX红外热行为研究

为探讨PYX的热行为,用热裂解原位池与快速扫描红外光谱联用技术（RSC—IR）、快速升温与快速扫描红外联用技术（T—Jump RSC—IR）、热重分析与红外光谱联用技术（TG—IR）研究了PYX的热解全过程。测定了热分解过程中的凝聚相产物和气相产物,提出PYX可能的热分解机理,其热分解过程至少分两个过程：第一过程为C—NO2的异构化和-NO2与-NH基团的环化,生成NO和芳香多聚化合物;第二过程为芳香多聚化合物的分解,逸出HCN,CO,CO2,H2O等气体。     

硅橡胶包覆层的研究进展

介绍了近年来硅橡胶包覆层的力学性能、耐烧蚀性能、粘接性能方面的研究情况以及取得的进展。硅橡胶包覆层中填料的粒径对硅橡胶的补强效果十分重要；可从改变生胶结构、添加耐烧蚀填料两方面来改善硅橡胶包覆层的耐烧蚀性；在推进剂药柱表面上涂覆底涂液可以大幅提高硅橡胶包覆层与推进剂的粘接强度。建议今后对采用纳米填料改善硅橡胶包覆层补强效果及其与其它高分子材料共混等方面进行深入研究。     

关于校准实验室使用校准方法问题的探讨

本文探讨了校准实验室在使用校准方法中常出现的几个问题，以及在实际工作中如何采取措施以保证所使用的方法满足ISO／IEC 17025的相关要求。     

纳米压痕技术对比研究DNAN和TNT晶体的微观力学性能

通过溶剂挥发法制备了DNAN和TNT晶体;利用纳米压痕技术研究了DNAN和TNT晶体的微观力学性能(硬度和弹性模量);通过原位扫描探针成像技术(SPM)研究了DNAN和TNT晶体的压痕形貌随时间的变化差异。结果表明,DNAN晶体的平均硬度和弹性模量分别为7.82GPa和0.22GPa,TNT晶体的平均硬度和弹性模量分别为12.19GPa和0.48GPa,表明TNT抵抗变形的能力优于DNAN;随着压痕深度由118nm增至856nm,DNAN的硬度从0.61GPa降至0.22GPa;随着压痕深度由27nm增至481nm,TNT的硬度从2.9GPa降至0.48GPa,表明DNAN和TNT均存在尺寸效应。随着时间由0增至50.4min,DNAN的压痕深度由-270.99nm减至-44.28nm,TNT的压痕深度由-415.12nm减至-369.21nm,表明DNAN晶体比TNT晶体具有更明显的慢回弹性,DNAN具有更强的冲击能量吸收能力。