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芯片规模封装(CSP:ChipSizePackage)尚处于开发阶段,但其发展势头良好。因此,今后的发展方向是获得公认的市场,或者是与裸芯片KGD(KnownGoodDie)技术的发展而相联系的。但是,随着日益发展的IC芯片的高集成化及性能高级化,由于采用CSP容易测定及老化,易于一次回流焊接等安装以及操作简便,可以认为在今后长期间内,CSP会替代常规的封装。另外,也有可能作为COB及混合IC、MCM的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行CSP的改进及降低成本。 相似文献
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均匀化处理对Ti—34Al—2Mn合金的组织与性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用自耗电弧熔炼技术制得了成分为Ti-34Al-2Mn的γ-TiAl基合金,研究了后续均匀化处理工艺对合金微观组织和机构性能的影响,发现经900℃,20h处理的试样比经其他工艺条件处理的试样具有更的延性,其微观组织由等轴γ-TiAl单相晶粒和一些原始层片状晶粒混合而成,片层之间存在,α2/γ/,γ/γs和γ/T三种界面,且保持一定的位向关系。 相似文献
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芯片规划规模封装尚处于开发阶段,但其发展势头良好。因此,今后的发展方向是获得公认的市场,或者是与裸芯片技术的发展而相联系的。但是,随着日益发展的IC芯片的高集成化及性能高级化,由于采用CSP容易测定及老化,易于一次回流焊接等安装以及操作简便,可以认为在今后长期间内,CSP会替代常规的封装。另外,也有可能作为COB及混合IC、MCM的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行SP的改进及 相似文献
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针对传统多边形位置关系计算比较烦琐,以及简单多边形的理论难以拓展到一般多边形的问题,提出标注节点状态的方法.通过定义11种位置来描述折线链上每个节点的状态,再采用"线段端点与线段"和"线段端点与邻折线"的标注方法来实现任意折线链的标注,同时利用两线段分割预处理使相交仅发生在端点处,从而使算法更高效;然后给出折线链基本位置关系的节点特征,并且探讨了三维顶点的标注方法.该方法的标注原理简单、方法实用,算法空间和时间复杂度分别为O(n)和O(n2).实验结果表明,该方法对任意形状的折线链都能实现稳定标注;通过搜索节点状态特征可以求解折线链间的相互关系,还可以实现一般折线链的碰撞检测、相交区域计算以及多边形简单化分解等. 相似文献
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简介剪切带扩展法(SBP)的原理及其在海底滑坡稳定性分析的应用;以舟山六横岛典型海底斜坡为分析案例,开展基于高斯函数的SBP和极限平衡法(LEM)斜坡稳定性对比分析研究;进行SBP输入参数对剪切带扩展系数R的敏感度分析. 研究结果显示,对于斜坡剪切带破坏长度,当剪切带扩展系数R不大于1时,LEM与SBP得到的滑坡滑裂面区域一致,当R大于1时,SBP计算得到的最终滑动区域比LEM计算得到的区域大;在斜坡发生滑动破坏区域SBP比LEM计算得到的安全系数低;地震影响因素和土体特征位移对R的影响较大. 相似文献
56.
本文对FMS50系统结构进行了介绍,着重阐述了该系统的多种物流模式.并分析了其通信控制系统的构成。 相似文献
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2021年3月11日~14日,AWE2021将如期在上海新国际博览中心举办.受疫情影响,AWE2020与AWE2021合并举办,时隔两年,家电产业链上下游积蓄了更多科技力量,沿着智能化、数字化、绿色、健康等家电产品升级趋势铺陈展开的新技术、新材料、新工艺、新合作模式将在AWE2021上集中展示.
和往届展会一样,AWE2021设立了"艾普兰"奖,并针对家电制造上游配套企业特设"核芯奖".据主办方透露,目前,AWE2021艾普兰"核芯奖"申报资料收集整理、评选以及入围产品确认工作正在紧张有序的进行中. 相似文献
58.
高硅奥氏体不锈钢由于高含量硅元素的加入使其具有优异的耐高温腐蚀性能和较低的成本,在制酸行业有着潜在的应用价值。然而,该合金中高含量硅元素的加入会促进凝固过程中溶质再分配,进而造成显著的元素偏析,最终导致合金内部产生枝晶组织和大量的有害相。对铸锭组织进行均匀化处理能够有效消除枝晶与元素偏析,促进析出相回溶和枝晶消融,从而改善材料的热塑性,有效应对热变形开裂问题。因此,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜能谱分析(SEM/EDS)、电子探针(EPMA)、JMatPro软件计算等方法,研究了实验室条件下制备的5%Si高硅奥氏体不锈钢铸锭的显微组织和元素分布状态,通过残余偏析指数、扩散动力学计算并结合均匀化处理试验验证,最终确定了5%Si高硅奥氏体不锈钢合理的均匀化处理工艺。结果表明,5%Si高硅奥氏体不锈钢凝固过程中钼元素偏析最为严重,通过残余偏析指数模型计算得到的均匀化动力学方程可用来指导该成分合金的均匀化处理工艺;5%Si高硅奥氏体不锈钢经过1 150 ℃×12 h均匀化处理后,铸锭内枝晶消融,元素偏析基本消除,析出相与铁素体回溶到基体中,合金转变为全奥氏体组织,热塑性得到改善;当加热温度达到1 250 ℃时,合金出现过烧现象,晶界开始熔化。 相似文献
59.
用X射线方法研究了平行于基带表面的Ni(20O),Ni(111),NiO(200)和NiO(111)晶面的取向分数W。结果表明,随预热处理温度的提高,虽然W_(NiO(200))也会随之提高,但是区域重加热处理对提高W_(NiO(200))起着最重要的作用。900℃预热处理之后,在1100℃进行区域重加热可使W_(NiO(200))提高到0.99以上。 相似文献
60.