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71.
SRAM型现场可编程门阵列(FPGA)在空间辐射环境中容易受到单粒子效应的影响,从而发生软错误,三模冗余技术(TMR)是目前使用最广泛的缓解FPGA软错误的电路加固技术。该文首先介绍了三模冗余技术研究现状,然后总结了三模冗余工具常用的细粒度TMR技术、系统分级技术、配置刷新技术、状态同步技术4项关键技术及其实现原理。随着FPGA的高层次综合技术愈发成熟,基于高层次综合的三模冗余工具逐渐成为新的研究分支,该文分类介绍了当前主流的基于寄存器传输级的三模冗余工具,基于重要软核资源的三模冗余工具,以及新兴的基于高层次综合的三模冗余工具,最后对FPGA三模冗余工具的未来发展趋势进行了总结与展望。 相似文献
72.
73.
总结了F2分子激光器的实验与理论工作,讨论了该激光器的重要意义及应用,并展望了F2分子激光器的未来发展。 相似文献
74.
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76.
77.
一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器.针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3 pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中.测试结果表明单端跨阻增益高达78 dB·Ω,-3 dB带宽超过300 MHz,100 MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3 pA/平方根Hz,功耗仅为14.4 mW.芯片面积(包括所有PAD)为500 μm×460 μm. 相似文献
78.
采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,
并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性
能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换
Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高,
其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂
质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄
膜相近。 相似文献
79.
80.
随着油气勘探不断向地层深部拓展,弄清烃源岩层生烃底限对于确定含油气盆地有效勘探领域范围和评价油气资源潜力都具有十分重要的意义。为此,以渤海湾盆地东濮凹陷古近系沙河街组烃源岩为研究对象,根据烃源岩层生排烃机理,采用有机元素变化分析法、生烃潜力法、残留烃量法和排烃量法4类7种方法对该区烃源岩的生烃底限进行了研究。结果表明:1用不同方法确定的沙河街组烃源岩生烃底限相差不大,全区生烃底限对应的镜质体反射率值(Ro)介于3.23%~3.97%,平均为3.71%,全区生烃底限对应的深度H值介于5 244~5 525m,平均为5 433 m;2凹陷北部生烃底限Ro介于3.61%~3.97%,平均为3.81%,其生烃底限H值介于5 415~5 545m,平均为5 488 m;3凹陷南部生烃底限Ro介于3.20%~3.74%,平均为3.48%,其生烃底限H值介于5 265~5 375m,平均为5 278 m。结论认为:该区南、北地区生烃底限存在差异,北部地区生烃底限对应的热演化程度(Ro)值和深度值明显高于南部地区,这与凹陷北部沙河街组发育巨厚膏盐层有关,主要体现为南、北地区在有机质类型、地层温度和压力等方面存在着差异性。 相似文献