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廖寄乔 《粉末冶金材料科学与工程》2002,7(2):153-160
为了对供给态和研磨态超细钨粉的颗粒粒度进行表征,将供给态粉和研磨态粉由激光衍射法、FSSS法和BET法测量出颗粒粒度。实验结果表明:利用激光衍射法和FSSS法所测量出来的供给态粉和研磨态粉的粒度结果是错误的,这是因为测量系统存在缺陷和测量原理不合适所致。可以使用吸附等温线来获得表面粗糙度的分数维维数D和微孔的表面积S_t,且用D和S_t来修正d_(BET)的计算公式。在本实验中,使用修正公式得到的4种粉末的平均粒度值与扫描电镜的观测值相一致。 相似文献
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利用激光衍射法对ZrO2粉末进行粒度测量,分别从分散介质和样品浓度对测量条件进行优化设计。采用含0.2%,0.4%,0.6%,0.8%及1.0%的六偏磷酸钠水溶液,在样品浓度为7%,10%,13%和16%的情况下进行粒径分析。结果表明,在0.2%-0.4%的六偏磷酸钠溶液下,样品浓度为7%左右时所测得的结果较为理想。 相似文献
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以炭纤维表面原位生长有碳纳米管(Carbon nanotubes,CNTs)的针刺毡体作为前驱体制备出生长有CNTs的炭/炭复合材料,并与在同样工艺条件下通过致密化最终热处理得到的纯炭/炭复合材料进行对比.结果表明,在密度几乎相同的情况下,生长有CNTs的炭/炭复合材料的室温Z轴热导率约为11.10 W/(m·K),几乎为纯炭/炭复合材料的室温Z轴热导率(6.28 W/(m·K))的2倍,其原因可能在于CNTs可以有效改善炭纤维和热解炭之间的界面特性,明显减少炭/炭复合材料中纤维和热解炭界面处周裂纹的出现,还可以诱导热解炭形成一种拥有更高导热率更易石墨化的粗糙结构. 相似文献
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以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须(SiCw),制备CNT-SiCw抗氧化涂层,并在1 100℃、空气中对该氧化涂层进行10 h抗氧化实验,研究SiCw的制备工艺以及SiCw在C/C复合材料抗氧化涂层中的作用。结果表明:制备碳化硅晶须的最佳工艺为:温度1 100℃、常压、载气和稀释气体流量均为100 mL/min。在此工艺下,沉积时间为15 min时,能制备出高长径比、平均直径约100 nm的碳化硅晶须。有CNT-SiCw涂层C/C复合材料试样在空气中氧化后的质量损失率仅0.7%,没有涂层的试样的质量损失率约为15%。 相似文献
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以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法(CVD)在C/C复合材料表面原位生长碳化硅晶须(SiCw)及制备SiC涂层,研究SiCw对SiC涂层微观形貌,织构及力学性能的影响。结果表明:SiCw不仅可促成SiC等轴颗粒的细化、生长完善,裂纹宽度减小、偏转明显,而且可使涂层的织构发生改变;同时,大量的空洞在SiCw处形成,使得内层SiC涂层硬度低于外层,从而导致整个SiC涂层的硬度和弹性模量降低。 相似文献
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利用激光衍射法对注射成形用铁、镍原材料粉末进行粒度测量,分别从超声方式和超声时间上对测量条件进行研究。结果表明,对铁粉,宜在大功率超声装置上将样品分散15min后进行测量;对于镍粉,宜在大功率超声装置上将样品分散30min后进行测量。 相似文献
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氧化钨相成分对超细钨粉均匀性的影响 总被引:12,自引:1,他引:12
研究了通过传统氢还原工艺制备超细钨粉末过程中氧化钨原料相组成对超细钨粉均匀性的影响。结果表明:单一相组成的氧化钨能制得超细而均匀的钨粉,多种相组成的氧化钨,由于其在还原过程中存在不同的还原路径和还原速度,制得的钨粉虽细但不均匀。 相似文献
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选用A,B,C和D四个炭/炭复合材料试样进行抗氧化涂层厚度的光学测量研究。其中试样A和B孔隙度相同,均为15.85%,对其涂覆粒径分别为1μm和10μm的B4C涂层;试样C和D孔隙度分别为13.52%和16.78%,对其均涂覆粒径为10μm的B4C涂层。通过光学金相测量分析其涂层厚度。结果表明,当试样孔隙度相同时,涂层材料粒度越小,其涂层厚度越厚;当抗氧化涂层材料粒度相同时,试样孔隙度越大,涂层厚度越厚。同时,在抗氧化涂层厚度计算过程中,对试样组织内部没渗透抗氧化涂层的孔隙需进行图像处理,以期得到涂层厚度的准确值。 相似文献
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对铵钨青铜((NH_4)_(0.5)WO_3,ATB)、氢钨青铜(H_(0.33)WO_3,HTB)、紫色氧化钨(W_(18)O_(49),TVO)和蓝色氧化钨(WO_3+WO_(2.9),TBO)4种氧化钨粉的氮气吸附/脱附等温线数据的分析,获得了其表面积、微孔体积、微孔分布、中孔体积、平均孔径和分数维维数等物理参数。结果表明:TVO粉末具有最大的中孔体积、最小的微孔体积、最窄的孔径分布、最小的分数维维数和最大的平均孔径,有利于氢还原制取超细钨粉,而不利于掺杂工艺。HTB粉末具有最大的微孔体积,最宽的孔径分布,最高的分数维维数和最小的平均孔径,对于掺杂工艺来说是有利的。ATB和TBO的上述参数介于TVO和HTB的参数之间。 相似文献