发可见光的多孔硅

本文比较系统地对多孔硅的制备、光致发光和电致发光特性、微结构和发光机制等作了论述。介绍了当前国内外多孔硅研究中的一些热点问题与学术争论情况。     

硫精砂综合利用试验研究

针对铜陵铜官山铜矿硫精砂综合利用所进行的试验研究，采用了内热多段焙烧工艺，使硫精砂中的硫砷主要以元素硫，单质砷和硫砷化物的形式产出，大大减少了尾气中SO2和As2O3的含量，便于环保。试验中，硫、砷的脱除率分别达到了98．4％和99．1％，金浸出率达到84．1％，在实验室规模上实现了该硫精砂的综合利用。     

单轴应力下掺氮GaP光致发光研究

我们在0～31kbar的单轴应力下,看到在77K下NN_1线由一个峰分成为两个峰。在77K下,一般都没有观察到NN_2峰,我们通过单轴应力下的光致发光研究观察到NN_2线。实验样品是液相外延N型GaP,实验样品有两种(以下简称样品A和样品B),它们掺杂浓度不同,样品A长7.5mm,宽4.34mm,厚0.40mm,样品B长7.5mm宽4.34mm,     

腐乳发酵过程挥发性风味成分的变化

采用固相微萃取法结合气相色谱-质谱法对腐乳发酵过程不同时期的挥发性风味成分进行分析,共鉴定出化合物110 种,包括酯类41 种、醛类19 种、酮类12 种、醇类12 种、酸类9 种、烃类9 种、其他类化合物8 种。不同发酵时期腐乳挥发性风味成分差异明显,随着发酵的进行,挥发性风味成分的种类逐渐增多。在前发酵过程中,豆腐白坯经毛霉发酵成毛坯,醛类相对含量显著降低,酯类、醇类相对含量以及种类逐渐增大;在后发酵过程中,随着后发酵时间的延长,醛类、酸类、酯类相对含量逐渐升高,烃类、醇类相对含量逐渐降低。其中正己醛、苯乙醛、壬醛、双戊烯、异戊醇、己酸乙酯、苯乙酸乙酯、戊酸乙酯、辛酸乙酯、2-正戊基呋喃、烯丙基甲基二硫醚对腐乳风味的形成贡献较大。     

棕榈油与菜籽油复合火锅底料关键工艺参数优化

采用响应曲面分析法对棕榈油与菜籽油复合火锅底料关键工艺参数进行了优化。在单因素试验的基础上,以火锅底料的感观综合评分为响应值,进行了棕榈油与菜籽油用油量、油配比、熬制时间3个因素的显著性和交互作用分析,优化得到其最佳工艺参数条件:用油量为52%(m/m),棕榈油与菜籽油配比为3∶2∶3(5℃棕榈油∶8℃棕榈油∶菜籽油),熬制时间为26min。在此条件下对棕榈油与菜籽油复合火锅底料进行感官综合评分,其中组织形态89.16分、浑汤度88.83分、色泽89.02分、香味92.87分、滋味87.29分,感官综合评分为89.65分。     

聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为

研究了存在于聚合物发光二极管 ( PL ED)中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为 .当加在 PLED上的正向偏压大于 1 0 V之后 ,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折 ,即电流或光强骤增而器件上压降减小 .“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失 .采用 CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像 ,发现光强的突变与电流的突变是相对应的 .对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现 ,反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为 .我们初步认为这些现象可能与 PLED中存在的缺陷态及其上电荷的填充状况有关     

多孔硅的氢化、氧化与光致发光

对于刚阳极氧化完的，阳极氧化后紧接着在Ｈ２Ｏ２中光照处理的及长期存放（１０个月）的三种多孔硅样品进行了持续激光照射，不断监视它们的光致发光（ＰＬ）与富利埃变换红外（ＦＴＩＲ）吸收光谱，并在最后对它们作了Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测量，以确定它们所含氧化硅的情况．得出如下几条结论：（１）氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的．（２）Ｓｉ—Ｈ键不是发光所必须的．（３）氧对多孔硅表面的钝化是稳定的，纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的．对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释．     

罗丹明汞离子荧光探针的合成及光谱研究

通过硫的亲汞性和氨基硫脲衍生物能被Hg2+转化为胍衍生物的机理,合成了一种新的Hg2+探针3′,6′-二乙氨基-2,7-二甲基-2-(N-氨基乙基)螺[异吲哚-1,9′-呫吨]-3-硫酮(R6G1)。考察了探针R6G1的水溶性、光谱性能及其在水相中对常见离子的选择性,测定了探针R6G1与Hg2+的络合比例和络合常数。水溶液中金属阳离子选择性测试结果表明,探针R6G1的水溶性好,能高选择性地识别Hg2+,该识别过程不受Fe3+,Cu2+,Al3+,Cr3+,Fe2+,Mn2+,Co2+,Pb2+,Mg2+,Ca2+,Cd2+,Zn2+,Ba2+等金属阳离子和F-,Cl-,Br-等阴离子的干扰。紫外滴定结果表明,探针R6G1与Hg2+按1∶1的化学计量比络合。荧光滴定测试结果表明,探针R6G1识别Hg2+的络合常数lgKa=5.92。     

YAG激光晶化多晶硅

报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果,其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜(如非晶硅和微晶硅)为晶化前驱物,以及对激光能量的利用等问题进行了分析研究.实验发现,晶化需要基本的阈值能量流密度,而晶化硅基前驱物材料的结构,是决定此阈值的关键.延迟降温速率对激光晶化是一种较为有效的手段,并对所得的初步结果进行了讨论.     

多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究

在多孔硅（ＰＳ）表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此,器件电子发射效率显著提高,在３２．５Ｖ偏压下,发射效率达１３．５％,发射电流密度２９μＡ／ｃｍ＾２;工作电流和发射电流的波动性明显减小;器件稳定性得到提高。