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本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管(TFT).发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性.由于材料的柱状生长模式使得其晶化百分比、晶粒尺寸和暗电导受到薄膜厚度的调制.平行于衬底和垂直于衬底方向的电导率随着材料沉积条件的变化呈现出不同的变化规律,后者始终保持在 10-6 s/an~10-5 s/cm 量级.确定了用于 TFT 有源层的微晶硅薄膜沉积条件中的硅烷浓度应高于 2%,晶化百分比应为40%~50%左右.制备的微晶硅 TFT 器件具有良好的稳定性,开态电流的衰退和阈值电压的漂移分别为 25%和1 Ⅴ,进而还发现了一种新颖的自恢复现象. 相似文献
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以迟采型白葡萄果渣为原料,采用单因素和正交试验优化多酚提取工艺,并研究了其抗氧化性能。结果表明:乙醇体积分数、提取温度对多酚提取量有显著影响;最佳提取工艺参数为乙醇体积分数50%、提取温度80℃、提取时间40 min;在此工艺条件下多酚提取量为3.39 mg/g,该多酚具有较强的抗氧化能力。 相似文献
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张丽珠 《煤炭加工与综合利用》1995,(5):43-45
本文对煤炭加工利用过程中产生的有机毒物的污染及对人类健康的潜在威胁进行了评述。研究了煤中主要有机污染物多环芳烃的赋存规律及其在燃烧过程中的衍变规律,探讨了这些有机污染物的主要污染特点及形式。 相似文献
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VHF-PECVD法氢化微晶硅薄膜的低温制备 总被引:9,自引:2,他引:7
采用VHF-PECVD方法,以高氢稀释的硅烷为反应气体,低温条件下成功地制备了系列μc-Si∶H薄膜.对薄膜的厚度测量表明:增大激发频率和反应气压能有效提高沉积速率;随着等离子体功率密度的增大,沉积速率呈现出先增后减的变化.薄膜的Raman光谱、XRD及TEM等测试结果表明:提高衬底温度或减小硅烷浓度,可增大薄膜的结晶度和平均晶粒尺寸;等离子体激发频率的增大只影响薄膜的结晶度,并使结晶度出现极大值;薄膜中存在 (111)、(220)和(311)三个择优结晶取向,且各结晶取向的平均晶粒尺寸不同. 相似文献
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