MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.     

从劲舞风波看韩国公司的合纵连横计

最近几个月,无论是九城还是久游网,为了一个<劲舞团>,都多少有点闹心.九城是得而复失,原本一个借"机"下蛋的好买卖,最终竹篮打水一场空,成了镜花水月.久游网是失而复得,本来归属权很明了的一个游戏就因此变得多少有点悬念.而就在这失而复得的空档中,久游网暂停了上市日本的计划,闹出了和韩国T3公司之间所谓的账务纠纷,闹得沸沸扬扬.虽然它一再澄清,但名誉有些受损,经济受困.尽管最后总算拿回了失去的东西,也将恢复在日本的上市计划,但中间的一番波折已经让久游网承受了太多压力和冲击.     

可调波长半导体激光测量台阶高度方法研究

文章在分析台阶高度测量现状和背景的基础上,着重介绍了用半导体激光器实现台阶 高度的绝对干涉测量方案,提出以可调谐半导体激光器作为光源,采用可调合成波长链法实现纳米级精度毫米级量程的台阶高度测量,并详细分析了本方案的原理、误差。     

正交偏振He-Ne激光自混合干涉的实验研究

实验研究了频率分裂激光器中正交偏振态的o光或e光的自混合干涉现象。首先测量了在等光强点只有。光反馈和只有e光反馈时的反馈曲线,然后测量了在。光光强较高的点只有。光和只有e光反馈时的反馈曲线,最后测量了在e光光强较高的点只有。光和只有e光反馈时的反馈曲线。与一般的He-Ne激光的自混合干涉相比,在1个周期中,反馈曲线幅值的变化是一般反馈曲线的2倍多;如果用于测量领域,可以成倍地提高轴向分辨率。     

基于隧道效应的MEMS陀螺仪的研究

提出了一种高精度、低量程隧道陀螺仪的新结构,分析了其结构及工作原理;对陀螺进行了必要的仿真,仿真结果与理论推导相接近,这样就实现了隧道效应传感器的高灵敏度与哥氏力测量角速度原理的结合.采用体硅工艺设计了陀螺仪版图,并对其进行流片加工.加工完成后,采用HP4156C高精度半导体参数测试仪对传感器的隧道电流效应进行了测试,并验证了其测试结果;同时,对结构进行失效分析.     

弹性加力中频差He-Ne塞曼-双折射双频激光器及稳频

为了提高激光干涉仪的测量速度,研制了一种新型塞曼一双折射双频激光器(Z-B激光器),该激光器对增益管加横向磁场和对其"透射反射镜"加外力.采用了弹性加力方案,使其频差比刚性加力He-Ne激光器具有更高的赋值精度,达到±0.2 MHz.同时,还报道了对该激光器进行的稳频研究.利用调谐腔中平行光和垂直光的等光强点作稳频点,以光强平衡为依据设计热伺服控制电路,考虑了成本的最小化和系统的集约化,采用纯模拟元件实现了中频差He-Ne Z-B激光器频率的稳定.对频差5.4 MHz的Z-B激光器的稳频结果为:3 h稳频精度优于2.1xlO-8.     

一种提升楼间对打射灯天线设置精确度的算法及工具

楼间对打等建设方式已在现网中已有较多应用,由于无线环境的复杂性等因素,仅仅依靠设计与优化人员的经验来设定天线的物理参数,已经满足不了网络优化工作的精细化要求,本文提出了基于空间几何原理的一种算法,对天线的方位角,下倾角进行精确计算,为相关工作提供参考与依据。     

新型调频高压电源的研制

介绍了一种采用智能功率模块的调压调频高压电源,详述了其工作原理和工作过程。     

1553B总线控制器双机热备份设计

1553B总线作为一种高可靠的总线技术,广泛应用运用于军事领域。由于1553B总线双冗余备份的只是总线传输通道,而总线上的控制器没有热备份,一旦总线控制器出现故障,则整个总线将瘫痪。主要论述一种利用软件实现总线控制器的双机热备份设计思想和方法,此方法易于实现,效率很高,并有效地防止了工作BC和备用BC的误切换,实践验证,这种设计切实可行,有一定的通用性。