真空技术及应用系列讲座第三讲：机械真空泵

真空技术及应用系列讲座第三讲：机械真空泵张以忱（东北大学）一、机械真空泵的分类及主要性能参量（一）机械真空泵的分类真空泵是用各种方法在某一封闭空间中产生、改善和维持真空的装置。真空泵可以定义为：利用机械、物理、化学或物理化学的方法对被抽容器进行抽气而...     

第十一讲:真空材料

3.4　贵重金属(上接2002年第1期第52页) 3.4.1　铂（Pt） 　　铂是延展性最好的金属之一，其加工容易。表11 给出了铂的性质。 　　表11　铂的性质 性　质温度(℃) 或成形数　　值单　　位 原子序数 原子量 密度 熔点 热导率 线热膨胀系数 布氏硬度抗拉强度 杨氏模量 刚度 电阻率电阻率的温度系数 电子逸出功 退火温度 H2的溶解度 20～100 1100 退火50% 纯度　　 加工50% 纯度　　 退火极纯 的铂　　 冷加工极 纯的铂　 退火 100 0 20 0～100 40078 195.23 21.45 1773 0.17 10.2×10-697～103 18～20 10000～17500 6000～7000 9.8 10.6 0.003923 6.27 800～1200 3×10-2 g@cm-3 ℃ cal　·　cm-1　·　s-1　·　℃-1 ℃-1 kg·mm-2 kg·mm-2 kg·mm-2 kg·mm-2 μΩ·cm℃-1 eV ℃ cm3(NTP)/100g 铂在高温时不与氧反应，当T＞500℃时，铂表面上所有的氧化物均会分解。在700℃以上时，氢能渗入铂中，但其它常见气体则不能。铂不受汞的腐蚀，但在高温下能与碱、卤素、硫、磷反应。除热王水之外，铂可耐一般的酸腐蚀。     

第三讲：机械真空泵（三）

第三讲：机械真空泵（三）张以忱（东北大学）（４）气镇装置的结构与计算１）气镇阀的结构与设置最简单常用的气镇间结构如图９所示。一般均由调节件与逆止间两部分组成。调节件用来控制掺入的气体量。逆止阀是用来防止泵腔内的混合气体压力高于掺气压力时出现返流。图９...     

真空技术及应用系列讲座 第十三讲:真空系统的检测技术

限制真空仪器测量下限水平进一步提高的主要因素,主要有如下4个方面。3.4 .1　真空规管的限制1在热阴极电离规管中,除了软X射线产生光电流以及电解吸等影响外,温度很高的热阴极产生了较高的金属蒸汽压,如一般规管的钨阴极在通常工作温度为2 0 0 0 K时,其蒸汽压相当于氮的10 - 1 0 Pa。2冷阴极电离规管在低压力时存在着放电不稳定、非线性、滞后现象以及电清除能力大等影响。3规管电极和管壳内壁的放气和吸气影响。4大气中氦对玻璃管壳的渗透,氢对不锈钢管壳的渗透。5收集极与其它各电极间的漏电。6在热阴极电离规管中,热阴极对收集极和玻…     

第二十讲 真空离子镀膜

f圆形平面可控电弧蒸发源圆形平面可控电弧蒸发源的原理如图40所示。其磁场由静止的外磁环和往复运动的中心磁柱构成。靶材上方的磁场可分解为水平磁场B//和垂直磁场B⊥。B∥束缚部分电子并使其作圆周运动,致使阴极辉点作圆周运动。B⊥迫使作圆周运动的电子作径向运动,导致阴极辉点的径向运动。     

第二十讲 真空离子镀膜

(接2019年第6期第86页)b对电弧蒸发源的技术要求在正常镀膜气压下(5×10-1Pa),靶电流的可调范围较大(如以直径60mm圆形钛靶为例,靶电流范围35A^100A),而且在靶电流低(靶电流下限)时能稳定弧的运动;在高真空下(10-3Pa),可正常稳弧;磁场可调,靶面弧斑线细腻,弧斑线向靶心收缩且向靶边扩展运动均匀,靶面刻蚀均匀。     

第二十二讲 化学气相沉积（CVD）技术

<正>（接2023年第1期88页）2.1 PECVD技术原理与特征等离子激发的化学气相沉积借助于真空环境下气体辉光放电产生的低温等离子体,增强了反应物质的化学活性,促进了气体间的化学反应,从而在低温下也能在基片上形成新的固体膜。图1是PECVD装置示意图。将工件置于低气压辉光放电的阴极上,然后通入适当气体,     

薄膜热阻微传感器技术

在工业生产中,人们对温度传感器超小型化的要求越来越迫切,而薄膜传感器的出现满足这一要求.薄膜温度传感器由于其优异的性能,在工业生产中越来越得到广泛应用.本文介绍了薄膜温度传感器的特点、种类、应用,着重介绍了薄膜热敏电阻传感器测温机理、膜系、影响其测温精度的主要因素及薄膜热敏电阻主要制备工艺、设备等,并探讨了薄膜热敏电阻的标定方法,最后论述了热敏电阻传感功能薄膜的国内外发展现状及其目前制备热敏电阻传感功能薄膜需要解决的关键技术问题.     

真空技术及应用系列讲座：第十四讲：真空工程用焊接技术

1真空技术对焊接工艺的要求,在真空设备和真空器件的制造加工中，经常采用各种不同的焊接、封接工艺。将各种形状的零部件和不同的材料用不同的焊封接方法连接在一起。要求焊接处必须满足下列要求。     

中频磁控溅射沉积DLC/TiAlN复合薄膜的结构与性能研究

采用中频非平衡磁控溅射沉积工艺,并施加霍尔离子源辅助沉积,在高速钢W18Cr4V及单晶硅基体上制备了梯度过渡的DIE/TiAlN复合薄膜.利用扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、显微硬度计、摩擦磨损仪等分析检测仪器对DLC/TiAlN复合薄膜的表面形貌、晶体结构、显微硬度、耐磨性等性能进行了检测分析.实验及分析结果表明:DLC/TrAlN薄膜平均膜厚为1.1μm,由于薄膜中的Al含量较多,使得复合薄膜的表面比DLC薄膜的表面要粗糙一些;通过对复合薄膜表层的XPS分析可知,ID/IG为2.63.由XPS深层剖析可知,DLC/TiAlN薄膜表层结构与DLC薄膜基本相同,里层则与TiAlN薄膜相似.在梯度过渡膜中,复合膜层之间的界面呈现为渐变过程,结合的非常好.DLC/TiAlN薄膜的显微硬度为2030 HV左右.与DLC薄膜显微硬度接近,低于TiAlN薄膜的显微硬度.但是DLC/TiAlN薄膜的耐磨性要好于TiAlN薄膜和DLC薄膜;DLC/TiAlN薄膜的耐腐蚀性能略好于DLC薄膜.