第二十二讲 化学气相沉积（CVD）技术

<正>化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,CVD）是在一定温度条件下，混合气体之间或混合气体与基材表面相互作用，并在基材表面上形成金属或化合物的薄膜镀层，使材料表面改性，以满足耐磨、抗氧化、抗腐蚀以及特定的电学、光学和摩擦学等特殊性能要求的一种技术。     

第二十二讲 化学气相沉积（CVD）技术

<正>（接2023年第3期88页）（6）电控系统。电控系统由立式电控柜、高低真空量规、数显复合真空计及欧陆温控仪组成，主要用于真空系统的检测和控制、温度的实时测量和控制。可实现30段程序控温，控温精度±2℃，并能做到真空和加热的连锁控制，设备的灵敏性和可靠性高。     

第二十二讲 化学气相沉积（CVD）技术

<正>（接2023年第2期88页）（5）扩大了化学气相沉积的应用范围，特别是提供了在不同的基片制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜有可能性。PECVD的缺点如下：（1）PECVD反应是非选择性的。在等离子体中，电子能量分布的范围宽，除电子碰撞外，其离子的碰撞和放电时产生的射线作用也可产生新的粒子。从这一点上看，等离子体增强CVD的反应未必是选择性的，有可能存在几种化学反应，致使反应产物难以控制。有些反应机理也难以解释清楚。所以采用等离子体增强CVD难以获得纯净的物质。