PSD光电自准直仪工作原理及误差分析

简单概述了基于PSD的光电自准直仪的工作原理,并分析了可能产生的误差原因。     

基于ADINA的某重力坝闸墙动力响应研究

大坝顶部闸墙在强震作用下易震损,变位较大,从而对闸门安全运行产生影响,为此探讨地震作用下坝顶闸墙的动力响应十分重要。应用大型有限元分析软件ADINA建立了典型坝段、地基及顶部闸墙结构的整体三维数值仿真模型,地基采用Mohr-Coulomb模型,坝体和闸墙采用concrete模型,输入人工拟合的地震波研究了两种布置型式的闸墙动力响应和极限抗震能力。结果表明,#2坝段闸墙的结构型式在地震作用下会产生较大的横河向变位,设计地震作用下闸墙横河向最大相对位移已达到6.496 mm,但残余相对位移较小;#2坝段允许承受的地震波峰值为0.22g,此时闸墙底部已发生贯穿破坏,闸墙横河向的残余相对位移为-11.637mm,这可能对闸门的安全运行产生影响。     

基于有线数字电视的一种VOD解决方案

介绍了一种有线电视VOD的解决方案。首先提出了建设VOD系统时需考虑的因素,接着从硬件和软件两方面介绍了该系统组成,最后阐述了该系统易于集成、适用范围广、扩展能力强、便于管理等特性。通过实践表明,该系统完全能满足有线数字电视VOD的各项要求。     

提高液压系统工作可靠性的途径

为提高液压系统的工作可靠性 ,提出了控制污染、油温、振动等有效途径     

去腥增香 我有绝招

海鲜原料的腥味一般都比较重,故在初加工或烹调时,常常会用到姜汁酒、蚝油、豉油、豉汁、蒜茸等调辅料,以达到解腥除腻、去异增香的作用。     

混杂纤维/束高强混凝土的抗冻性

为提高混凝土的抗冻性及促进工业废料的应用,利用快冻法对混凝土试件进行冻融试验,测试冻融前后试件的相对动弹性模量（E_r）和抗压强度,研究单掺玄武岩纤维束（BMF）、双掺短切玄武岩纤维（CBF）和BMF以及在双掺的较优配比基础上继续掺加硫酸钙晶须（CSW）对高强混凝土抗冻性能的影响.结果表明：素高强混凝土（PC）在经历150次冻融循环后的E_r值为52.4%,视为冻融破坏;单掺、双掺和三掺均提高了高强混凝土的抗冻性,三掺的效果最好;当BMF体积分数为0.30%、CBF掺量为0.15%、CSW掺量为水泥质量的3%时,高强混凝土试件（CSW3CBF0.15BMF0.3）的抗冻性最佳,经历300次冻融循环后的E_r值为86.6%,仍未冻融破坏;试件CSW3CBF0.15BMF0.3在经历150次冻融循环后的抗压强度损失率仅为2.5%,远低于PC（30.9%）;CSW、CBF和BMF发挥混掺效应,多尺度阻止了高强混凝土的冻胀开裂.     

东滩煤矿煤层底板岩层阻水能力试验研究

底板岩层压水试验能够获得可靠的底板岩层阻水能力实测数据, 为深部煤层开采底板岩层阻水能力提供量化依据,对东滩煤矿深部煤层底板岩层进行压水测试,获得了大量的实测数据并依此计算出岩层的渗透系数. 试验结果表明测试底板岩层段在原始状态下的渗透性很低,阻水能力较强.研究结果可为矿区深部工作面的安全开采提供重要的参考依据.     

高层建筑节能改造技术研究

针对冬冷夏热地区高层建筑节能改造现状的研究,提出了高层建筑节能改造的关键技术方案和具体措施,从高层建筑物的墙体、地面、屋面、门窗等方面提出了有效的节能改造技术,推进了冬冷夏热地区既有建筑节能改造的进程,提高了已有建筑的节能效率,降低了建筑能耗,增强了建筑物舒适性,保证了城市环境的可持续发展。     

氮气或氧气气氛退火的氧化铪材料电荷泄漏情况研究

本文中, 使用开尔文探针显微镜,研究了不同退火气氛(氧气或氮气)情况下氧化铪材料的电子和空穴的电荷保持特性。与氮气退火器件相比,氧气退火可以使保持性能变好。横向扩散和纵向泄露在电荷泄露机制中都起了重要的作用。 并且,保持性能的改善与陷阱能级深度有关。氮气和氧气退火情况下,氧化铪存储结构的的电子分别为0.44 eV, 0.49 eV,空穴能级分别为0.34 eV, 0.36 eV。 最后得到,不同退火气氛存储器件的电学性能也与KFM结果一致。对于氧化铪作为存储层的存储器件而言,对存储特性的定性和定量分析,陷阱能级,还有泄漏机制研究是十分有意义的。     

Investigation of charge loss characteristics of HfO2 annealed in N2 or 02 ambient

The retention characteristics of electrons and holes in hafnium oxide with post-deposition annealing in a N2 or 02 ambient were investigated by Kelvin probe force microscopy. The KFM results show that compared with the N2 PDA process, the O2 PDA process can lead to a significant retention improvement. Vertical charge leakage and lateral charge spreading both played an important role in the charge loss mechanisms. The retention improvement is attributed to the deeper trap energy. For electrons, the trap energy of the HOS structure annealed in a N2 or 02 ambient were determined to be about 0.44 and 0.49 eV, respectively. For holes, these are about 0.34 and 0.36 eV, respectively. Finally, the electrical characteristics of the memory devices are demonstrated from the experiment, which agreed with our characterization results. The qualitative and quantitative determination of the charge retention properties, the possible charge decay mechanism and trap energy reported in this work can be very useful for the characterization of hafnium charge storage devices.