5Cr2NiMoVSi新型模具钢在锻模上的应用

５Ｃｒ２ＮｉＭｏＶＳｉ系根据前苏联大型锤锻模具钢５Ｘ２ＨＭΦＣ的合金化原理设计、冶炼的一种新型模具材料，具有良好的淬透性、高温强度和抗冷热疲劳性能。本文以左、右支架零件为例，通过对５Ｃｒ２ＮｉＭｏＶＳｉ和５ＣｒＮｉＭｏ两种材料、五套模具的试验对比，论证了两种材料在锻模上的使用效果，从而为５Ｃｒ２ＮｉＭｏＶＳｉ在此类锻模上的应用提供了可靠的依据。     

新型转炉热补料的研究与应用

转炉装料侧、出钢侧、出钢口和炉底受高温作用及钢水与钢渣的化学侵蚀作用,装料侧还受到兑铁水和废钢的机械作用,从而造成局部损坏,导致停炉修补,严重影响炼钢生产。 热态修补料是对炉衬损毁部位进行修补以延长其使用寿命的必需材料。对热态修补料的要求是:高温流动性好,烧结时间短,与母体砖粘结性好。用于转炉装、出料侧(简称“大面”)及出钢口等部位修补的“焦油砂”修补料,存在烧     

基于反应谱的土与结构体系均匀调制过程随机响应分析

 利用功率谱与反应谱的转换关系，建立了均匀调制过程输入功率谱密度函数表达式，提出了分析土与结构相互作用体系均匀调制过程的反应谱分析方法。该方法利用新规范中的加速度反应谱作为目标谱，计算与之相对的功率谱并按该功率谱作为地震输入谱进行土与结构相互作用体系随机地震反应分析，研究表明该方法反映了地震动和相互作用体系的动力特性，是进行土与结构相互作用体系随机地震反应分析的一种有效方法。     

EBZ／H132型掘采一体机的研制与应用

目前，我国一些大型矿井可用于综采开采的工作面已寥寥无几，却留下大量的不规则采区、残采区，“三下”压煤问题也没有解决。因此，研究开发适用于残采区和“三下”采煤的短壁开采装备和技术已迫在眉睫。EBZ／H132型掘采一体机的研制，无疑对延长矿井服务年限，提高资源回收率，稳定职工队伍，保证煤炭工业的持续稳定发展具有现实意义。EBZ／H132型掘采一体机为纵轴式、横轴式截割机构互换的部分断面掘采一体机，纵轴式截割机构用于煤及半煤岩巷掘进，横轴式截割机构用于“三下”采煤及回收煤柱等短壁开采。EBZ／H132型掘采一体机采用本机、离机和遥控三种操作方式，这是我国首次研发的具有独立知识产权、实现了离机遥控操作的掘进机，它的研制成功标志着我国掘进机的研究与制造水平迈上了一个新台阶。EBZ／H132型掘采一体机见图1。     

InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究

利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70~90 nm/min,刻蚀台阶垂直度~80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23 μm×23 μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。     

低水泥结合氧化铝空心球轻质浇注料的研究

针对氧化铝空心球的结构特点,采用低水泥结合、浇注成型的方式,对低水泥结合氧化铝空心球轻质浇注料的可行性进行了研究。经过相图理论计算、性能检测及X-射线衍射分析,结果表明,铝酸钙水泥不仅有利于提高材料的常温强度,并且对材料的高温烧结具有促进作用,材料的主要矿物组成为CA6和刚玉,材料的高温性能良好,使用温度可以达到1650℃以上。     

一种全桥移相ZVS倍压变换器及其参数优化

针对MPM集成高压电源应用场合,提出一种能在较宽负载范围内实现ZVS(Zero-Voltage-Switching)的全桥移相倍压变换器。分析了变换器的工作原理和特性,讨论了电路参数对工作状态的影响以及各参数之间的制约关系,推导出主回路原边电流有效值表达式,建立了变换器的优化设计模型,结合MATLAB优化方法对变换器进行优化,最后用实验证明优化设计的合理性。     

铅酸电池不同板栅负极板性能研究

对铜拉网板栅与铅合金板栅负极板性能的研究,有助于人们更好地利用铜拉网板栅负极板。利用测量电解液中IR降以计算电流密度的方法,测量了两种负极板的电流电势分布。研究表明:与铅合金板栅负极板相比,铜拉网板栅负极板过电位更低,电流电势分布均匀,活性物质利用率高,放电性能好。     

抛光垫使用期对300 mm Si片Haze值影响研究

抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一.由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣.通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高.从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义.