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An improved breakdown voltage (BV) SOI power MOSFET with a reduced cell pitch is proposed and fabricated. Its breakdown characteristics are investigated numerically and experimentally. The MOSFET features dual trenches (DTMOS), an oxide trench between the source and drain regions, and a trench gate extended to the buried oxide (BOX). The proposed device has three merits. First, the oxide trench increases the electric field strength in the x-direction due to the lower permittivity of oxide (eox) than that of Si (esi). Furthermore, the trench gate, the oxide trench, and the BOX cause multi-directional depletion, improving the electric field distribution and enhancing the RESURF (reduced surface field) effect. Both increase the BV. Second, the oxide trench folds the drift region along the y-direction and thus reduces the cell pitch. Third, the trench gate not only reduces the on-resistance, but also acts as a field plate to improve the BV. Additionally, the trench gate achieves the isolation between high-voltage devices and the low voltage CMOS devices in a high-voltage integrated circuit (HVIC), effectively saving the chip area and simplifying the isolation process. An 180 V prototype DTMOS with its applied drive IC is fabricated to verify the mechanism. 相似文献
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一种硅基谐振型压力传感器技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
文章利用硅/硅键合、减薄抛光和IC工艺技术,开展硅基谐振型压力传感器技术研究,解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题,成功地研制出一种硅基谐振型压力传感器样品,在常压下测试其Q值达到400,进一步参数测试还在进行中。 相似文献
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本文所指工程起重机,主要为多节伸缩臂液压汽车式起重机和塔式起重机。由于两者的起重量曲线的来历和具体内容不相同,因而其防超载的方法也不一样。 相似文献
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在图1中,由动臂上的作用力,对铰点A的力矩平衡,得: S'_W=(p·a+G·b-S_p·l_p)~1/l_w(1)动臂变幅绳系统中(图1b) S'_w=S_4+S_5+S_6+S_7=4·s(2) 相似文献
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一种单片集成硅压力传感器的放大控制电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
针对单片集成压力传感器信号的识取和处理,提出了一种高增益、全摆幅的运算放大电路.电路采用两级放大,具有对称的输入结构和全摆幅输出结构.将电路通过计算机软件PSPICE进行模拟,在5V的电源电压下,放大电路开环增益可达到110dB,输出范围可达0.1V~4.9V.利用此电路可以构成仪表放大器,从而进一步设计出集成压力传感器. 相似文献
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