波分复用光开关及最新进展

光开关是当今密集波分复用光通信网络中的关键器件，目前已成为研制开发的热点。文中介绍了几种主要的热门光开关结构及其最新进展情况。     

国内外宽带网应用市场及发展趋势

宽带通信是目前信息化的发展方向，宽带网的发展和市场前景倍受世界各国的关注。介绍了国内外宽带网的应用市场现状及发展趋势，重点介绍了我国的宽带产业与市场。     

光有源集成器件与光模块技术新进展

光通信有源器件及其技术正在向高速率、模块化、集成化、多功能、灵活性、低成本方向发展。光集成器件和光模块已成光通信的热点技术，最近几年取得重大进展。     

激光器最新进展及军事装备动态

激光器是军用光电设备与系统装备的关键器件。由于激光器有体积小、重量轻、亮度高、电光转换效率高、功耗低、低压工作、可直接调制等一系列优点,已广泛应用于军事领域。在光电子军事应用中,激光器的性能优劣决定了光电设备与系统的性能优劣。激光器的发展水平也决定了光电设备与系统的发展水平。     

集成光学在光通信系统中的应用

本文从总体上介绍了当前和未来光通信系统应用的集成光学器件，重点介绍了LiNbO3光调制器及其它传输器件。     

我国超高亮度LED和白光LED产业

我国超高亮度LED和白光LED产业化现状 我国发光二极管(LED)也步于20世纪70年代,80年代形成产业,90年代已具相当规模.在90年代后期,我国超高这度LED产业迅猛发展,经历了进口器件销售一进口管芯封装(1998年前100%进口)一进口外延片制管芯、封装-自主生产四个阶段,现已具有GaAs和GaP单晶、外延片、芯片的大批量生产能力.     

PECVD Si_3N_4膜工艺研究

本文叙述通过射频电场产生的辉光放电等离子体,在200～300℃的温度条件下淀积Si_3N_4膜。给出不同射频功率、淀积温度和Si/N气体浓度条件下得到的淀积速率、腐蚀速率和折射率等实验数据,以及它们对膜质量、膜均匀性的影响。同时还给出红外光谱仪分析膜组分的结果。     

冷轧诱发纯钛板材的表面纳米化

为了探索利用轧制技术实现金属板材表面纳米化的可行性,本文对工业纯钛板材进行了多道次、大压下量和变方向的轧制,并对显微组织和性能进行了测试。结果表明：工业纯钛板材表面形成了等轴状、具有中等到大角度的取向差的纳米晶组织;经过83%压下量轧制的板材表面形成了强化层,其厚度约为20 μm;表面纳米化使纯钛板材的抗拉强度大幅度提高(约860 MPa),而延伸率则明显下降(约为9.5%)。     

在GaAs和InP晶片上用PECVD法淀积Si_3N_4膜

本文报导用PECVD法成功地在GaAs和InP晶片上制作了Si_3N_4膜。文中给出了不同射频功率、淀积温度及Si/N比条件下所得到的淀积速率、薄膜折射率及腐蚀速率等主要实验数据。首次报导直接利用椭圆偏振光测厚仪测量GaAs和InP衬底上所淀积的Si_3N_4膜,同时用红外透射光谱分析了Si_3N_4膜。