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51.
光开关是当今密集波分复用光通信网络中的关键器件,目前已成为研制开发的热点。文中介绍了几种主要的热门光开关结构及其最新进展情况。 相似文献
52.
张瑞君 《光纤光缆传输技术》2005,(3):44-47
宽带通信是目前信息化的发展方向,宽带网的发展和市场前景倍受世界各国的关注。介绍了国内外宽带网的应用市场现状及发展趋势,重点介绍了我国的宽带产业与市场。 相似文献
53.
张瑞君 《中国电子科学研究院学报》2005,(6):6-11
光通信有源器件及其技术正在向高速率、模块化、集成化、多功能、灵活性、低成本方向发展。光集成器件和光模块已成光通信的热点技术,最近几年取得重大进展。 相似文献
54.
张瑞君 《中国电子科学研究院学报》2004,(5):12-17
激光器是军用光电设备与系统装备的关键器件。由于激光器有体积小、重量轻、亮度高、电光转换效率高、功耗低、低压工作、可直接调制等一系列优点,已广泛应用于军事领域。在光电子军事应用中,激光器的性能优劣决定了光电设备与系统的性能优劣。激光器的发展水平也决定了光电设备与系统的发展水平。 相似文献
55.
本文从总体上介绍了当前和未来光通信系统应用的集成光学器件,重点介绍了LiNbO3光调制器及其它传输器件。 相似文献
56.
我国超高亮度LED和白光LED产业 总被引:3,自引:0,他引:3
我国超高亮度LED和白光LED产业化现状 我国发光二极管(LED)也步于20世纪70年代,80年代形成产业,90年代已具相当规模.在90年代后期,我国超高这度LED产业迅猛发展,经历了进口器件销售一进口管芯封装(1998年前100%进口)一进口外延片制管芯、封装-自主生产四个阶段,现已具有GaAs和GaP单晶、外延片、芯片的大批量生产能力. 相似文献
57.
本文叙述通过射频电场产生的辉光放电等离子体,在200~300℃的温度条件下淀积Si_3N_4膜。给出不同射频功率、淀积温度和Si/N气体浓度条件下得到的淀积速率、腐蚀速率和折射率等实验数据,以及它们对膜质量、膜均匀性的影响。同时还给出红外光谱仪分析膜组分的结果。 相似文献
58.
59.
本文报导用PECVD法成功地在GaAs和InP晶片上制作了Si_3N_4膜。文中给出了不同射频功率、淀积温度及Si/N比条件下所得到的淀积速率、薄膜折射率及腐蚀速率等主要实验数据。首次报导直接利用椭圆偏振光测厚仪测量GaAs和InP衬底上所淀积的Si_3N_4膜,同时用红外透射光谱分析了Si_3N_4膜。 相似文献
60.