一种改进型的交直流混合系统潮流计算方法

交直流混合系统潮流计算方法是电力系统的研究热点之一,针对交直流混合系统潮流计算中存在的计算效率低、收敛性较差等问题,提出了一种改进型的交直流混合系统潮流计算方法.该方法根据电路原理和系统结构,建立交直流系统的潮流计算模型,结合潮流方程的非线性及复杂性等特点,使用相对简单的交替迭代方程求解方法,引入具有重启动功能的广义最...     

全麦面条不同制作阶段挥发性风味物质比较分析

全麦熟面加工过程伴随着各种复杂的物理和化学反应,其挥发性风味物质在不同制作阶段香气特征尚不明确。本研究旨在揭示在熟面制作过程中气味物质的变化原因,为开发、改善、生产销售全麦鲜熟面提供指导。本研究采用气相色谱-离子迁移谱( GC-IMS) 联用技术,比较分析全麦粉、全麦生鲜面、全麦鲜熟面样品的挥发性组分。结果显示,共定性识别出55种挥发性风味物质,以醇类、醛类和酮类化合物为主。全麦粉制作成生面过程会加快全麦粉中脂质氧化或是氨基酸分解产生醛、醇、酯。煮制会使全麦面条中醛和醇的溶解和释放,并通过脂质氧化和热分解来调节酯和酮的浓度。以p＜0.05且VIP＞1为标准,共筛选出24种标志性差异化合物,这可能是造成全麦粉、全麦生面、全麦熟面风味差异的主要挥发性风味物质。     

基于WinCC及S7-300的糖浆上浮自动控制系统

针对甘蔗糖厂糖浆上浮工序,基于西门子Win CC V7.0及S7-300系列PLC,设计了甘蔗糖浆上浮自动控制系统,该系统能够实现糖浆上浮工段主要工艺指标的自动控制。糖浆泵、助剂泵、制泡机、拨渣机均使用西门子MM420/430系列变频器进行控制,变频器通过Profibus DP总线同S7-300 PLC通讯。该系统软硬件结构设计科学合理,极大地提高糖浆上浮过程效率及自动化水平。     

烟草中溴菌腈农药残留检测方法及消解动态

为摸清溴菌腈在烟草中的农药残留消解动态规律及残留特征,建立了QuEchERS前处理和气相色谱-串联质谱(GCMS/MS)检测相结合的烟叶中溴菌腈残留量的分析方法。烟叶经乙腈提取,N-丙基乙二胺吸附剂(PSA)净化,气相色谱-串联质谱法检测。结果表明,在0.01~1.0 mg/kg 3个添加水平下,溴菌腈在鲜烟叶和干烟叶中的平均回收率分别为85.8%~94.5%、83.2%~110.0%,相对标准偏差(RSD)分别为1.4%~10.6%、7.3%~14.1%,定量限(LOQ)均为0.01 mg/kg。利用山东和湖南2年2地的溴菌腈在烟叶中农药残留田间试验样品进行了深入研究,溴菌腈在烟叶中的半衰期7.8~14.9 d;按照162 g.a.i./hm²和243 g.a.i./hm²剂量,分别灌根施药1~2次,末次施药14 d后,溴菌腈在烟叶样品中的最终残留量为0.010~0.13 mg/kg。根据烟草青枯病发病条件、发病时期、农药在烟叶中使用情况及OECD农药残留限量计算结果,建议溴菌腈在烟叶中残留限量为0.2 mg/kg,安全间隔期为14 d。     

破解蔬菜覆盖白色地膜杂草丛生难症的良方——33％施田补乳油

蔬菜定植覆盖白色地膜能提高地温、促进蔬菜缓苗。与此同时,由于白色地膜透光性能较好．当田间杂草种子萌芽后,其水、肥、温、光四大因子均适于杂草芽苗的生长与发育。     

开关磁阻调速式车床主轴及其数控方法

介绍了开关磁阻调速式车床主轴的结构、机理及其数控方法.在分析目前车床主轴驱动情况的基础上,提出了用开关磁阻调速驱动车床主轴的机理,并进行了驱动系统结构设计和控制系统设计,同时设计了其数控方法.利用开关磁阻数字无级调速代替齿轮调速,用电机的制动反转功能代替离合器、制动器和机械换向机构.应用结果证明,开关磁阻调速式车床主轴具有无级调速范围宽、稳速精度高、加速减速时间短等优点,是一种简单易行、节能高效的车床主轴驱动方法,在机床领域有广阔的应用前景.     

糖厂蒸发站STD总线工控机自动控制与管理系统

国家技术项目——糖厂应用STD总线工控机对蒸发站进行多回路的生产过程自动控制和上位微机数据管理系统，已得到研制。本文在技术上全面地论述了该系统的构成及生产工艺过程实践中的合理性和可行性。这对提高糖厂的科技水平和经济效益具有深远的意义。     

激光多普勒血流仪对人体经穴皮肤血流灌注量的观察

本文介绍了激光多普勒频移及激光多普勒血流仪的工作原理,并利用激光多普勒血流仪检测了人体经穴皮肤血流灌注情况,同时对各经穴血流灌注量的变化规律及特点进行了讨论.     

含水层储能系统参数的综合分析和优化

阐述了含水层储能系统综合参数的分析和优化,考虑了含水层储能系统各项参数对其性能的影响,用数学公式优化出最佳的储能系统模型,调整各项参数,达到控制含水层储能系统性能的目的。     

新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计

在半导体器件的研制过程中,用计算机数值模拟取代测量方法来优化设计器件的性能参数,则器件的调试周期将显著缩短,费用将大幅度降低。本文简述了新型纳米尺寸MOSFET器件模拟的主要物理模型和数值方法,阐述MOSFET相关器件模拟的国内外研究动态,判断其发展趋势和研究方向。