一种带曲率补偿的高精度带隙基准源

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款低温漂高PSRR的带隙基准电压源。采用全新的曲率补偿电路架构,使输出基准电压源具有超低温漂系数。采用共源共栅电流镜带负反馈的结构,提高了核心电路的PSRR。利用Cadence Spectre EDA软件对电路进行设计和仿真,结果表明,在-40 ℃~100 ℃温度范围内,电路的温漂系数仅为1.8×10-6/℃,电压变化范围小于0.3 mV,在1.85~5 V的宽电压范围内均能正常工作,电源抑制比在低频时高达-111 dB,在1 kHz时也达到-98.07 dB,功耗仅为23.7 μW,非常适合于高性能系统集成应用。     

一种多模式低噪声放大器的设计

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,采用可重构结构,设计了一种应用于北斗、GPS导航系统接收机的可切换双频段低噪声放大器。采用Cadence Spectre RF仿真器进行仿真和验证。结果表明,在1.2 GHz频段,该放大器的增益为17.6 dB,噪声系数为2.8 dB,S11为-11.1 dB,S22为-11.3 dB;在1.57 GHz频段,该放大器的增益为15.1 dB,噪声系数为2.98 dB,S11为-11.7 dB,S22为-10.6 dB。芯片尺寸仅为1 260 μm×844 μm。在1.8 V供电电压下,直流功耗仅为28.8 mW。     

MOCA/环氧树脂体系的固化行为

采用FT-IR、DSC等方法研究了亚甲基双邻氯苯胺(MOCA)/环氧树脂体系的固化行为,并对其固化动力学行为进行了研究。结果表明,体系固化行为与固化温度、固化时间及固化剂的用量有密切关系。其中固化剂的用量以MOCA质量分数在26%~33%为宜。当MOCA含量在28.6%时,最佳固化条件为:由最佳起始固化温度165℃左右缓慢升温到208℃左右恒温固化,最后在258℃左右恒温一段时间使树脂充分固化。其固化反应方程为:-dα/dt=k(1-α)1.15。     

一种有源无源混合的噪声整形SAR ADC

传统无源噪声整形SAR ADC因无源开关电容积分器有增益误差、相位误差而整形能力较弱.在无源噪声整形的基础上,文章设计了一种有源无源结合的噪声整形SAR ADC.该电路融合了低增益OTA和正反馈电路,仅增加少量功耗,基本消除了无源噪声整形模块的增益误差、相位误差.结果表明,该噪声整形10位SAR ADC的带宽为10 k...     

2.5~6.0 GHz信号的体内植入式信道特性分析及建模

该文采用基于有限积分法(FIT)的3D电磁(EM)仿真工具以及源于男性活体CT及MRI切片图像构建的3维人体电磁模型,分析研究2.5~6.0 GHz电磁波在人体内的路径损耗及比吸收率(SAR)特性,考察该频段信号在人体内外通信的有效性并建立相应的信道数学模型。分析结果表明：采用2.5~6.0 GHz频段信号实现人体植入式生物医学电子设备无线通信是可行的、安全的;所建立的改进型幂律函数信道模型能较好地描绘该频段信号在人体内的路径损耗特性,在2.5 GHz 和6.0 GHz频率处信道模型与电磁计算结果的均方根误差(RMSE)分别为2.78 dB和8.30 dB。     

UWB在生物医学电子中的应用研究进展

在介绍UWB技术在植入式和体外生物医学电子系统中的应用研究成果及进展的基础上,分析其在生物医学电子系统中广泛应用所面临关键技术、难点以及可能的解决方法;最后讨论了生物医学电子系统的发展方向,使UWB在生物医学中所需要研究的问题和方向更加具体化和明确化。     

环境射频能量收集技术的研究进展及应用

随着超低功耗集成电路技术的发展,电子微系统的功耗已进入微瓦（μW）级范围,使其利用周围环境中的射频能量为自身供电成为可能。在回顾无线能量传输的历史以及介绍环境射频能量收集的可行性及其应用研究成果和进展的基础上,分析环境射频能量收集在超低功耗电子微系统中广泛应用所面临的关键技术、难点以及可能的解决方法;最后讨论了环境射频能量收集技术的发展方向,使该领域有待于研究的问题和方向更加具体化、明确化。     

Low-noise sub-harmonic injection locked multiloop ring oscillator

A three-stage differential voltage-controlled ring oscillator is presented for wide-tuning and low-phase noise requirement of clock and data recovery circuit in ultra wideband (UWB) wireless body area network. To improve the performance of phase noise of delay cell with coarse and fine frequency tuning, injection locked technology together with pseudo differential architecture are adopted. In addition, a multiloop is employed for frequency boosting. Two RVCOs, the standard RVCO without the IL block and the proposed IL RVCO, were fabricated in SMIC 0.18 μm 1P6M Salicide CMOS process. The proposed IL RVCO exhibits a measured phase noise of -112.37 dBc/Hz at 1 MHz offset from the center frequency of 1 GHz, while dissipating a current of 8 mA excluding the buffer from a 1.8-V supply voltage. It shows a 16.07 dB phase noise improvement at 1 MHz offset compared to the standard topology.     

数模混合信号的测试与仿真

VLSI的发展特别是SoC的出现，对混合信号测试的研究提出了紧迫的要求。结合系统级芯片的可测试性设计技术所面临的技术难点．本文着重讨论了目前现有的各种测试手段及其各自的特点。     

应用于低功耗型专用集成电路的超低功耗高电源抑制比电压基准源

介绍一种超低功耗、无片上电阻的带隙基准源。该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗;采用共源共栅电流镜以提高电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18-μm CMOS工艺进行设计并流片。测试结果表明,在温度范围25℃-100℃内,温漂系数为66 ppm/℃,电源电压范围为1.8V - 3.3V时,电压调整率为0.9%,在100 Hz时,电源电压抑制比为-49 dB。电路功耗仅为200 nW,芯片面积为0.01 mm2。该电路可作为低功耗专用集成电路里的基本模块。