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171.
分析了多线切割机放线排线的重要性,说明了工作原理,给出了其机械结构和控制系统的设计框图。重点研究了切割线位置检测传感器的检测方式,并针对此方案设计相关的控制过程。通过试验论证采用压力传感器式方案控制波动范围小、精确度高。 相似文献
172.
针对东露天煤矿薄煤层的开采工艺涉及的穿孔、爆破、采掘、运输等环节进行讨论与研究。将研究结果应用于实际生产,延长了矿山的服务年限,避免煤的自燃,取得了良好的经济效益。 相似文献
173.
174.
175.
Windows也能批量重命名,禁止键盘上的Power键捣乱,隐藏运行“任务管理器”,让自动拔号靠边站,安全地编辑注册表 相似文献
176.
177.
The four electrodes in the stripline beam position monitor(BPM) for Hefei Light Source(HLS II) storage ring are of axially symmetric type. We have derived a new calibration method of electrode gains for this type stripline BPM. The gain fit error of different data grids was analyzed, and the ±5 mm by ±5 mm grid is the best.The electrode gains of two stripline BPMs(HLS II SR-BD-STLB1 and HLS II SR-BD-STLB2) were obtained based on offline calibrated data. The results show that data after fitting gains are improved, with the electrode gains being between 0.94 and 1.15. 相似文献
178.
数字微镜器件(DMD)代替移动式机械模板作为空间光调制器是Hadamard变换光谱技术的最新发展方向。在实际的工程设计中,投射到DMD上的色散光谱无法被所构造的Hadamard编码模板完美地按照S矩阵进行编码,这一现象将会给光谱反演带来误差。文中提出了一种采用步进系数校正光谱图像的方法,根据像素点在图像上空间位置的不同,在其相应的S编码矩阵中引入一个步进系数进行校正,实验结果表明通过该方法反演得到的光谱图像逼近目标的真实光谱。 相似文献
179.
等离子增强化学气相沉积法制备Si-C-H薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
以SiH4和CH4为气源,在不同的工艺条件下用增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了一系列Si-C-H薄膜,并对薄膜的结构和性能进行了一系列测试分析,研究了薄膜的结构性能特点以及CH4/SiH4比和射频功率等工艺参数对薄膜结构和性能的影响。发现薄膜中主要形成的是嵌有Si晶粒的非晶态SiC结构,H原子主要以C-H键形式存在。高的射频功率和CH4/SiH4比均有利于Si-C的形成,而较低的CH4/SiH4比可以提高薄膜的晶态率。薄膜的电阻率随着CH4/SiH4比的增大而增大,随着射频功率的增大而减小。 相似文献
180.
介绍了大高径比钢锭模的铸件结构及技术要求,详细阐述了生产该铸件的铸造工艺:采用横做横浇工艺,封闭式浇注系统,浇口比为ΣF直:ΣF横:ΣF内=1.4:1.2:(1.1~1.0),选用尺寸为φ50 mm的出气冒口;呋喃树脂砂造型,将球铁芯骨固定在芯盒内,砂层厚度为40~50 mm;大高径比钢锭模采用高炉铁液浇注,出铁温度控制在1 400±20℃,在出铁过程中,向流铁槽内加入粒度为3~6 mm的75SiFe及65MnFe,加入量分别为0.3%~0.5%、0.5%~1.0%,铁液最终成分为w(C)4.1%~4.6%、w(Si)0.6%~1.0%、w(Mn)0.7%~1.0%、w(P)≤0.10%、w(S)≤0.03%;浇注前扒渣3~5次,浇注温度控制在1 260~1 300℃,浇注速度2~3 t/min。最终生产的铸件内壁平直度公差为3~5 mm,内壁光滑,抗拉强度也符合技术要求。 相似文献