系统短路容量对链式STATCOM运行的影响分析

这里通过理论分析和仿真计算,研究了链式静止同步无功补偿器(STATCOM)接入系统的短路容量与运行状态的关系,提出了链式STATCOM能够正常运行的系统条件:系统短路容量必须大于某限值,即接入点最小容量。通过建立链式STATCOM等效电路,推导出链式STATCOM在正常运行状态下所要求的系统最小短路容量计算公式,并通过在PSCAD/EMTDC软件中的仿真算例,验证了系统短路容量对链式STATCOM运行状态影响的分析。     

基于箝位双子模块的MMC-HVDC起动控制策略

分析了基于箝位双子模块的MMC-HVDC正常自励起动过程,将起动过程分为两个基本阶段,即不控充电阶段和可控充电阶段。利用电路原理方法化简了不控充电阶段的系统等值电路,推导了最大充电电流与限流电阻之间的关系,并指出在该阶段由于二极管箝位作用电容无法充电至额定状态。设计了三种可控充电方法以对电容继续充电获取足够的能量,其中方法一利用直流电压控制器和调制均衡策略,而方法二和方法三则通过改变充电回路中等效内电势和等效电容实现电容完全充电。为充分发挥系统故障穿越能力,设计了直流侧暂时性和永久性故障后的系统自动再起动控制时序。在PSCAD/EMTDC中搭建两端有源的MMC-HVDC系统,仿真结果表明所提出的起动控制策略效果良好。     

RF LDMOS功率器件关键参数仿真

在RF LDMOS功率器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是相互矛盾和相互制约的。文中研究了几个参数之间的关系和优化方案。现在RF LDMOS功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠性以及脉冲应用等方向发展。所研制器件采用沟背面源结构,采用场板技术降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压6V、频率520MHz、连续波的测试条件下,输出功率达到5.6W,增益大于12dB,效率大于55%。     

面向可靠性提升的配电网分布式储能规划

本文提出了一种面向供电可靠性提升的配电网分布式储能规划方法.基于路径分析的方法计及环网和开关动作的影响,考虑最优负荷削减,得到各时刻负荷削减量、分布式储能充放电电量,计算系统可靠性指标.其次,采用模拟退火粒子群算法对配置节点分布式储能容量进行优化,优化过程以系统可靠性为目标,得到各节点分布式储能配置容量.最后,针对某地...     

高氮含量的有序氮氧化物介孔材料的研究

通过使用氨气作氮源,氮化介孔氧化硅和含铝氧化硅(SBA-15和Al-MCM-41)的前驱体(含模板剂),成功制备出高氮含量的有序氮氧化物介孔材料。主要氮化条件为:1273～1323K,8～24h.采用 CNH元素分析、红外光谱、Si固体核磁共振谱(MASNMR)、N₂吸附-脱附分析、小角XRD和高分辨透射电镜(HRTEM)进行表征,分析结果表明经过高温长时间氮化制备出的高氮含量(～21wt％)的氮氧化硅和含铝氮氧化硅介孔材料仍然具有高达700～900m²g^-1的比表面积、窄的孔径分布和良好的有序性.     

陶瓷相对锌铝基合金激光重熔区表面硬度的影响

以Zn-35%Al合金为研究对象, 研究了陶瓷相对锌铝基合金激光重熔区表面硬度的影响. 结果表明 含Al2O3陶瓷表层经激光处理后的显微硬度高于表层不含Al2O3陶瓷直接激光处理的试样, 并在过渡区出现了第二个硬度峰值. 采用AES, TEM分析发现, δ-Al2O3相的存在是造成这一结果的主要原因.     

40Cr钢表面纳米层的微观结构

采用高能表面处理技术在40Cr钢表面制备出具有纳米晶体结构特征的表面层。利用透射电子显微镜和穆斯堡尔谱仪分析研究了表面纳米层的微观结构。结果表明，经过高能表面处理后，样品表面层晶粒细化为纳米晶，平均晶粒尺寸约为11nm。表面纳米层表面处渗碳体发生溶解。     

HVDC换流站PLC滤波器设计中的噪声源模型

为设计好HVDC换流站载波噪声滤波器,研究了换流站载波噪声源模型。在分析了换流阀换相产生高频噪声的基本原理后,采用带缓冲回路的换流阀等效模型,用PSCAD/EMTDC仿真贵广工程,得到噪声源的频谱曲线,确定了影响噪声强度的主要因素;修正并验证了确定噪声源强度的经验模型,给出了修正后经验模型中各物理量的计算方法。以贵广工程为例,将修正经验频谱、仿真频谱与文献中给出的实际频谱对比,结果表明,修正经验模型能较为准确地得出换流站噪声源的频谱特性。     

用于高频干扰计算的HVDC换流变压器模型

提出了两种用于换流站高频干扰计算的换流变压器模型.在传统的简单模型的基础上,考虑了换流变压器的绕组间电容和低压绕组的对地电容,提出了综合漏感和分布电容影响的改进模型,该模型在频率大于20kHz的高频段可简化为纯电容模型,同时给出了两种模型中参数的确定方法.最后给出了贵广工程的计算结果,证明所提出的两种模型是可行的.     

烧结方法对MgB2超导体结构和性能的影响

以Mg粉和B粉为主要原料,采用两种烧结方法制备出MgB2超导体.利用x射线衍射仪、扫描电子显微镜、阿基米德法和标准的直流四引线法等,分别研究了样品的物相组成、显微结构、密度和临界电流密度等.研究发现,MgB2块材的密度随Mg粉粒度的增加而降低.与常规烧结相比,快速烧结时MgB2块材的密度较低且含有更多的非超导相,如Mg和MgBx(x=4,6或12).快速烧结MgB2线材的临界电流密度低于常规烧结线材的.结果表明,快速烧结不利于获得高性能的MgB2超导体.