对电梯能效监管的思考和建议

介绍了电梯能效监管工作开展的现状,总结归纳了电梯能效的标准、评价方法以及检验方法、检验设备的国内外研究现状,并对电梯能效监管工作提出几点建议。     

常微分方程差分方法求解的誤差估計及稳定性問題

(一) 设微分方程Y’=f(x,Y),Y(x_0)=Y。的解Y=y(x)满足下列公式其中x_m=x_0+mh,c>0,c~*>0,β_k~*>0,h为步长。表头y_μ满足下列关系 y(x_μ)-y_μ=δ_μ |δ_μ|<δ;μ=0,1,…,k-1。从(1)及(2)得预测式(开式)及修正式(闭式)的差分方程     

热处理工艺对铜锌铝形状记忆合金组织与滚动磨损性能的影响

研究了热处理工艺对铜锌铝形状记忆合金组织和滚动磨损性能的影响。研究表明,常温下,100℃和150℃分级淬火处理后的合金组织以马氏体为主,并有少量β相;100℃:和150℃两级时效处理后的合金组织为完全马氏体。油润滑滚动磨损条件下,100℃分级淬火处理后的合金耐磨性最好,其它依次为150℃两级时效、100℃两级时效和150℃分级淬火处理的合金。合金的磨损机制主要为磨粒磨损。     

多孔SiCO陶瓷中SiC纳米线的原位合成及生长机理

采用聚氨酯海绵为多孔模板, 浸渍有机硅树脂后在Ar气氛中原位合成了SiC纳米线。采用TG、XRD、SEM和TEM等分析测试手段对样品进行了表征, 研究了保温时间对合成SiC纳米线的影响, 并探讨了SiC纳米线的生长机理。研究结果表明: SiC纳米线生长在多孔陶瓷中, 纳米线长度达几十微米, 单根纳米线的直径不均一。SiC纳米线的生长机理为VS生长模式。随着保温时间的延长, 纳米线的数量增加, 形貌发生了变化, 且多孔陶瓷的比表面积明显增大, 体积电阻率降低。     

负热膨胀填料钨酸锆对环氧封装材料性能影响

由于封装材料与电子元件线膨胀系数差异大,成型后造成开裂、空洞和离层等缺陷,采用化学固相分步法制备的高纯度负热膨胀材料钨酸锆(ZrW2O8)颗粒作为填料,制备ZrW2O8/E-51及SiO2/E-51电子封装材料,测试了不同种类和含量的填料下封装材料线膨胀系数、显微硬度、玻璃化转变温度及磨损性能。实验结果表明:随ZrW2O8含量的增加,ZrW2O8/E-51材料线膨胀系数不断下降,显微硬度不断提高。ZrW2O8/E-51材料的磨损性能优于SiO2/E-51材料,磨损机理主要是粘着磨损和疲劳剥落,后期发生了磨粒磨损。     

Cr-Ni-Co奥氏体堆焊材料的空泡腐蚀行为

采用一种新型的Cr-Ni-Co奥氏体堆焊材料用钨极氩弧焊(TIG)堆焊到304不锈钢表面,将堆焊层与304不锈钢基体做对比,在人工海水的条件下利用超声波振动设备对两种材料进行耐空泡腐蚀试验,用失重法评价两种材料的抗空蚀性能,对Cr-Ni-Co堆焊层不同时间的空蚀形貌用扫描电镜(SEM)进行跟踪观测.结果表明,与304不...     

CuZnAl形状记忆合金弹簧的应用研究

应用CuZnAl形状记忆合金的感温-驱动原理,制作了太阳尾随模拟装置,探讨了该系统中形状记忆合金弹簧的设计原理及方法。同时采用定量金相、电子探针、电阻法、X射线衍射等方法,研究了加入复合稀土及热处理工艺对CuZnAl形状记忆合金中马氏体稳定化的影响。实验结果表明,形状记忆合金弹簧材料的应力-应变曲线是非线性的,弹性模量等不是常数,而是随温度变化的,所以设计原理主要考虑温度的因素,并对防止发生马氏体稳定化的原因进行了论述。     

相变温度对CuZnAl形状记忆合金干磨损性能的影响

研究了相变温度对复合细化后的CuZnAl形状记忆合金干滑动摩损性能的影响,结果表明：同样的热处理工艺,在摩擦副温升不大时高温相变合金比低温相变合金耐磨,摩擦副温升较大时,低温相变合金耐磨性优于高温相变合金。合金的磨损失重机制为粘着磨损、剥离磨损和犁削磨损。     

连铸机结晶器倒锥度自动检测手段的探讨

武钢二炼钢厂目前对连铸机结晶器倒锥度的检测办法是定期停机人工采样，因此，研究结晶器倒锥度检测仪的工作迫在眉睫。本文对此项工作作一初步探讨。     

不同磨损介质下铜锌铝形状记忆合金滚动磨损性能与磨损机制研究

研究了3种成分铜锌铝形状记忆合金在不同磨损介质下的滚动磨损性能，用扫描电镜对磨损表面进行了观察，分析了不同介质下合金失重机制。结果表明：油润滑条件下，不同相变温度的合金耐磨性有差异，马氏体相合金比β相合金耐磨，其失重机制主要为磨粒磨损；在酸、碱条件下，合金的相变温度对舍金的耐磨性几乎没有影响，原因在于酸、碱破坏了合金磨损表面的组织，使其不能发挥形状记忆合金所具有的应力诱发马氏体相变和马氏体的择优取向的特性，其磨损失重机制主要为粘着磨损和腐蚀磨损。