计及分布式发电的配电网协调规划整体框架与模型

结合我国能源特点及可持续发展战略,从优化配置资源、提高资源利用效率、实现社会效益最大化、推动电力工业与经济、环境和谐发展的角度出发,通过对分布式电源(DG)出现与并网运行带给配电系统的利弊分析,指出DG与配电网之间经协调规划,完全可以使双方实现“共赢”。提出了一种DG与配电网规划,的新模型,并引入罚因子指导DG的投资建设及共同承担规划风险。最后,还提出了采用协调发展系数对电力规划进行评估。     

稀土La2O3改性脲醛树脂的黏度特性研究

脲醛树脂(UF树脂)胶黏剂具有胶合强度高、制作简单、成本低廉、原料来源丰富等一系列特点,成为我国人造板生产的主要胶种,是市场上需求量最大的胶黏剂之一.但由于在固化时会放出刺激性的甲醛,游离甲醛高,在使用时严重危害人的健康.近年来,随着人们环保意识的提高,生产和使用低毒UF树脂胶势在必行.本文介绍了稀土氧化镧对脲醛树脂的...     

基于SWMM模型的南京典型易涝区暴雨内涝模拟

选取南京市易涝区—鼓楼区广州路段为研究区,构建基于SWMM的一维雨洪模型,利用南京市2011年\"7·18\"暴雨资料,模拟暴雨形成的内涝情况,拟合地表积水量与最大积水深度的函数关系,计算得到易涝区积水开始时间、积水持续时间、最大积水深度,并与南京市100年一遇设计暴雨形成的积水过程进行比较。结果表明:提出的快速推算最大积水深度的方法能够较高精度地实时动态计算研究区\"7·18\"暴雨形成的积水过程,及时有效支撑防洪除涝应急决策;相较于\"7·18\"暴雨,100年一遇设计暴雨形成的易涝区最大积水深度更深,积水持续时间更长。     

三级流水线RISC-V处理器设计与验证

RISC-V作为一种开源精简指令集架构,自发布以来便得到了大量关注。设计了一种三级流水线的RISC-V处理器。其中,采用静态预测BTFN技术处理流水线执行中的分支情况,采用前向旁路传播技术解决数据冒险问题,同时,采用资源共享的办法,复用寄存器堆、加法器、选择器等模块,使设计面积得到一定的优化。在VCS和Verdi等EDA工具中,使用RV32I整数运算指令集对处理器进行了仿真测试,结果表明,所设计的处理器功能正确,达到预定目标。     

一种新的相位角编码量子进化算法

针对具有连续解空间的数值函数优化问题,基于量子算法和实数编码进化算法的思想,提出一种新的相位角编码量子进化算法(PAQEA).算法的概率表达特性使得量子染色体能够以一定概率表达优化问题的所有可行解,结合动态量子旋转门实现染色体的进化,实现了算法局部搜索与全局搜索的平衡.理论分析证明了算法的全局收敛性.仿真结果表明,该算法适用于复杂数值函数优化问题,具有收敛速度快、搜索能力强和稳定性高的特点.     

德国能源转型协奏曲

正德国的能源转型目前仍处在起步阶段,但历史将证明,这跨越40年的宏大乐篇,注定是既对比又融合,既昂扬奔放又婉转低回的协奏曲。德国这个以机械工业闻名于世的国家,在能源发展问题上也有着眼全局、谋划长远的战略思维。2010年,德国联邦政府出台了《能源法案》,标志德国正式开启能源转型的漫漫征途。德国联邦经济和技术部部长菲利普·罗思乐博士曾撰文提及马     

GCr15钢中网状碳化物在锻造及热处理过程中的形态变化

GCr15热轧不退火材经中频感应加热下料,锻造为轴承套圈,经喷雾冷却、球化退火及淬火后,检验网状碳化物,结果表明,由于中频热切下料加热温度低,时间短,不足以改变热轧材原始组织的分布特征。高温锻造后所形成的网状碳化物与热轧不退火材成分偏析、碳化物不均匀所导致的网状碳化物相比,往往存在网孔尺寸、网壁厚度及分布形态上的明显差异,这些差异可作为判别轴承网状碳化物超标的原因和依据。     

高炉入炉焦/风口焦微观结构与气化反应性对比

以同一座高炉2次休风所取的入炉焦和风口焦为研究对象,采用XRD、SEM-EDS、N2吸附、热分析等方法比较分析不同样品的碳化学结构、碱金属富集程度、孔隙结构、CO2气化反应性,探究了焦炭在高炉中反应性变化程度和影响因素.结果 表明:风口焦炭与入炉焦炭相比,气化反应性显著升高,比表面积增大,碳结构有序化程度升高,碱金属含...     

退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究

实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明：相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。     

基于RISC-V芯片的内置Flash自编程实现方式

对现有的两种Flash自编程实现方式进行了分析,发现其设计实现都比较复杂。在新的应用背景需求下,基于RISC-V芯片的实现方式,提出了一种简单高效的Flash自编程方法。硬件设计在不改动原有Flash控制器架构的基础上只增加了几个自编程的控制寄存器和控制状态机。详细描述了实现方法和流程,并验证了功能的正确性。其整体硬件设计结构简单,操作流程方便快捷。