聚焦离子束装置中的工件台及控制系统

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,得到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是精密工件台的使用。     

一种Ad Hoc网络的多路径路由算法

针对移动Ad Hoc网络,研究了一种多路径的路由算法。该算法是在AODV算法基础上建立起来的,有效地利用了AODV算法中中间节点接收到的重复的RREP建立起多路径的路由,其优点是当一条链路失败时,节点可以从后备链路中选取一条而不会影响到其他的链路通信。并且当路由发生断裂后,该算法可以尽可能地进行本地修复,以保证多路径的数据通信。仿真结果表明建议的路由算法在路由延迟等方面比现有的AODV路由算法有更好的性能。     

全光网的关键技术及其发展前景

文章首先简要介绍了全光网(AON)的基本概念,接着重点介绍了AON中的关键技术,描述了AON的发展趋势,最后,提出了AON面临的挑战。     

基于S3C44BOX的嵌入式Socket通信设计

阐述了嵌入式系统的概念及嵌入式网络通信系统的结构。给出了基于嵌入式微处理器S3C44BOX完成具有以太网络接口的嵌入式网络通信系统的电路设计方法，同时给出了在一个裁剪的uCliunx操作系统环境下实现系统与主机Socket通信的应用端用户程序。     

Fabry病肾活检组织的超微结构观察

Fahry病（Fabry disease,FD）是一种十分罕见的X染色体连锁遗传的α-半乳糖苷酶缺乏性疾病，常引起全身多脏器损害。本文对1例Fabry病肾活检组织的超微结构进行观察，并结合文献对该病的临床表现、组织形态学、治疗及预后进行探讨。结果显示：光镜下肾小球、肾小管、肾间质及血管等多种细胞内均见多少不等的泡沫状微小空泡，其中以肾小球脏层上皮细胞和远曲小管、     

SiO_2:nm-Ag的制备及其结构特性

采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石英形式出现,银簇较大且分散。     

磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究

用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。     

两种扩束透镜光纤的研制与模场分析

介绍了两种对光纤端面进行修饰以扩大模场直径（MFD）的方法（加热扩散法和熔接透镜光纤法）。利用刀片远场扫描法对单模光纤（SMF）、加热扩芯光纤（TECF）与熔接透镜光纤（GIF）这两种修饰后的高斯分布光纤进行了测量比较。验证了其模场直径分别为10．700μm,13．129μm和12．7l7μm。并针对实际问题作出修正，通过对单模光纤以及上述两种扩束透镜光纤的分析，得到了相当合理的结果。说明这两种端面修饰法确实能起到扩大模场直径同时又不破坏模式分布的作用。并且验证了修正后的刀片法用于测量修饰后的光纤的各参量是非常有利的。     

A Ka-band 22 dBm GaN amplifier MMIC

A Ka-band GaN amplifier MMIC has been designed in CPW technology,and fabricated with a domestic GaN epitaxial wafer and process.This is,to the best of our knowledge,the first demonstration of domestic Kaband GaN amplifier MMICs.The single stage CPW MMIC utilizes an AlGaN/GaN HEMT with a gate-length of 0.25μm and a gate-width of 2×75μm.Under V_ds=10 V,continuous-wave operating conditions,the amplifier has a 1.5 GHz operating bandwidth.It exhibits a linear gain of 6.3 dB,a maximum output power of 22 dBm and a peak PAE of 9.5%at 26.5 GHz.The output power density of the AlGaN/GaN HEMT in the MMIC reaches 1 W/mm at Ka-band under the condition of V_ds=10 V.     

混合光环晶格的实验研究

混合光环晶格是由束腰半径相同、拓扑电荷数分 别为整数和分数的两束拉盖尔-高斯(LG,Laguerre-Gaussian)涡旋光束共轴叠加 而成。本文理论模拟产生了混合光环晶格,包括混合亮环晶格和混合暗环晶格;基于共轭对 称延拓傅里叶 计算全息生成了混合光环晶格的全息图,并利用反射式空间光调制器(SLM),光电再现了高 质量的混合光环 晶格,实验结果与理论模拟一致。研究表明,混合光环晶格可以揭示拓扑电荷数的变化对 光环晶格的光束 分布影响,对深入理解复合涡旋光束提供了实验依据。