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针对置换流水车间调度问题,以最小化总流水时间为目标,提出了一种新颖的两阶段分布估计算法。第一阶段先利用NEH(Nawaz-Enscore-Ham,NEH)启发式构造一个较优的初始个体,然后随机生成初始种群,为保留种群的多样性,提出一种择优机制来选择个体并建立概率模型,同时在当代种群中利用精英机制保留当代种群中的最优解,最后利用概率模型采样并生成下一代种群。第二阶段采用插入、互换操作算子对第一阶段得到的最优解进行邻域搜索,来提高分布估计算法的全局搜索能力,阻止其陷入局部最优解。通过对算例进行实验、对比和分析,证明该算法的可行性和有效性。 相似文献
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以山西阳泉铝土矿为原料,分别细磨至粒度为0.147~0.075、0.075~0.044和≤0.044 mm的粉体,加结合剂混匀后压制成坯,干燥后在电炉中分别于1 550、1 580、1 600、1 650和1 700℃保温3 h煅烧。研究了不同粒度矾土矿的烧结情况,并用XRD和SEM对烧后试样的相组成和显微结构进行了研究。结果表明:Al2O3含量为84%(w)的Ⅰ等铝土矿细磨至0.075~0.044 mm,1 600℃煅烧3 h后可达到最佳烧结状态。刚玉晶体发育完整,晶粒大部分呈长柱状,晶粒间结合紧密,杂质均匀分布在晶界的玻璃相中。研磨至0.044 mm以下的矾土,煅烧后晶粒内部形成大量封闭气孔,导致体积密度下降。 相似文献
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采用凝胶结合氧化铝空心球耐火材料与传统磷酸盐结合、水泥结合的氧化铝空心球耐火材料的性能对比分析,发现采用磷酸二氢铝作为结合剂的耐火材料试样常温强度源于磷酸盐的粘结作用,经过高温烧成后试样中磷酸铝的不均匀分布不利于试样烧结致密化。水泥作为结合试样常温强度源于水泥矿物的水化作用,而水泥中的杂质成分促进了试样在高温处理过程中液相的形成。而采用凝胶结合氧化铝空心球耐火材料的常温强度是源于二氧化硅凝胶在结构中所形成的网络结构。经过高温处理后的试样中,形成高熔点的莫米石相,结构中形成的刚玉和莫来石的复相结构提高了材料的热震稳定性.试样热震后强度保持率最高。 相似文献
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为改善低品位Mg基材料高温性能,采用烧结Mg砂、金属Al粉、单质Si粉和Al2O3粉为主要原料,制备了Mg-α-SiAlON/MgO复合材料。通过XRD、SEM及EDS等检测手段,研究了不同原料质量分数及氮化温度条件下Mg-α-SiAlON/MgO复合材料中Mg-α-SiAlON的原位合成,结合热力学分析确定了合成Mg-α-SiAlON的气氛条件并分析了合成Mg-α-SiAlON的反应机制。结果表明:1 550℃时的氮、氧分压满足合成Mg-α-SiAlON的热力学条件。当烧结Mg砂粉、Al粉、Si粉和Al2O3粉的质量分数之和为40wt%时,1 550℃保温3 h氮化后的Mg-α-SiAlON/MgO复合材料中板片状Mg-α-SiAlON相生成量最高可达32.1%,且相互交错构成骨架,将低熔点物相包裹其中。利用烧结Mg砂原位氮化制备Mg-α-SiAlON/MgO复合材料,有利于提高Mg基材料的抗热震性能。 相似文献
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以轻烧氧化镁粉、工业氧化铝为原料合成电熔镁铝尖晶石材料,重点研究二氧化钛为添加剂对电熔合成镁铝尖晶石的物相组成,显微结构的影响,通过XRD,SEM分析试样的物相组成、晶胞参数和断口的微观形貌.研究发现:二氧化钛为外加剂可以增大镁铝尖晶石的晶胞参数、提高材料的体积密度进而改善材料的烧结性能,并且随着二氧化钛加入量的增加镁铝尖晶石的晶胞参数和晶胞体积呈现先增大后减小的变化规律.分析认为由于二氧化钛、钛酸镁固溶到镁铝尖晶石中促使镁铝尖晶石的晶胞参数和晶胞体积增大,而过量的钛酸镁位于晶界阻碍镁铝尖晶石的长大,导致镁铝尖晶石的晶胞参数和晶胞体积减小.在电熔法制备镁铝尖晶石时,二氧化钛的加入量不宜超过5wt%. 相似文献
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采用Si粉、AL粉、α-Al<,2粉、棕刚玉颗粒料和细粉、广西粘土等于1450℃保温3h,通氮气下氮化反应合成了β-Sialon,制备了β-Sialon结合刚玉砖.研究结果表明:目标Z值取2.75~3.00范围内可制备合成率较高的β-Sialon;氮化烧结温度在1500~600℃,采用密封烧结时,广西粘土适合加入量在2%左右;当采用埋碳烧成时,广西粘土适合加入量在1%~1.5%,可以制成性能优良的高炉陶瓷杯砖. 相似文献
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以硅灰、白炭黑、硅溶胶为硅源,炭黑为碳源,采用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析,探讨了合成温度(分别为1 400、1 450、1 500、1 550℃)、硅源、n(C)∶n(SiO2)对合成碳化硅晶须的影响.结果表明:n(C)∶n(SiO2)为2.4~3.6,合成温度为1 500 ℃,保温3 h时,硅溶胶与炭黑反应没有生成碳化硅晶须,硅灰、白炭黑与炭黑反应均生成碳化硅晶须;以硅灰为硅源合成碳化硅晶须的质量及数量明显优于以白发黑为硅源合成碳化硅晶须;合成碳化硅晶须的最佳n(C)∶n(SiO2)为3.3. 相似文献