松竹呢系列产品的开发与试制

随着纺织工业的迅速发展 ,人们对着装意识开始转向高档化、舒适化和多样化 ,为提高产品的档次 ,增加技术含量 ,满足消费者的要求 ,我厂利用现有设备采用不同原料 ,成功地开发了松竹呢系列产品 ,该产品经过纺纱、织造、染整处理后 ,不仅具有合纤的耐磨、免烫 ,抗起球等特性 ,而且具有仿麻感 ,染色性能好的优点 ,是制作高档服饰的理想产品。此产品已荣获 2 0 0 0年全国新产品优秀设计奖。1　产品风格松竹呢产品是利用不同混比的混色、非混色、中长涤粘纤维进行混纺 ,采用不同纱号、不同捻度及不同节距、节长的竹节纱进行交捻 ,产生弓形竹节…     

王府井大街的消费者行为与商业空间结构研究

运用统计方法对笔者在王府井大街展开的消费者行为调查进行了基本分析和以地块为分析单元从空间角度探讨消费者的行为特征。通过对消费者行为吸引要素的分析建构了消费者地块选择模型,运用模型分析消费者特征路线,在此基础上对王府井大街的商业空间结构进行了评价。最后,对于王府井大街完全步行化后的人流进行模拟,分析实施后的效果。     

基于参观者行为模拟的空间规划与管理研究——青岛世园会的案例

2014年青岛世园会参观人次众多,需要对参观者行为进行模拟分析,以保证活动安全,提升游客体验。研究提出了通过行为模拟支持规划评价、预警及对策的技术框架。利用路径调查与陈述偏好调查获得参观者行为数据并建立模型,进而在多个情景下对个体行游轨迹进行了模拟仿真,分析预测了参观者排队、密度等参数的时空分布情况。在针对不同类型的评价对象提出各自评价指标的基础上,从模拟结果中辨识可能存在的问题,并从规划与管理两方面提出预警及优化对策。研究证明了对大型展会活动开展参观者行为模拟的技术框架的可行性,其结果对本次世园会具有一定的实践指导意义。     

关于做好桥梁工程的安全质量管理分析

随着科学技术的飞速发展和人们生活水平的不断提高,当前人们逐渐对桥梁施工工作重视起来。众所周知。桥梁施工控制工作和桥梁施工安全管理工作是我们在进行桥梁建筑施工过程中的重要组成部分和重点施工环节,因为桥梁施工质量好坏直接影响着整个桥梁质量的优劣,其也在一定程度上影响着桥梁使用寿命和桥梁运营安全等,所以我们应该对桥梁施工进行科学合理控制且也要对安全管理问题等加以关注。     

E/D PMOS中的几种电路结构介绍

本文阐述了E/D PMOS工艺应用于电路设计的特点，重点分析几种常用的电路结构。     

上海市郊区居民商业设施使用特征及规划应对——以莘庄地区为例

城市人口不断郊区化及郊区人口使用商业设施的独特性对城市商业设施的布局产生影响.选取上海市近郊莘庄地区为研究地域,从居民群体特征着手剖析了不同区位商业服务设施的需求特征,运用交叉分析方法分析不同居住时间、不同工作地点及收入等因素的群体居民的商业设施使用强度差异,继而对不同郊区化阶段的商业设施配置规模和类型进行探讨,研究成果对完善郊区化快速发展下的商业服务设施规划具有理论和实践意义.     

基于消费者行为模拟的商业综合体空间优化策略

摘要　商业综合体的既有研究对消费者行为规律的关注不足。旨在从微观视角揭示空间环境对个体活动的影响,通过 对消费者行为的模拟实现商业综合体的空间优化。基于实际的消费者行为个体数据拟合空间行为模型,在此基础上提 出“一般性模拟”的方法,构建一系列对照性的虚拟情景,控制其他要素,只在特定的设计模式和手法上进行比较, 包括主力店与一般店的关系、不同的平面形态和客流动线、竖向网络联系、出入口的分布等。通过个体模拟,比较了 这些具有导则性质的优化策略所导致的消费者行为的差异,为评价其空间绩效提供更加客观的量化依据。     

用沙坝矿多中段开采矿区稳定性分析

为配合开磷集团做大做强的目标要求,用沙坝矿生产能力要提高到200万t/a,需多个中段同时开采才能实现。同时开采2～5个中段,需要充填采矿区,以控制矿区的沉降量。通过有限元计算,并对计算结果进行了稳定性分析,达到了提高矿区开采安全性,实现多中段安全开采的目的。     

南京东路消费行为的空间特征分析

根据对上海市南京东路消费者调查所获数据的分析,以地块为分析单位从空间角度探讨消费者的行为特征,包括人流,停留次数,消费金额,人均消费金额等要素的空间分布的基本特征以及入口、回游、出口各阶段的空间特征,以进一步认识消费行为的复杂性和影响因素的多样性.     

600 V高低压兼容BCD工艺及驱动电路设计

基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内3μmCMOS工艺基础上,开发出8～9μm薄外延上的600VLDMOS器件及高低压兼容BCD工艺,并设计出几款600V高压半桥栅驱动电路。该工艺在标准3μm工艺基础上增加N埋层、P埋层及P-top层,P埋层和P阱对通隔离,形成各自独立的N-外延岛。实验测试结果表明:LDMOS管耐压达680V以上,低压NMOS、PMOS及NPN器件绝对耐压达36V以上,稳压二极管稳压值为5.3V。按该工艺进行设计流片的电路整体参数性能满足应用要求,浮动偏置电压达780V以上。