企业信息自动化的解决方案与策略

在分析企业信息自动化若干技术问题的基础上,详细阐述了组建基于Web的SCADA控制网与企业信息网Intranet无缝连接的企业信息自动化网络解决方案。     

尖晶石型软磁铁氧体纳米材料的制备研究进展

介绍了软磁铁氧体纳米材料的特性,综述了近年来具有尖晶石结构的软磁铁氧体纳米材料的制备方法。其中包括:化学共沉淀法,水热法,溶胶-凝胶法,喷雾热解法,微乳液法,相转化法,超临界法,冲击波合成法,微波场下湿法合成,爆炸法,高能球磨法,自蔓延高温合成法等。详细介绍了各种制备方法的特点,研究进展及其发展趋势。     

中国8位微控制器市场一瞥

随着CMOS IC生产工艺的不断进步,目前技术上已经进入深亚微米阶段,可以把复杂的微控制器(MCU)内核集成在一块芯片上,同时留有足够的硅片面积用于实现复杂的存储器和外设逻辑,过去用于高端32位和64位CPU的设计方法和架构现在已经能够有效的用于低价8位微控制器系统.利用这些功能强大而且便宜的微控制器,全系统的集成度不断提高.硬件结构可执行更复杂高效的程序,集成更多的硬件功能.应用领域和市场容量越来越大.     

圆片级封装散热问题

本文结合低功率和高功率应用中不同散热要求,对圆片级封装系统散热特性进行分析。     

NO分子A^2∑（v’=1）→X^2∏（v”=1～11）跃迁的激光诱导荧光光谱

用Nd1YAG激光器泵浦光学参量发生放大器做激发源，利用激光诱导荧光光谱技术得到NO分子在200～370nm范围内的荧光光谱，谱线峰值归属于A^2∑(v’=1)→X^2∏(v”=1,3～11)跃迁，用最小二乘法拟合获得NO分子X^2∏态振动常数，计算出平衡位置的力常数k。通过测量NO分子在不同气压下A^2∑→X^2∏跃迁的时间分辨谱，得到A^2∑(v’=1)态的自然寿命为180ns。结果可为用激光诱导荧光光谱技术探测大气污染物NO分子提供理论及实验参考。     

色散补偿及EDFA增益均衡的一体化

提出一种新的色散补偿及EDFA增益均衡的一体化方法。在10Gb／s的光通信系统和600km G652光纤中首次实现了基于16个碉啾光纤布拉格光栅(FBG)的色散补偿及掺饵光纤放大器(EDFA)的增益均衡。16个FBG的波长间隔为1．6nm，波长覆盖C波段1529～1556nm约27nm的范围。经600km G652光纤传输后，10Gb／s的NRZ码传输功率代价小于2dB。     

双极RF功率管的深阱结终端

给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d B     

多晶硅衬底上的RF MEMS开关

在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关     

电子束直写邻近效应校正技术

通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程，探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径。实验结果表明：邻近效应现象是一种综合效应，可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响，使邻近效应校正达到预期的效果。