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李秀清 《冶金标准化与质量》2004,42(2):40-42
针对连铸连轧薄板存在中心偏析、纵向裂纹、表面纵理解、表面夹渣等主要质量问题 ,结合其生产工艺采取相应的质量控制 ,从而提高薄反产品质量 ,增强其在钢铁市场的竞争力。 相似文献
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<正> 众所周知,目前所有的信息处理与存储工作都是由硅实现的,由此可见硅材料的重要性。然而再看看电路板我们就不难发现,电路板上的大部分空间处于闲置状态,电路板空间的利用率极低。封装只能够增加体积、重量和成本,而且同时还可能降低硅的性能。幸运的是,一种新型封装技术正在改变着电路板的这种状况。 影响封装的最大因素是封装的效率,也就是硅片面积与封装引脚面积之比。某些插针网格阵列 相似文献
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亚洲加速MEMS研发和微系统组装 总被引:2,自引:0,他引:2
亚洲是全球微电子产品增长较快的地区。MEMs是业内人士公认的21世纪的新的技术增长点,而封装技术在微电子与MEMS制造中发挥着越来越重要的作用。本文论述了亚洲,尤其是中国和中国台湾在MEMS研究与微系统组装技术领域的发展现状与趋势。 相似文献
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介绍了应变层GexSi1-x/Si异质结构的生长,材料特性及其在异质结双极晶体管(HBT),双极反型沟道场效应晶体管(BICFET),调制掺杂场效应晶体管(MODFET),谐振隧道二极管,负阻效应晶体管(NERFET),毫米波混合隧道雪崩渡越时间(MITATT)二极管入和光电探测器等器件中的应用状况,并指出了其发展前景。 相似文献
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报道了具有最高单位电流增益截止频率(fT)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作,器件的fT值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层电阻(Rbi)17kΩ/□,发射极宽0.9um,该器件用SiGe作基底材料,采用多发射极双极工艺制作,其75GHZ的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍,45nm基区中的Ge是缓变的,这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场,因而本征渡越时间仅为1.9ps。 相似文献