我国高岭土矿中铁杂质特征及除铁技术研究进展

在我国产业转型升级的背景下，高岭土消费量迅猛增长，需求结构快速向中高端演化。然而，以煤矸石为代表的富铁高岭土资源加工利用难度大，优质高岭土产品的短缺问题已经出现，加快推进绿色高效除铁技术的发展迫在眉睫。在明确现代工业对高岭土含铁量要求的基础上，概述了我国高岭土资源的特点，分析了典型高岭土资源中铁杂质含量与赋存形态，系统介绍了物理法、化学法、生物法等除铁技术的原理与进展情况，并通过对比分析指出了未来除铁技术可能的发展方向，以期为我国高岭土产业链的提质升级提供参考。     

渗透蒸发技术在食品工业中的应用

渗透蒸发技术是指被分离物通过膜时,在膜两侧组分的蒸汽分压差作用下,液体混合物部分地蒸发,从而达到分离目的的一种膜分离方法。     

Internet的整体效应及前景

Internet的整体效应是与在Internet网上的同等数量的单台计算机的功能相区别的重要的标志。广义地讲,Internet的各种功能,都是它的整体效应,而非单台计算机所能完成。例如Internet的各种服务功能,不管是电子邮件、文件传输、还是远程登录,都是它的整体效应的某种表现。正是因为Internet有整体效应,它才能成为一个无限增长的全世界的最大的信息资源。     

河南省鹤壁地区地幔捕掳体中尖晶石的矿物化学特征及其地质意义

河南省鹤壁地区位于华北克拉通东部破坏区与西部相对稳定区的过渡带上,出露有大量的地幔捕掳体,是研究华北克拉通的一个地幔窗口。本文分析了鹤壁地区土门金伯利岩和新生代上峪橄辉玢岩所携带的地幔捕掳体中尖晶石的矿物化学特征,并探讨该地区的岩石圈地幔性质。土门金伯利岩所携带的地幔捕掳体中的尖晶石Mg~#介于21.58～78.66,Cr~#介于18.08～73.97;上峪橄辉玢岩所携带的地幔捕掳体中尖晶石Mg~#介于48.96～77.00,Cr~#介于18.78～64.10。山东蒙阴地区的地幔包体代表华北古生代古老难熔型地幔,昌乐-山旺和河北汉诺坝等新生代地幔代表华北中新生代新生饱满型地幔。与山东蒙阴、昌乐-山旺、河北汉诺坝等地区地幔尖晶石的对比表明,土门和上峪的尖晶石相地幔介于难熔型地幔和饱满型地幔之间,以过渡型岩石圈地幔为主。尖晶石-橄榄石矿物温度压力计算表明,土门和上峪的捕掳体温度主要集中在1 031～1 090℃,压力集中在1.70～1.88 GPa,处于明显偏高的地幔热流状态,可能与华北克拉通的破坏有关。     

微细电铸法制造高开孔率精细网片

依托微细电铸技术为主要工艺平台,以制造90％左右开孔率的高质量精细网片为目标,重点探讨了芯模制备中电沉积等关键工艺环节的技术要点和难点,并对其操作条件和主要工艺参数进行优选和优化.研究结果表明,基于微细电铸法能制造出缺陷极少、形貌质量好、孔廓形精度高的超高开孔率精细金属网片.     

压力设备中安全PLC系统的设计及应用

在工业生产领域,采取必要的安全措施保证人员、设备及环境的安全是非常有必要的。随着科学技术的发展,基于安全控制的PLC系统的研制和开发进一步标准化,当前,安全PLC系统已成为安全控制系统首选的设备。下面笔者就对压力设备中安全PLC系统的设计及应用做出简要分析。     

安徽地震信息网的优化改造

本文介绍了安徽地震信息网在原有网络基础上进行优化改造的情况,详细阐述了优化改造的具措施,以及改造完成后对安徽地震监测预报工作产生的积极影响。     

用dBASE Ⅲ打印杨辉三角

华罗庚先生生前写过一本书—《从杨辉三角谈起》,由此得出了一系列重要结论,开方、高阶等差级数、差分多项式、逐差法、堆垛术、混合级数、无穷级数、无穷混合级数、循环级数、斐波那契级数、倒数级数、级数sum from n=1 to ∞(1/n~2)的渐近值等等,足见杨辉三角之重要.另外,在概率统计中计算C_n~k二项分布的极限有两个,一是poisson分布,一是正态分布.因此,用计算机打印出杨辉三角,在实践中有着广泛的应用.     

退化河流生态系统恢复面临的问题分析

近几十年来．随着人口的增加和工农业生产的发展，河流生态系统退化问题愈来愈严重。从一首民谣：“50年代淘米洗菜，60年代洗衣灌溉．70年代水质变坏，80年代鱼虾绝代，90年代身心受害。”我们可以了解我国大部分河流生态系统退化的大致过程。2000年，我国11．4万km河流水质评价统计结果显示．符合和优于Ⅲ类水的河长占总评价河长的58．7％，     

摄像靶用Sb2S3：Sb的结构模型及其共熔合成机理

认为“Sb_2S_3是离子键化合物”这一结论值得商榷。提出Sb_2S_3系不等性SP杂化弱极性共价键结合,形成六元环状结构,并在一维空间扩展为带状构形。在此带状分子链间则以键能较弱的Vanderwaal键相维系,使之聚集在晶体的平行窄条中。Sb_2S_3Sb中的:Sb,在很窄的含量范围内以弱次级键“挂靠”在Sb_2S_3分子上,而超过此含量范围的:Sb则以机械状态混合其中。这一完整的Sb_2S_3:Sb的结构模型及其共熔合成机理的分析,为摄像靶用Sb_2S_3:Sb材料成份的选择和合成工艺的制订,提供了重要的、不可缺少的理论依据。