热处理对STO铁电薄膜微结构的影响

系统研究了 CFA与 RTA两种热处理方式以及热处理温度和时间对 STO 薄膜微结构的影响。STO薄膜采用脉冲激光沉积法(PLD)制备。采用原子力显微镜(AFM)和XRD分别对薄膜的表面形貌和晶粒结构进行分析。结果表明,在热处理温度 650~800℃范围内,相对于 CFA、STO薄膜经 RTA热处理后,薄膜表面晶粒大小分布均匀、致密。两种热处理方法都使薄膜的晶粒直径随温度升高而增大,并且温度越高,薄膜的晶形越完整,同样热处理温度下,RTA与CFA相比薄膜的晶粒较小, 两种热处理方法的最大晶粒尺寸都<120nm。但XRD分析结果表明,在相同热处理温度下,CFA 热处理的结晶转化率较 RTA 热处理要高。在一定范围内,RTA热处理时间对薄膜晶粒尺寸影响不大,热处理时间越长,晶粒更加完整,表面更加均匀平整,结晶转化率越高。     

Au/Si基片上沉积Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜介电性能的研究

采用磁控溅射法在Au/Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)薄膜。在基片温度200℃、本底真空1×10-3Pa条件下,BZN靶溅射0.5h,作为自缓冲层;然后在400℃下溅射1.5h,薄膜总厚度为200nm,650℃原位真空退火1h。XRD分析显示该薄膜为〈222〉单一取向,结晶良好;AFM扫描显示表面平整;测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变。实验证明,选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高,实验得到介电常数可调率约20%、损耗为0.002~0.004。     

BaTiO3/Si界面扩散与控制方法研究

利用激光分子束外延（LMBE）方法在Si（100）基片上直接生长BaTiO3（BTO）铁电薄膜。通过俄歇电子能谱（AES），X光电子能谱（XPS）等分析手段系统研究了在Si基片上直接生长BTO铁电薄膜过程中的界面扩散现象。根据研究得到的BTO／Si界面扩散规律，采用一种新型的“温度梯度调制生长方法”减小、抑制BTO／Si界面互扩散行为，实现了BTO铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长，为在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的BTO铁电薄膜奠定了基础。     

HR-1型奥氏体不锈钢镀Cr_2O_3及TiN膜复合材料的气相氢渗透研究

ＨＲ－１型奥氏体不锈钢镀Ｃｒ＿２Ｏ＿３及ＴｉＮ膜复合材料的气相氢渗透研究刘兴钊，黄秋荣，杜家驹，李言荣（电子科技大学信息材料工程学院，核工业西南物理研究院，中科院固体物理研究所）关键词氢渗透，抗氢渗透涂层１引言在聚变堆及高温气冷反应堆的设计中，氢同位...     

YBCO超导带材研究进展

简要回顾了高温超导带材的发展历史,然后系统地总结了YBCO超导带材的构成、基带、过渡层和超导层的制备方法,并介绍了当前国内外的研究水平和新近取得的进展,尤其是国内最近的重要进展.在此基础之上,对YBCO超导带材的应用和市场前景进行了展望.     

XPS谱在磁光介质可靠性分析中的应用

通过对单层结构和多层结构的磁光记录介质TbFeCo在常温环境气氛条件和高温加速应力条件下的可靠性对比实验,以及对组成元素的XPS光电子能谱分析,证明了只有经过多层结构保护处理的磁光记录介质才具有高的稳定性。     

大面积双面高温超导薄膜研究进展

大面积双面YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜具有优异的微波电学性能,在高端微波器件与电路中有着重要的应用。本文主要结合我们的工作介绍国内外大面积双面超导薄膜的研究工作进展,并着重结合器件应用要求进行相关讨论。     

大面积YBCO高温超导双面薄膜的生长研究

采用倒筒式直流溅射(ICS)方法,辐射方式加热基片,通过电机带动基片旋转,在两面同时溅射沉积YBCO高温超导双面薄膜。在加热温度为850℃,总压强为35Pa,氧氩比为1∶2,靶基距50mm,基片转速5～40r／min条件下,在20mm×20mm的LaAlO     

采用氧化物复合底电极的BTO薄膜结构和性能

用球磨法制备Bi4Ti3O1(2BTO)靶材。用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以三种氧化物SrRuO(3SRO)、LaSrCoO3(LSCO)、LaNiO3(LNO)和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄膜。分析了薄膜的结构和性能。结果表明,这种BTO薄膜的c轴取向得到抑制,其极化强度从0.45×10–6C/cm2提高到0.9×10–6C/cm2;矫顽场强从90×103V/cm下降到50×103V/cm。     

二维复杂目标电磁散射特性的计算

利用多层快速多极子算法(MLFMA)计算任意形状二维电大尺寸导体加介质体目标的电磁散射,介质体为镶嵌在电大尺寸金属体上的有耗介质.首先建立金属-介质体的混合积分方程,用共轭梯度法计算散射场;在叠代过程中用MLFMA,大大降低了计算时间.数据结果表明本文方法的准确和高效.