大面积双面高温超导薄膜研究进展

大面积双面YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜具有优异的微波电学性能,在高端微波器件与电路中有着重要的应用。本文主要结合我们的工作介绍国内外大面积双面超导薄膜的研究工作进展,并着重结合器件应用要求进行相关讨论。     

大面积YBCO高温超导双面薄膜的生长研究

采用倒筒式直流溅射(ICS)方法,辐射方式加热基片,通过电机带动基片旋转,在两面同时溅射沉积YBCO高温超导双面薄膜。在加热温度为850℃,总压强为35Pa,氧氩比为1∶2,靶基距50mm,基片转速5～40r／min条件下,在20mm×20mm的LaAlO     

反应溅射法沉积氧化铈过渡层研究

采用直流磁控反应溅射法在双轴织构的镍钨合金(Ni-5%W)基带上生长CeO2过渡层。研究了沉积温度、退火时间、水分压等工艺参数对CeO2薄膜取向的影响,并获得了生长高度双轴织构薄膜的优化工艺条件。X射线面内(Φ)扫描揭示了“[100]CeO2∥[110]Ni-W”的单一外延取向关系,原子力显微镜观察到薄膜在退火处理后表面更加平整、致密。     

倒筒式直流溅射法生长大尺寸双面YBCO高温超导薄膜

采用倒筒式直流溅射结合辐射加热方法对无源微波器作用的Y1Ba2Cu3O7-x(YBCO）双面薄膜生长进行了研究，实验结果表明：直流非磁控溅射可以制备性能良好的薄膜，通过基片绕支撑和基片表面法线旋转，实现了在（100）LaAlO3基片两面同时原位沉积厚度均匀的BCO薄膜，生长出的φ25．4mm（linch）同质量的BCO双面薄膜，两面的Tc0分别为90．3K和90．4K，超导转变宽度均为0．8K，两面的微观表现电阻（Rs）随温度变化一致，Rs（77K，10GHz）分别为330μΩ和400μΩ，在直径30mm的基片上，薄膜的厚度均匀性良好，其厚度起伏在10％以内，薄膜面内的Tc0分布在90K附近，Rs都分布在1μΩ以内，能满足微波器件研制的需要。     

采用氧化物复合底电极的BTO薄膜结构和性能

用球磨法制备Bi4Ti3O1(2BTO)靶材。用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以三种氧化物SrRuO(3SRO)、LaSrCoO3(LSCO)、LaNiO3(LNO)和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄膜。分析了薄膜的结构和性能。结果表明,这种BTO薄膜的c轴取向得到抑制,其极化强度从0.45×10–6C/cm2提高到0.9×10–6C/cm2;矫顽场强从90×103V/cm下降到50×103V/cm。     

二维复杂目标电磁散射特性的计算

利用多层快速多极子算法(MLFMA)计算任意形状二维电大尺寸导体加介质体目标的电磁散射,介质体为镶嵌在电大尺寸金属体上的有耗介质.首先建立金属-介质体的混合积分方程,用共轭梯度法计算散射场;在叠代过程中用MLFMA,大大降低了计算时间.数据结果表明本文方法的准确和高效.     

移动Agent安全需求及其安全策略的分析与研究

从移动Agent体系架构出发,分析了在开放性网络环境中存在的多种安全威胁,阐述了移动Agent安全需求及其特性,由此研究了相应安全和安全策略,并提出了一些新的见解与方法,概括了一个安全、完整、健壮的移动Agent应该考虑的各个安全环节和安全策略。     

利用Ba0.65Ru0.35TiO3缓冲层制备高热释电系数的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜

采用射频溅射,在Ba0.65Sr0.35TiO3(BST)薄膜和Pt/Ti/SiO2/Si衬底之间制备10 nm的Ba0.65Ru0.35RUO3 (BSR)缓冲层,研究了BSR缓冲层对BST薄膜结构和性能的影响.与没有BSR缓冲层的BST薄膜相比,BSR缓冲层可使BST薄膜呈高度a轴择优取向生长,改善了薄膜的介电常数,降低了薄膜的漏电流密度,使其热释电系数达到7.45×10-1 C cm-2 K-1.表明利用BSR缓冲层可以制备高热释电性能的BST薄膜.     

碳氢化合物催化裂解法制备碳纳米管所用催化剂的研究进展

目前,制备碳纳米管的方法甚多,碳氢化合物催化裂解法是最有希望实现大规模生产的合成方法.该方法中催化剂的选择又是成功制备碳纳米管的关键,因此对当前使用的各种催化剂进行了分类讨论和总结.     

BaTiO3铁电薄膜低温异质外延的生长模式研究

利用激光分子束外延异质外延 BaTiO3 薄膜。通过反射式高能电子衍射对薄膜生长进行原位监测,利用原子力显微镜分析薄膜表面形貌,发现在沉积速率为 0.016nm/s,激光功率为 6J/cm2 的条件下,当基片加热温度高于 480℃时,BaTiO3 薄膜以层状生长模式进行生长;而当温度在 430~480℃之间时,薄膜生长为SK模式,即层状加岛状的混合生长模式。进一步降低基片加热温度,在 430℃以下观察到了三维岛状生长模式。通过优化激光功率和沉积速率等工艺参数,得到了层状生长 BaTiO3 薄膜的最低结晶温度为330℃。根据实验结果分析了激光功率对薄膜生长温度的影响。同时结合 X 射线衍射分析在不同的生长条件下,研究温度对薄膜异质外延生长的影响,发现在较高的生长温度下,在 BaTiO3 薄膜生长过程中,位错产生的几率较小,薄膜的外延性好,而在较低的生长温度下,薄膜内部位错较多,异质外延性不佳。