用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率

用单能慢正电子束流作为探针,测量了Ｐ型Ｓｉ中不同Ｂ杂质浓度的正电子湮没Ｓ参数和正电子能量的函数关系。在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律,观察到杂质的掺入不影响缺陷的开体积,但正电子在硅中的迁移率随杂质浓度的增加而减小。     

SiO_2薄膜致密性的表征

论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点。制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化SiO2薄膜样品,利用红外光谱法和折射率法对样品进行了对比测试。结果表明,采用红外光谱法表征SiO2薄膜的致密性时,主特征吸收峰频率不仅与薄膜致密性相关,还与样品的厚度和衬底等因素有关;而折射率法受这些因素的影响较小,是表征SiO2薄膜致密性较为适用的方法。     

分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究

用慢正电子束流作为探针,测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数,讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系,所得结论为：对于几百纳米厚度的分子束外延生长层,５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。温度过低,膜中将会含有大量的空位型缺陷;温度太高,杂质在材料中会有明显的扩散行为,对产品性能发生较大影响。     

沾河断陷下白垩统淘淇河组层序地层格架及有利生储盖组合

通过对岩心、钻井及地震资料的研究,并结合粒度分析及地震相等分析手段,在沾河断陷下白垩统淘淇河组共确定出3种层序界面类型,识别出5个层序界面及4个三级层序。认为淘淇河组属于断陷盆地深陷扩张期—断坳转换期发育的一套沉积地层,从层序SQ1—SQ4断陷陡坡带、凹陷带及缓坡带分别发育冲积扇—扇三角洲、半深湖—深湖—湖底扇、扇三角洲—辫状河三角洲沉积体系,为盆地深陷期沉积产物;在层序SQ3—SQ4断陷陡坡带、凹陷带及缓坡带分别发育扇三角洲、湖泊、辫状河三角洲沉积,为断陷盆地断坳转换期的沉积产物。同沉积断裂的构造活动是控制层序发育及沉积演化的主要因素。综合分析表明,SQ1层序内部烃源岩发育、并具有较好的储集、运移及封盖条件,为研究区最有利的生储盖组合。