微电铸的析氢现象研究

讨论了微电铸工艺中的析氢现象.析氢是微电铸中的附加反应,如处理不当,将会使铸层产生缺陷,如针孔和麻点等,同时引发氢脆,从而降低铸层的机械性能.通过对微电铸原理及析氢机理的分析,提出稳定pH值、增加搅拌和过滤循环、添加润湿剂以及采用脉冲电流等四种有效措施.实验证明,以上措施解决了析氢现象对铸层质量的影响,并获得了满意的铸层.     

基于电化学沉积的金属基微射频T形功分器研制

以光刻和精密微电铸技术为基础,采用正负胶相结合的方法,在金属基底上制作同轴结构的微射频T形功分器。采用单层分次曝光方法制作了微电铸用AZ 50XT厚正性光刻胶胶模,改善了单层单次曝光时胶模侧壁陡直性差的情况;使用粘附强度高的金属作为种子层以增强支撑体与内导体之间的结合力,解决了后处理时内导体易从支撑体脱落的问题;通过增加铸后光刻步骤,解决了铸层高度测量困难的问题。最终,制作出外形尺寸为7700μm×3900μm×210μm、最小尺寸为40μm的微射频T形功分器,为微型功分器的制作提供了一种可行的工艺参考方案。     

名城保护应设立“历史文化精华区”

随着历史文化名城保护工作的不断深入,保护的内容也在不断拓展。在世界遗产（包括自然遗产、文化遗产和自然文化双遗产）和文物建筑（包括国家级、省级、县级和普查登记）之外,还有历史文化街区、优秀近现代建筑、工业遗产、特色民居、名木古树、河湖水系及十类非物质文化遗产等。     

韩国行政中心迁移的经验和启示

韩国首尔同北京一样,既是国家首都,又是人口和功能过度聚集的特大型城市。为了缓解首尔的“大城市病”,推动区域均衡发展,以及基于军事和政治的考虑,2003年12月韩国国会通过《新行政首都特别法》,决定将韩国行政首都从首尔迁往韩国中部地区（后来具体设在世宗特别自治市,以下简称为“世宗市”）。按照计划,将有36个中央政府机构于2012年9月至2014年底间迂往世宗市,总理室作为首个政府部门已于2012年9月迁入,由此韩国行政中心迁移拉开帷幕。     

方案综合是一个再创造的过程

在全球范围内公开征集规划设计方案.是国际惯例.北京2008年奥运项目做得最为规范和彻底.北京奥运会刚申办时,就对奥林匹克公园规划进行了国际招标;申办成功后,又对奥林匹克公园总体规划进行了新一轮方案招标.后来奥林匹克森林公园和奥运中心区,以及奥运会主要的场馆设计和配套设施的设计都进行了广泛公开的国际招标.     

落实新总规是一场伟大的实践

经过2003年<北京城市空间发展战略研究>前期准备,2004年专家领衔的专题研究、规划大纲、专项规划,直至对规划的综合,经多方努力,2004年底,<北京城市总体规划(2004年-2020年)>编制完成.2005年初,国务院正式批复了该规划.     

金属表面微坑阵列掩膜电化学刻蚀技术研究

采用负胶光刻工艺制备了微坑阵列胶模,通过实验分析了抛光工艺对刻蚀均匀性的影响,解决了微坑阵列刻蚀缺陷的问题。研究了酸洗对基板刻蚀的影响,得出酸洗可改善刻蚀均匀性的结论,并通过调节溶液p H值的方法解决了溶液沉淀的问题。分析了掩膜孔径对刻蚀均匀性的影响,并利用自行搭建的电化学刻蚀装置完成了直径60μm、深11μm的微坑阵列刻蚀。实验结果验证了掩膜电化学刻蚀工艺的可行性,为金属表面微小图形的制作提供了一种可行的方案。     

金属微通道散热器结构微电铸均匀性研究

基于微电铸工艺,通过添加片外辅助阴极的方法制作一款金属微通道散热器。首先,利用Comsol有限元软件对微电铸过程中金属微通道散热器结构的铸层厚度分布进行模拟分析,同时通过仿真模拟的正交试验研究了不同参数下的片外辅助阴极对微通道铸层厚度均匀性的影响。仿真结果表明:采用正交试验的最优水平组合,即片外辅助阴极与阴极的水平距离为3 mm、片外辅助阴极的宽度为3 mm、施加在片外辅助阴极上的电流密度为1 A/dm~2时,电沉积10 h后的微通道铸层厚度均匀性提高了27.5%,这与实验结果基本相符。经过10 h的连续电铸实验,添加最优片外辅助阴极后的铸层厚度均匀性提高了54.2%。     

基于MEMS技术的微型模具制作工艺研究

针对微型模具的结构和精度要求,在研究硅模具和背板生长两种工艺路线的基础上,提出了无背板生长工艺路线,并介绍了工艺路线中所涉及的三种MEMS加工方法,即UV-LIGA技术中的光刻、微电铸以及硅MEMS加工技术中的湿法刻蚀.实验结果表明,硅模具和背板生长模具呈54.74°的斜面,且硅模具容易损坏,背板生长模具受应力影响易产生变形;而无背板生长工艺能够获得侧壁垂直、表面细致、使用寿命长的模具,满足结构和精度要求.     

微结构塑件注塑成型的复制度分析

以典型微结构塑件———微流控芯片为研究对象,对芯片纵、横微通道的复制度进行比较、分析。发现在注塑成型过程中,由于熔体与型腔微凸起之间的作用关系不同,导致芯片纵、横微通道的复制度存在明显差异,且横向微通道两侧的开口形状也不一致;基于熔体充模流动基本理论,建立了用来描述横向微通道开口圆角大小的数学表达式;利用新型电热式变模温注塑成型系统,对上述分析结果加以实验验证。结果表明,实测横向微通道开口圆角大小与计算结果基本一致。