一种小规模LCD驱动电路IP核的设计

介绍一种全新LCD驱动电路IP核的总体设计。该IP核具有优异的移植性,能使LCD驱动电路的规模可调,而且通过微调就能驱动多数小规模LCD。采用自顶向下的设计方法将其按功能划分为几个主要模块,并分别介绍各个模块的功能。用VHDL语言对LCD驱动电路IP核进行描述,并用FPGA进行系统实现,最后通过仿真验证。     

TFT-LCD驱动电路的设计

薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）具有重量轻、平板化、低功耗、无辐射、显示品质优良等特点，其应用领域正在逐步扩大，已经从音像制品、笔记本电脑等显示器发展到台式计算机、工程工作站（EWS）用监视器。对液晶显示器的要求也正在向高分辨率、高彩色化发展。     

钛酸锶钡铁电薄膜的制备与性能优化研究

综述了目前钛酸锶钡(BST)铁电薄膜最为常用的4种制备工艺:磁控溅射法(Magnetron Sputtering)、脉冲激光沉积法(PLD)、溶胶-凝胶法(Sol-gel)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)。并介绍了在优化BST铁电薄膜性能方面所作的工作和取得的成果。     

钛酸锶铅铁电薄膜的制备、应用及其研究进展

综述了钛酸锶铅(PST)铁电薄膜目前最常用的4种制备工艺:溶胶-凝胶(Sol_gel)法、磁控溅射(Magnetron Sput-tering)、脉冲激光沉积(PLD)和金属有机化学气相沉积(MOCVD),并简要介绍了PST目前的研究进展以及PST薄膜在铁电移相器、动态随机存储器(DRAM)和热释电红外探测器方面的应用,提出了发展展望。     

双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响

通过计算双轴应变下氮化镓的电子能带结构,给出了GaN有效质量与应变的变化关系。在弛豫时间近似的条件下,这种关系决定了双轴应变AlGaN/GaN中二维电子气(2DEG)的迁移率的改变。在其他物理参量不变的情况下,这种二维电子气迁移率将随着张应变的增加而增加,并随着压应变的增加而减小。计算结果表明,张应变对2DEG迁移率的影响要比压应变大。此外,GaN有效质量的变化在低温时对迁移率的作用更明显。而在低温低浓度的条件下,迁移率却对有效质量的依赖很小。     

退火温度对 BNST薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/LaAlO3(100)衬底上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2系(BNST)薄膜.研究了退火温度对BNST薄膜结构、表面形貌和介电性能的影响.X线衍射仪(XRD)分析表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐长大.经850℃退火处理的BNST薄膜具有很好的结晶质量.原子力显微镜(AFM)分析表明,在一定范围内提高退火温度所制备的薄膜晶粒致密、大小均匀.LCR测试分析表明,在测试频率为100 kHz时,随着退火温度的升高,BNST薄膜介电常数有所增加,介电损耗则先降低,后增加.实验表明,经850℃退火处理,所制备的BNST薄膜的介电常数达37,介电损耗小于1.2‰.     

钛酸锶钡薄膜C-V曲线不对称现象研究

采用射频（RF）磁控溅射在Pt／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜。通过研究BST薄膜的电容-偏压（C-V）特性曲线发现,溅射过程中的离子注入引起底电极／铁电薄膜界面处产生了过渡层,从而导致C-V曲线不对称。最后我们通过改进溅射工艺对这一机理进行了实验验证。     

脉冲冲击对ZnO功能陶瓷性能及微观结构影响

研究了不同配比ZnO-Al2O3陶瓷电阻率变化规律及小电流(100mA¹A)下伏安特性,最小非线性系数为1.10(掺入Al2O3摩尔分数为2.0%)。采用无毒环氧树脂封装样品,2ms方波脉冲冲击。在高能脉冲冲击下,电阻值从2.8Ω减小到0.89Ω,能量密度为887.8J/cm3。     

离子束辅助沉积MoS2复合膜的XPS和ESR特性分析

通过IBAD技术制备了MoS2 Ag(Cu)复合膜 ,并利用XPS和ESR考察了复合膜的氧化情况。发现在RH为 6 0 %的大气环境下 ,Cu的掺入加速了MoS2 的氧化 ,相反Ag的加入却使MoS2 的氧化受到抑制 ;XPS发现MoS2 Cu复合膜中存在Mo6 ,ESR却并没发现中间态Mo5 ;而XPS没有检测到MoS2 Ag膜中有Mo6 ,ESR却发现Mo5 。这说明Mo5 受化学环境影响较大     

电光材料在光学相控阵技术中的应用

综述了光学相控阵的发展背景,对不同电光材料铌酸锂(LiNbO3)、砷化镓铝(AlGaAs)、锆钛酸铅镧(PLZT)陶瓷和液晶制作的光学相控阵进行了阐述,简要介绍了近期的一些研究成果,并对光学相控阵技术的发展前景进行了展望。