钛酸锶钡（BST）薄膜的组成、结构与性能研究进展

钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜，应用广泛，是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍了BST薄膜的制备方法和应用，对此薄膜的基片、电极、晶界、界面、热处理、膜厚及组成、结构、性能等方面作了重点讨论，提出了研究中需要解决的一些问题。     

石英基片上(11O)取向PLZT薄膜及其光学性能研究

在低成本的石英玻璃衬底上制备高性能电光薄膜非常有吸引力.本文采用溅射方法,并结合Pb3O4气氛退火工艺,在ITO/石英玻璃衬底上制备锆钛酸铅镧(PLZT 8/65/35)薄膜.结果表明:在优化工艺条件下,薄膜为(110)方向择优生长,表面均方根粗糙度为3.1nm,可见光范围内透过率为81.3%,消光系数为0.003.这...     

固相法制备ZST系微波介质陶瓷的研究状况

固相法具有设备简单,工艺成熟,便于操作等特点,被广泛的应用于企业生产和研究机构中,本文总结了近年来利用固相法制备ZrSnTiO4（以下简称ZST）系微波介质陶瓷的研究成果,展望了ZST的研究和应用前景。     

PbxSr1-xTiO3陶瓷及薄膜的制备和性能研究

研究了Pb的摩尔分数对PbxSr1-xTiO3(x=0.2~0.8)陶瓷微结构和介电性能的影响,当x<0.45时晶体为立方相,x≥0.45时为四方相;随着Pb的摩尔分数增大,陶瓷气孔率下降,致密度增加,晶粒尺寸逐渐增大,居里峰近似线性地向高温方向移动,并具有一致的居里外斯常数。采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了Pb0.3Sr0.7TiO3(PST30)薄膜,经550℃退火后为(111)择优取向的多晶薄膜,1 kHz下的可调率为21.8%。     

无碱玻璃改性0.8BaTiO_3-0.2BiYO_3介电陶瓷的研究

采用传统固相法制备Ba-B-Al-Si无碱玻璃改性0.8BaTiO_3-0.2BiYO_3(0.8BT-0.2BiY)的介电陶瓷。研究了无碱玻璃含量对0.8BT-0.2BiY陶瓷微结构和介电性能的影响,无碱玻璃的质量分数分别为x=0,0.01,0.03,0.05,0.07。研究结果表明,玻璃改性后的陶瓷,烧结温度降低,X线衍射(XRD)图谱中均出现第二相,主晶相均仍维持钛酸钡钙钛矿伪立方结构,掺杂玻璃组分的质量分数为3%时,第二相的衍射峰的强度最弱。陶瓷经无碱玻璃改性后,介电常数均减小,居里峰展宽效应减弱,铁电性增强。在玻璃的质量分数低于3%时,极化强度增大,在玻璃的质量分数为3%时最大。     

掺杂Li_2O-K_2O-Al_2O_3石英陶瓷的性能研究

采用固相烧结法烧结掺杂Li2O-K2O-Al2O3石英陶瓷,用XRD、SEM、微波网络分析仪等手段分析不同烧结温度下样品的表面特性、介电性能及力学性能。结果表明,掺杂Li2O-K2O-Al2O3石英陶瓷在烧结过程中产生了大量玻璃相,陶瓷微结构致密,介电性能良好(低频1 MHz测试下介电常数εr=5.45⁵.87,损耗角正切tanδ=0.004 15.87,损耗角正切tanδ=0.004 1⁰.005 4;高频14GHz测试下εr=4.370.005 4;高频14GHz测试下εr=4.37⁴.58,损耗角正切为0.003 84.58,损耗角正切为0.003 8⁰.005 3),在1 350℃烧结陶瓷介电性能最优。相比不掺杂石英陶瓷抗弯强度有显著提高,在145MPa以上,最高可达163MPa。有作为天线罩材料的潜力。     

射频磁控溅射法制备BST薄膜及性能研究

采用射频磁控溅射法制备了钛酸锶钡薄膜材料,研究了薄膜的晶体结构和微观形貌,测试了其偏压特性曲线和电滞回线。初步探讨了εr-E曲线、电滞回线发生平移的原因：上下电极与钛酸锶钡薄膜间的界面势垒不对称。     

闪锌矿GaN(110)表面原子和电子结构的理论计算

在密度泛函理论的基础上,采用平面波赝势方法计算了立方GaN(110)表面的原子和电子结构。结构优化表明最表层原子都向体内弛豫,且金属Ga原子弛豫幅度比非金属N原子大,同时各层层间距呈交错分布。表面弛豫后,最表层原子发生键长收缩的弛豫特性,表面Ga原子趋于形成sp2杂化得到的平面型构形,而表面N原子趋于形成p3型锥形结构。另外,理想立方GaN(110)表面在带隙中有两个明显的表面态,经过弛豫后,分别向价带和导带方向移动,并解释了导带底附近的表面态移动的幅度比价带顶附近的表面态大的原因主要由于表面Ga、N原子弛豫幅度不同引起的。此外,弛豫后,表面电荷重新分布,Ga原子周围的部分电子转移到N原子上。     

超低温烧结ZTT陶瓷微结构及介电性能研究

采用传统固相反应法制备Zn2 Te3 O8-30％TiTe3O8 (ZTT,质量分数)粉体,在低于600℃的管式气氛炉中烧结,利用XRD、SEM及微波网络分析仪等手段对不同热处理后的样品进行分析,并测试介电性能.实验表明,ZTT能在超低温下烧结成瓷,且介电性能良好(低频测试下介电常数εr=19～27,损耗低于3％,高频下品质因数与频率之积Q×f=56 191 GHz,频率温度系数τf=1.66μ℃-1),为制作低成本薄膜电容提供可能.     

钛酸锶钡（BST）薄膜的介电性能机理研究进展

钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜，应用广泛，是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍BST薄膜的制备方法和应用，重点讨论BST薄膜的极化、电压非线性、漏电流的机理、表征及影响因素，并综述了铁电薄膜的疲劳机制和消除疲劳措施等方面的研究进展，提出了研究中需要解决的一些问题。