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采用电化学沉积法通过在电解槽中添加SiC颗粒制备Ni-SiC复合镀层。由于第二相颗粒SiC的加入改善了镀层的性能,使之具有高硬度、耐磨性和耐腐蚀性能等。Ni-SiC复合电镀改善镀层的组织结构并显著提高镀层的质量。采用NiSO4·6H2O(35 g/100 mL),NiCl2·6H2O(4 g/100 mL),H3BO3(3.5 g/100 mL),十二烷基硫酸钠(0.5 g/100 mL),SiC颗粒(0.4~1.0 g/100 mL)体系,在pH值为4,温度35~50 ℃时,通过电化学沉积法制备Ni-SiC复合镀层。实验探究了温度、电流密度、镀液中碳化硅颗粒含量以及超声波分散时间对镀层中SiC复合量的影响。通过扫描电镜和XRD对镀层进行分析,结果表明:在温度为35~50 ℃之间复合镀层中SiC的量随温度的增加呈现先增加后减少的趋势;在电流密度为0.026~0.06 A/cm2之间,复合镀层中SiC的含量随电流密度的增加呈现先增加后减小的趋势;镀液中SiC量在0.4~1.0 g/100 mL之间时,镀层中SiC含量随着镀液中SiC含量的增加而增加,超过一定值(0.6 g/100 mL)增加幅度变小;超声波分散时间在10~50 min之间, 镀层中SiC的含量随时间的增加而先增加后减少。镀层中碳化硅颗粒均匀分布有利于晶粒的细化 相似文献
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本文提出了一种运用时空域信息优化的虚拟检测线组式视频车辆检测算法。针对车窗反光、环境瞬变等因素对车辆检测精度的影响,着重分析了对算法的优化方法。经过时空域信息的优化,这种算法的鲁棒性较运用单条虚拟检测线的算法有很大提高。算法的实验结果论文中也已给出,表明该算法有良好的前景。 相似文献
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三维芯片(3D-IC)通过硅通孔(TSV)技术来实现电路的垂直互连,延续了摩尔定律,但在制造、绑定等过程中,TSV容易引入各类缺陷。添加冗余TSV是解决该问题的有效方法之一,但TSV面积开销大、制造成本高。提出一种基于时分复用(TDMA)的TSV蜂窝结构容错设计方案,它基于时间对信号TSV进行复用。实验结果表明,与一维链式TDMA结构相比,蜂窝TDMA结构提高了30%的故障覆盖率,并且故障覆盖率随着蜂窝阵列的扩展持续提升。在64TSV阵列中,与一维TDMA结构相比,蜂窝拓扑结构的面积开销降低了10.4%。 相似文献
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基于HMS30C7202芯片指纹识别系统 总被引:1,自引:1,他引:0
HMS30C7202是新一代高集成度嵌入式MCU芯片,它广泛应用于手持计算、通讯及信息处理等多个领域.文中介绍基于ARM720T核的HMS30C7202芯片在指纹识别领域中的应用,给出系统软硬件设计. 相似文献
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本文介绍了远程微小气体流量监测系统的设计方法.系统由一台监控仪表和50台浮子流量计组成,系统设计符合RS-485标准,实际通讯距离1200米.浮子流量计通过使用钟罩式气体流量检定装置实流检定,测量误差小于±2.5%. 相似文献
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针对前后轮独立驱动纯电动汽车再生制动过程的控制问题,提出了一种基于多约束优化的再生制动控制策略。通过对汽车动力学的分析,并考虑能量回收所涉及的电机、电池组特性的影响,在保证制动过程安全可靠的前提下,结合再生功率流路径上各部件的运行效率和边界约束,以制动系统总效率最大化为目标优化前后电机的再生制动转矩分配,达到最大化回收制动能量的目的,并与原车的简单逻辑控制策略进行仿真对比,结果表明了该控制策略的有效性。 相似文献