CuAINiMnTi形状记忆合金的力学行为

研究了两种不同成份(主要指含Ti量不同)的CuAlNiMnTi形状记忆合金的拉伸强度,断口形貌以及时效的影响,同时用动态法测定了这种材料的杨氏模量(E)。结果表明,Ti量增加,合金晶粒减小。拉伸强度增大。含Ti0.56(wt)％的合金室温拉伸强度可达500MPa,断口形貌是沿晶、穿晶混合型;时效后强度明显增加(7600MPa),断口形貌无明显变化,仍是沿晶,穿晶混合型。合金的弹性模量(E)接近100GPa,温度升高,弹性模量逐渐降低。     

Internal Friction in a Shape Memory Alloy Cu-Zn-Al under Equilibrium Condition

1. Introduction CuZnAl shape memory alloys have beenextensively studied as a new type of material.Dejonghe[1]et al. firstly reported theirresults on the internal friction (IF) of CuZnAlalloys in 1975. Later, some researchershave done much work on internal friction.But most of them were concerned withphase transformation internal frictionof martensite and reverse martensite andfew of them were about internal friction     

热循环对NiTi合金焊接接头相变的影响

为了研究热循环对NiTi合金激光焊接接头相变行为的影响,用激光点焊了φ0.5 mmTi-50.6%Ni合金细丝,利用金相显微镜观察了母材和接头的显微组织,通过示差热分析仪研究了热循环对点焊接头相变行为的影响.结果表明,NiTi合金激光点焊接头,熔化区为树枝晶,热影响区由粗大等轴晶和细小等轴晶组成.热循环可改变接头的相变行为,使马氏体相变由B2→B19'转变为B2→R→B19'.随着热循环次数的增加,正相变过程中Rs点升高,R相变温度范围变宽,Ms点降低;逆相变的相变温度都降低.     

Ti-Al混合物粉末在机械合金化过程中的固态相变

本文通过 x 射线和电子显微镜方法研究了 Ti-50at%Al 混合物在机械合金化过程中的固态相变。研究发现:该混合物在研磨的过程中首先发生非晶化,然后,形成的非晶又发生晶化,生成 Ti—Al金属间化合物。在随后的研磨过程中,生成的金属间化合物又发生向非晶的转变。在混合物向非晶的转变过程中,Al 原子向 Ti 的晶格中扩散。因此,机械合金化过程中的非晶化可能是一种复合机制。     

高温形状记忆合金的研究进展

本文综述了近年来有关高温形状记忆合金的最新研究进展。重点介绍了ＣｕＡｌＮｉ基，ＮｉＴｉ基及ＮｉＡｌ基三大系列高温形状记忆合金。概括了有关合金的设计，马氏体相变及形状记忆效应，显微结构特征，合金相稳定性及热处理效应，材料制备及生产加工工艺及性能等。     

镍钛合金超弹性支架抗压缩性能的实验与分析

首先对有限元软件Ansys中镍钛合金材料模型的准确性进行了研究,然后对两种镍钛合金支架的抗压缩性能进行了模拟分析与实验验证,结果证明有限元法可以在一定程度上替代支架原型的测试工作.在此基础上,又进一步系统地分析了一种支架设计中筋的尺寸变化对支架抗压缩性能的影响.结果显示,增加支架筋的宽度和厚度都能够提高支架的抗压缩性能,且这两个方向上尺寸的增加对提高支架抗压缩性能的作用基本相当.     

电力需求响应机制下基于多主体双层博弈的规模化电动汽车充放电优化调度EI北大核心CSCD

针对电力需求响应机制下电动汽车调度场景涉及的多元决策主体间的复杂博弈互动关系,该文提出多电动汽车聚合商分别整合规模化电动汽车入网参与电力市场竞价,并依据竞价结果指导电动汽车实时充放电优化调度的多主体双层博弈模型。首先,基于logit协议构建电动汽车充放电调度的多策略集演化博弈模型;其次,构建多电动汽车聚合商在电力市场中竞标购/售电价格的非合作博弈模型;再次,用复制者动态描述配电网运营商向各聚合商分配需求响应时段响应电量的策略演化;最后,联合求解双层博弈模型的演化均衡和纳什均衡,得到三主体的最优稳定策略。算例分析表明,提出的模型在实现负荷削峰填谷的同时,可有效平衡电动汽车用户、电动汽车聚合商和配电网运营商三者之间的经济利益。     

GaN 基材料生长及其在光电器件领域的应用

GaN具有禁带宽，热导率高，电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点，在高度亮发光二极管，短波长激光二极管，高性能紫外探测器和高温，高频，大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的制备方法，异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用，并讨论了今后的发展趋势。     

GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在α-Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测量样品,研究了AlN缓冲层和氮化镓(GaN)对六方AlN外延层质量的影响,实验表明在GaN缓冲层上能够低温生长出C轴取向的AlN单晶薄膜.