碳硫联测分析仪测定硫含量的干扰及消除

本文分析了用碳硫联测仪测定钢铁样品中硫含量时气源、灰垢、气路、电极等在测定过程中产生的干扰及对结果的影响及消除措施。     

人造板甲醛释放量干燥器法测定的干扰及对结果的影响的探讨

本文讨论了干燥器法溅定甲醛释放量的一些主要干抗因素。分析了测定时污染分析环境对显色剂、吸收剂的污染，造成对结果的误差，以及干燥器的密封性及样品稳定期对结果的影响。     

双膜法在瑞源水厂处理氟化物和硫酸盐中的应用

武城县瑞源水厂以南水北调东段末端调蓄水库大屯水库为水源,原水中氟化物和硫酸盐超标,采用常规处理+臭氧-活性炭工艺并不能去除氟化物和硫酸盐,此次水厂升级改造采用超滤-反渗透双膜法对活性炭滤池出水进行深度处理。膜车间出水与活性炭池出水以1∶2勾兑后,氟化物浓度≤1 mg/L,硫酸盐浓度≤250 mg/L,水质达标,运行稳定。通过对工艺设计参数及运行效果现状分析,总结了双膜法在工艺设计及水厂运行方面的经验,建议工程设计处理氟化物和硫酸盐时采用双膜法,运行时加强数据监控,及时进行清洗护理工作,以延长膜组件使用寿命,降低水厂运行成本。     

某工业废水处理厂提标改造工程设计与运行效果

浙江某工业废水污水厂,原设计处理规模为3万m~3/d,出水COD、SS执行二级标准,NH_3-N、TN和TP执行一级B标准。2018年进行升级改造,要求处理水量提高至4万m~3/d,出水全部执行一级A标准。改造中,核心生化段采用MBBR工艺,好氧区投加悬浮载体强化生物脱氮除磷,三级处理增加磁混凝澄清池强化TP的去除。改造后出水COD_(Cr)、BOD_5、NH_3-N、TP、TN均值分别为(30.52±5.73)、(1.92±1.40)、(0.90±0.92)、(0.09±0.075)、(8.26±2.55) mg/L,除COD外,其余指标均可达到准IV水质。改造前单位水处理费用为0.491元/m~3,改造后单位水处理费用为0.584元/m~3,单位水处理成本增加0.093元/m~3。对系统中的微生物进行高通量测序,结果显示,悬浮载体中硝化菌丰度平均为5.62%,反硝化菌丰度为3.81%,悬浮载体中含有69.8%的硝化菌,反硝化菌的存在证明悬浮载体上的SND过程。     

染料木黄酮7,4′-二-O-β-D-吡喃乳糖苷的合成及表征

为了改善染料木黄酮在机体内作用的靶向性,研究了用具有与肿瘤细胞表面受体定向结合的乳糖来修饰染料木黄酮。采用相转移催化法首次合成标题化合物,并对产物进行了IR、MS、1HNMR和13CNMR结构表征。     

某复杂高层结构的设计分析

详细介绍了某平立面不规则高层建筑的结构设计分析和优化过程。通过调整结构平面布置、计算分析和采取适当的构造措施,使结构整体设计既满足建筑功能的需要,又符合现行规范的要求。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

GaN压电效应对载流子浓度的影响

在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管

用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管,Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明,ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料,其反向电压为－５Ｖ时,反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２．