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采用注凝成型技术研究了HfB2-Si3N4复合材料浆料的流变性能.主要讨论了pH值、分散剂、固相含量、球磨时间等对HfB2-Si3N4复合材料浆料粘度的影响.结果表明:当分散剂用量为8%(体积分数),pH值为10.9,球磨时间控制在15~20 h时,可制得固相体积含量为38%,粘度为600 mPa·s的HfB2-Si3N4复合浆料. 相似文献
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基于注入分段式谐波电流抑制开关磁阻电机转矩脉动的控制策略 总被引:1,自引:0,他引:1
开关磁阻电机(switched reluctance motor,SRM)较大的转矩脉动问题制约了其广泛应用,抑制SR电动机转矩脉动的研究是近年来研究领域的热点之一。该文介绍一种注入一系列分段谐波电流的控制策略,该控制策略采用向初始矩形参考电流中注入多次谐波分量,使之生成相应的额外转矩,来补充或消除原参考电流产生的转矩脉动。为使得谐波电流注入下SR电机转矩脉动降低的更加灵活与有效,将注入的n次正弦谐波电流分量等分成n段,通过调节相应段的谐波分量系数,独立控制各分段区间参考电流波形,进而控制电机输出转矩。新的控制策略在电流斩波控制下可较好的实现抑制转矩脉动的目标。最后,通过仿真与实验验证上述所提方法的实用性及有效性。 相似文献
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开关磁阻电机(switched reluctance motor,SRM)多数控制算法是基于反馈电流实现的,因此反馈电流的精确度直接关系到控制算法的实施精准度。该文提出一种改进SRM数字电流控制方法,能有效提高反馈电流的精准度。该方法通过改变电流采样点解决传统电流采样的一拍延时问题,进而减小转矩脉动。同时通过比较,选择较优的脉宽调制(pulse width modulation,PWM)发波方法,此方法与传统的PWM发波方法相比,在相同的占空比下,一个周期内电流的变化量相同,但是电流变化峰峰值明显减小,从而降低电流脉动。最后,通过仿真与实验验证上述所提方法的实用性及有效性。 相似文献
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采用共沉淀法合成的复合添加剂粉体制备ZnO压敏陶瓷,用TG-DTA热分析沉淀物前驱体, 通过XRD、SEM、EDS和DLS表征复合粉体的物相、形貌、组成元素、粒度及其分布, 测试压敏陶瓷性能、并观察其结构.结果表明, 550℃煅烧前驱体生成各添加剂氧化物的混合物; 650℃煅烧1 h形成组成为(Bi1.14Co0.26Mn0.29)(Sb1.14Cr0.57Ni0.29)O6.25焦绿石型复合添加剂粉体, 复合粉体平均粒径为0.26μm; 复合粉体制备的ZnO压敏陶瓷的电位梯度为330 V/mm、非线性系数为47、漏电流为5μA/cm2, 电性能参数分别优于固相法混合添加剂粉体制备的压敏陶瓷, 这归因于复合粉体制备的压敏陶瓷具有更均匀的显微结构. 相似文献
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传统机械密码鉴别器结构复杂,可动件多,体积较大,对加工工艺和装配要求很高.提出一种便于扁平化和微型化的新型QQ机械密码鉴别器设计思想,包括微型机械迷宫、微型执行器、微型步进位置反馈、微型能量隔离门、密码控制与驱动电路等组成部分,融UQS机械解码、步进驱动、能量物理隔离三种功能于一体,具有高度集成、体积微小、结构简洁、易于扁平封装、零件数和可动件大幅度减少,工艺相对易于MEMS实现等特点,可以灵活应用于多种能量的物理隔离.详细介绍了工作原理和设计分析. 相似文献
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稀疏阵能够获得更大的阵列孔径,但常规波束形成(Conventional Beam-Forming,CBF)对非均匀稀疏阵测向时会出现方位模糊。提出了一种基于最小方差无畸变响应(Minimal Variance Distortionless Response,MVDR)同局部非稀疏的非均匀稀疏阵(Non-Uniform Sparse Array,NUSA)的设计相结合来抑制方位模糊的方法(NUSA+MVDR),对其无方位模糊现象进行了理论分析,表明MVDR这一非线性处理方法对伪峰有很好的抑制能力。针对一种典型的NUSA(Typical NUSA,TNUSA),进行了TNUSA+MVDR数值仿真实验,其结果和理论分析一致,表明:1 MVDR有很强的NUSA检测能力,在所给仿真条件下,等效阵元间距为50倍波长时,仍能很好地抑制方位模糊;2TNUSA+MVDR较阵元数相同的均匀非稀疏阵列的CBF和MVDR有更高的方位分辨力;3阵元数一定,TNUSA+MVDR方位分辨力随着等效间距增加而提高,最小可分辨角度反比于等效间距;4等效间距一定,TNUSA+MVDR方位分辨力随阵元数增加而增加。海上实验在等效阵元间距为10倍波长条件下部分验证了NUSA+MVDR的检测性能。 相似文献