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多铁材料具有巨大的潜力,可应用于新型磁电设备,如高密度非易失性存储等.在本工作中,我们报道了一种具有铁电性和铁磁性共存特性的新型二维铁掺杂硒化铟.实验结果显示,Fe原子在In原子位点进行了替位掺杂,Fe的含量约为3.22%,其化学式为Fe0.16In1.84Se3.基于密度泛函理论第一性原理计算预测,当Fe替代硒化铟中In的位置时,每个Fe原子的磁矩为5μB.我们通过量子干涉超导测试进一步证实了理论预测.磁性测量表明纯硒化铟是抗磁性的,而Fe0.16In1.84Se3表现出铁磁行为,在2 K时具有平行各向异性,居里温度约为8 K.此外,压电力响应测试表明Fe原子掺杂进入铁电硒化铟纳米薄片后仍保持稳定的室温铁电性.研究结果表明,层状多铁材料Fe0.16In1.84Se3在未来的纳米电子、磁性和光电器件中具有潜在的应用前景. 相似文献
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本文讨论建立在Apollo DOMAIN系统上的一个从功能描述直接生成逻辑图的VLSI或硅编译器的逻辑设计自动化系统的构成和各组成部分的基本功能及特点.本系统包括寄存器传输级模拟,硬件逻辑翻译器,逻辑划分与函数(列阵)分解,两级逻辑综合与多级逻辑综合,自动生成逻辑图和逻辑模拟等五个主要软件.它们可以作为整个系统的组成部分,也可独立完成相应的功能. 本系统自动生成的逻辑图布局十分规整,连线也比较合理,并可通过交互系统进行布局和连线的修改.最后,生成的逻辑图还可以直接进行门和功能块级的逻辑模拟. 相似文献